SCEJ

化学工学会 第43回秋季大会

講演プログラム（セッション別）

シンポジウム ＜CVD・ドライプロセス　－構造・機能制御の反応工学－＞

U213-U219, U300-U326

オーガナイザー 齊藤丈靖（大阪府大）・玉置直樹（東芝）

環境・エネルギー問題への関心が高まる中、太陽電池や照明、ディスプレイに向けた大面積かつ低コストでの薄膜・微粒子形成技術が注目を集めています。また、微細化限界の見えてきた電子デバイスにおいても、新しい高機能膜の製膜・加工技術が求められています。特定の応用用途にとらわれることなく、反応メカニズムの理解を通して、広く薄膜形成・微粒子合成・微細加工プロセスにおける構造・機能制御の方法論について議論することを目的とします。トライアル＆エラーに頼らない論理的な最適化の方法論を考えることで、参加者がプロセスの課題を共有し、活発な討議となることを期待します。

最終更新日時：2011-08-16 00:00:00
講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
U会場 第2日
(13:00～14:00)　(座長 島田 学)
13:00～ 13:20U213急速蒸着・エピタキシャルリフトオフ法による太陽電池用単結晶シリコン薄膜の作製
(東大院工) ○(学)廣田 幸祐 ・ (半一) 石橋 健一 ・ (東大院工) (正)辻 佳子 ・ (正)野田 優
single crystal silicon film
epitaxial growth
rapid vapor deposition
S-31433
13:20～ 13:40U214Rapid vapor deposition of porous Si anodes for lithium ion batteries and control of their interface with Cu collector electrodes
(東大院工) ○(学)李 重昊 ・ (住友化学) 松本 慎吾 ・ 山本 武継 ・ (東大院工) (正)野田 優
physical vapor deposition
porous silicon films
lithium ion batteries
S-31398
13:40～ 14:00U215高効率太陽電池用InGaAs/GaAsP超格子のMOVPEにおけるヘテロ界面制御
(東大工) ○(正)杉山 正和 ・ (東大先端研) 王 云鵬 ・ 渡辺 健太郎 ・ 中野 義昭
solar cell
MOVPE
hetero interface
S-31894
(14:00～15:00)　(座長 野田 優)
14:00～ 14:20U216Using in-situ curvature measurement and simulation to optimize growth of InGaAs/GaAsP strain-compensated multiple quantum wells
(東大院工) ○(学)馬 少駿 ・ (東大先端研) (部)Hassanet Sodabanlu ・ (部)渡辺 健太郎 ・ (東大院工) (正)杉山 正和 ・ (東大先端研) (正)中野 義昭
Curvature
MOVPE
Semiconducting III-V materials
S-31858
14:20～ 14:40U217InxGa(1-x)PのMOVPE におけるその場曲率観察による組成決定の手法
(東大先端研) ○(部)渡辺 健太郎 ・ (部)Sodabanlu Hassanet ・ (東大院工) (学)馬 少駿 ・ (部)杉山 正和 ・ (東大先端研) (部)中野 義昭
MOVPE
in situ MOSS
strain management
S-31882
14:40～ 15:20U218[展望講演] 太陽電池用CVD装置の技術動向と展望
(カネカ) ○高橋 武良
solar cell
CVD
S-31642
U会場 第3日
(8:40～10:20)　(座長 森 伸介)
8:40～ 9:00U300超臨界流体を用いたSiO2製膜における流れパターンの影響評価
(デンソー) ○(正)山田 英雄 ・ (東大院工) (正)百瀬 健 ・ (みずほ情報総研) (正)岩崎 拓也 ・ 小野 耕平 ・ (デンソー) 大原 淳士 ・ 北村 康宏 ・ (信州大工) (正)内田 博久 ・ (東大院工) (正)霜垣 幸浩 ・ (正)杉山 正和
supercritical fluid
deposition
SiO2
S-31566
9:00～ 9:20U301基板加熱型超臨界製膜装置の数値流体シミュレーション(III)
(みずほ情報総研) ○(正)岩崎 拓也 ・ 小野 耕平 ・ (デンソー) (正)山田 英雄 ・ (東大院工) (正)百瀬 健 ・ (信州大工) (正)内田 博久 ・ (東大院工) (正)霜垣 幸浩 ・ (正)杉山 正和
Supercritical Fluid Deposition
omputational Flued Dynamics
Convection
S-31704
9:20～ 9:40U302超臨界Cu薄膜堆積プロセスの体系的理解に基づくウェハスケール反応器設計
(東大院工) ○(正)百瀬 健 ・ (正)杉山 正和 ・ (正)霜垣 幸浩
Supercritica Fluid
Deposition
Cu
S-31934
9:40～ 10:00U303Formation of Strontium Oxide Thin Film using Supercritical Fluid Deposition
(U. Tokyo) ○(学)Jung Kyubong ・ (正)Momose Takeshi ・ (正)Shimogaki Yukihiro
Supercritical Fluid Deposition
Oxidizer
Strontium oxide
S-31886
10:00～ 10:20U304超臨界二酸化炭素中における複合酸化物薄膜の作成
(阪府大院工) ○(学)小島 章光 ・ 廣田 祐一郎 ・ 中田 洸樹 ・ (正)岡本 尚樹 ・ (正)齊藤 丈靖 ・ (正)近藤 和夫 ・ (東北大多元研) (正)高見 誠一
supercritical carbon dioxide
thin film
metal oxide
S-31459
(10:20～11:40)　(座長 玉置 直樹)
10:20～ 10:40U305超臨界流体を利用した3次元キャパシタ電極用高段差被覆性Ru及びPt薄膜堆積技術の開発
(東大院工) ○(学)渡邊 圭 ・ (正)百瀬 健 ・ (正)霜垣 幸浩
Ruthenium
Platinum
Supercritical Fluid Deposition
S-31444
10:40～ 11:00U306無電解めっきによるルテニウム薄膜の作成
(阪府大院工) ○(学)吉田 悠佑 ・ (学)高木 康行 ・ (正)岡本 尚樹 ・ (正)齊藤 丈靖 ・ (正)近藤 和夫
electroless plating
ruthnium
barriermetal
S-31490
11:00～ 11:20U307Alドープ酸化亜鉛電極を用いた強誘電体キャパシタの劣化特性評価
(阪府大院工) ○(学)辻 徹 ・ 髙田 瑶子 ・ (正)岡本 尚樹 ・ (正)齊藤 丈靖 ・ (正)近藤 和夫 ・ 吉村 武 ・ 藤村 紀文 ・ (阪大産研) 北島 彰 ・ 大島 明博
ferroelectric material
zinc oxide
pulsed laser deposition
S-31216
11:20～ 12:00U308[展望講演] パワーエレクトロニクス分野におけるCVD技術の展開
(豊田中研) ○(正)小澤 隆弘
power electronics
chemical vapor deposition
S-31930

