easp 2.28; proghtml 2.28c (C)1999-2011 kawase
| 森伸介（東工大）・野田優（東京大）・池田圭（アテナシス） |
大面積かつ低コストでの薄膜・微粒子形成技術や新しい高機能膜の製膜・加工技術が、太陽電池や電子デバイス、MEMS、マイクロリアクタなど様々な分野で求められています。本シンポジウムでは、薄膜形成・微粒子合成・微細加工プロセスにおける構造・機能制御技術について、最適条件を経験的に探索するのではなく、反応メカニズムの理解を通した論理的な最適化を目指し議論することを目的とします。なお、優秀な発表をされた若手研究者には、CVD反応分科会奨励賞を贈呈します。
| 講演 時刻 | 講演 番号 | 講演題目／発表者 | キーワード | 分類 番号 | 受理 番号 |
|---|---|---|---|---|---|
| G会場 第2日 | |||||
| (9:20～10:40) (座長 齊藤 丈靖) | |||||
| G202 | SiC-CVDプロセスへのHClガス添加効果 | CVD SiC QMS | S-8 | 99 | |
| G203 | SiC-CVDプロセスにおける気相反応計算 | SiC CVD calculation | S-8 | 484 | |
| G204 | SiC-CVDプロセス反応機構解析のための熱分解気相種測定 | SiC CVD QMS | S-8 | 148 | |
| G205 | 非晶質炭化珪素薄膜の低温形成法 | 炭化珪素 CVD 低温プロセス | S-8 | 8 | |
| (10:40～12:00) (座長 池田 圭) | |||||
| G206 | [招待講演]半導体プラズマプロセス装置のシミュレーション技術 | semiconductor manufacturing equipment plasma processing numerical simulation | S-8 | 419 | |
| G207 | プラズマCVDによる噴流を用いたSi製膜と流体・反応解析 | CVD 薄膜 シリコン | S-8 | 400 | |
| G208 | プラズマCVD法によるTiC系硬質膜の作成と評価 | film growth chemical vapor deposition titanium carbide | S-8 | 509 | |
| G209 | ダイヤモンドライクカーボン成膜用高周波CH4プラズマのシミュレーション | diamond like carbon plasma simulation | S-8 | 797 | |
| (13:00～14:00) (座長 霜垣 幸浩) | |||||
| G213 | [展望講演]超低損傷微細加工プロセスのナノプロセッシングへの展開 | Damage-free Neutral beam Nano-material | S-8 | 293 | |
| G215 | 高集光発電用マイクロ集積直列接続GaAs太陽電池の試作 | micromachining monolithic integrated solar cells | S-8 | 919 | |
| (14:00～15:20) (座長 秋山 泰伸) | |||||
| G216 | Monolithic integration of multi-wavelength InGaN/GaN MQW LEDs via selective area MOVPE | MOVPE nitride semiconductor LED | S-8 | 569 | |
| G217 | 補償ドーピングによるInGaAs/GaAsP量子井戸太陽電池のキャリア回収効率向上 | InGaAs / GaAsP quantum well solar cells compensation doping MOVPE | S-8 | 860 | |
| G218 | 太陽電池用CIS薄膜作製におけるSe化プロセスの超臨界流体を用いた低温化 | CIGS Solar Cell Conversion Supercritical Fluid | S-8 | 682 | |
| G219 | Si(111)上InAsの選択ヘテロエピタキシャル成長における界面電気伝導特性 | MOVPE selective-area InAs/Si | S-8 | 807 | |
| G会場 第3日 | |||||
| (9:20～10:40) (座長 野田 優) | |||||
| G302 | 超臨界流体を用いたナノインプリント用Niモールド作製プロセスの開発 | Supercritical Fluid Deposition Ni nano-imprint | S-8 | 498 | |
| G303 | 超臨界二酸化炭素を用いたTiO2、Bi2O3薄膜成長の反応機構解析と複合膜化 | supercritical carbon dioxide thin film deposition | S-8 | 513 | |
| G304 | 超臨界CO2を用いたTiO2薄膜製膜用前駆体の選択 | supercritical fluid deposition thin film titanium dioxide | S-8 | 289 | |
| G305 | [招待講演]有機分子修飾酸化物ナノ結晶の合成，集積と機能化 | oxide nanocrystals surface modification synthesis, integration, and functionalization | S-8 | 283 | |
| (10:40～12:00) (座長 杉山 正和) | |||||
| G306 | 超臨界流体を用いたストロンチウムルテニウム酸化膜製膜メカニズム | Supercritical Fluid Deposition Strontium ruthenium oxide (SRO) Deposition Mechanism | S-8 | 277 | |
| G307 | 非貴金属酸化物電極による強誘電体キャパシタの安定性評価 | ferroelectric material pulsed laser deposition conductive oxide | S-8 | 672 | |
| G308 | アルコキシド原料を用いたリチウム酸化物薄膜の熱CVD | CVD Lithium tert-butoxide Lithium Oxide | S-8 | 825 | |
| G309 | ULSI-Cu配線用Co(W)バリヤ膜形成CVD/ALDプロセスの最適設計 | CVD amidinate alloy | S-8 | 92 | |
| (13:00～14:20) (座長 森 伸介) | |||||
| G313 | [展望講演] 化学的剥離およびCVDによるグラフェンの成膜と太陽電池用透明導電膜への応用と展望 | Graphene Transparent Conductive Film CVD | S-8 | 989 | |
| G315 | 金属フリーグラフェンの基板上直接形成と構造制御 | graphene patterned growth metal-free | S-8 | 210 | |
| G316 | Cu-CVDプロセスの初期核発生・成長に対する下地材料の影響 | Cu-CVD Nucleation ULSI | S-8 | 759 | |
| (14:20～15:40) (座長 河瀬 元明) | |||||
| G317 | 低温でのカーボンナノチューブの稠密合成 | carbon nanotubes chemical vapor deposition low temperature growth | S-8 | 270 | |
| G318 | [招待講演]ナノサイズ物質の気相堆積による表面形成 | nanomaterial gas phase deposition surface formation | S-8 | 288 | |
| G319 | 基板上単層カーボンナノチューブ、ミリメータースケール成長の必要条件と構造制御 | single-walled carbon nanotube chemical vapor deposition rapid growth | S-8 | 553 | |
| G320 | Catalyst control for millimeter-tall single-walled carbon nanotubes with improved quality and areal density | single walled carbon nanotubes chemical vapor deposition coarsening of catalyst | S-8 | 258 | |
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