(13:00～14:00)　(座長 霜垣 幸浩)
13:00～ 13:40U313[展望講演] 太陽電池・燃料電池におけるミクロナノ構造制御とグリーンイノベーションへの展開
(東工大化学) ○(正)伊原 学
fuel cell
solar cell
reaction engineering
S-31636
13:40～ 14:00U315PE-CVD中での高速噴流を用いたシリコン製膜の反応解析
(岐阜大院工) ○(正)西田 哲 ・ 田中 直也 ・ 野村 祐希 ・ 牟田 浩司 ・ 栗林 志頭眞
Si deposition
super sonic jet
CFD
S-311089
(14:00～15:20)　(座長 杉山 正和)
14:00～ 14:20U316RFプラズマCVD法によるTiC薄膜の低温成長と物性評価
(阪府大院工) ○(学)政岡 弘侑 ・ (阪府大工) 松本 佐和子 ・ (阪府大院工) (正)岡本 尚樹 ・ (正)齊藤 丈靖 ・ (正)近藤 和夫 ・ (アルテックス) 咸 智惇
film growth
chemical vapor deposition
titanium carbide
S-31400
14:20～ 14:40U317SiC-CVDプロセス反応機構のマルチスケール解析
(東大院工) ○(学)福島 康之 ・ (IHI基盤技研) 保戸塚 梢 ・ (東大院工) (正)霜垣 幸浩
Silicon Carbide
CVD
reaction kinetics
S-3168
14:40～ 15:00U318質量解析法を用いた3次元構造物へのコンフォーマルコーティングの評価
(東北大WPI材料機構) ○(正)北條 大介 ・ (正)阿尻 雅文
ALD
Mass analysis
Conformal coatings
S-31783
15:00～ 15:20U319金属薄膜触媒を用いた化学気相成長法によるグラフェンの合成
(東大院工) ○(学)増田 竜也 ・ (正)野田 優
CVD
graphene
interlayer
S-31579
(15:20～16:20)　(座長 河瀬 元明)
15:20～ 15:40U320単層カーボンナノチューブのCVD合成におけるゼオライト触媒担体の影響
(東大院工) ○(学)額賀 大輝 ・ (学)茂木 堯彦 ・ 丸山 茂夫 ・ (正)大久保 達也
single-walled carbon nanotube
zeolite
CVD
S-311008
15:40～ 16:00U321鉄系合金バルク表面を用いたカーボンナノチューブ合成法
(京大院工) ○(学)山本 傑 ・ (正)佐野 紀彰 ・ (正)田門 肇
carbon nano tube
chemical vapor deposition
S-31275
16:00～ 16:20U322官能基修飾されたMWCNTs上へのニッケル析出に対する有機系添加物効果
(阪府大院工) ○(学)高木 康行 ・ (正)齊藤 丈靖 ・ (正)岡本 尚樹 ・ (正)近藤 和夫 ・ (阪市工研) 小林 靖之 ・ 藤原 裕
carbon nanotube
nickel
electroless plating
S-31502
(16:20～17:40)　(座長 齊藤 丈靖)
16:20～ 16:40U323カーボンナノファイバーの無触媒低温プラズマCVDにおける基板形状の影響
(東工大院理工) ○(正)森 伸介 ・ (東工大工) 山田 悠介 ・ (東工大院理工) (正)鈴木 正昭
plasma-enhanced CVD
carbon nanofiber
carbon monoxide
S-31699
16:40～ 17:00U324非凝集ナノサイズ粒子の気相堆積による薄膜構造の形成
(広大院工) ○(学)石原 悠 ・ 飯田 大樹 ・ (正)島田 学
Non-agglomerated nanoparticle
Thin film
Aerosol deposition
S-31954
17:00～ 17:20U325基板上付着微粒子による水分介在汚染現象
(広大院工) ○(学)棚橋 克臣 ・ 中西 雅教 ・ (正)島田 学 ・ (東京エレクトロンAT) 長池 宏史 ・ (東京エレクトロン) 守屋 剛
Particle on surface
Microcontamination
Water deposition
S-31961
17:20～ 17:40U326高い光触媒活性示すチタニア微粒子の気相合成
(成蹊大理工) ○(学)塩井 仁彦 ・ (学)山川 桃子 ・ (正)酒井 裕香 ・ (正)山崎 章弘 ・ (正)里川 重夫 ・ (正)加藤 茂 ・ (正)小島 紀徳
gas phase
hydrolysis
photocatalyst
S-31827
講演プログラム
化学工学会 第43回秋季大会
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Most recent update: 2011-08-16 00:00:00
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