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化学工学会 第47回秋季大会

講演プログラム（セッション別）

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部会シンポジウム SY-9. <CVD・ドライプロセス　－構造・機能制御の反応工学－>

O213-O224, O301-O320

最終更新日時：2015-08-26 10:00:42

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
O 会場・第 2 日
(13:00～14:00) (座長 玉置 直樹)
13:00～ 13:40O213[展望講演] 3Dメモリ時代のプロセス技術展望
(東芝) 服部 圭
semiconductor fabrication
process technology
3D memory
SY-9129
13:40～ 14:00O215超臨界溶体の温度勾配を利用したアントラセン製膜における過飽和度および濃度の影響
(東大院工) (学)○豊倉 祥太・ (正)下山 裕介・ (正)霜垣 幸浩・ (正)百瀬 健
Supercritical CO2
anthracene
crystallization
SY-9156
(14:00～15:00) (座長 河瀬 元明)
14:00～ 14:20O216コンフォーマルな超臨界流体堆積におけるCO2圧力の影響
(東大院工) (学)○チョウ ユウ・ (正)百瀬 健・ (正)下山 裕介・ (正)霜垣 幸浩
supercritical fluid deposition
pressure
kinetics
SY-9543
14:20～ 14:40O217超臨界溶体急速膨張法によるTIPSペンタセン薄膜創製と有機薄膜トランジスタの特性評価
(信州大院理工) (学)○夏目 実佳・ (学)高橋 佑汰・ (信州大院総工) (学)藤井 竜也・ (信州大工) (正)内田 博久
Supercritical carbon dioxide
TIPS-pentacene thin films
Organic thin film transistor (OTFT)
SY-9668
14:40～ 15:00O218超臨界二酸化炭素を用いた酸化鉄薄膜の作成
(阪府大院) (学)○角 嘉人・ (阪府大) (学)刀禰 正利・ (阪府大院) (正)岡本 尚樹・ (正)齊藤 丈靖・ (正)近藤 和夫・ (東北大多元研) (正)高見 誠一
supercritical CO2
FeRAM
iron oxide
SY-9758
(15:00～16:00) (座長 下山 裕介)
15:00～ 15:20O219[招待講演] 高圧CO2添加による粘度低下を利用した高圧噴霧成膜技術
(産総研・化学プロセス研究部門) ○川﨑 慎一朗・ (東北大) 鈴木 明
high pressure carbon dioxide
spray deposition
viscosity
SY-9131
15:20～ 15:40O220超臨界流体を用いたTiO2ナノ細孔へのCuInS2埋め込み成膜
(東北大多元研) (学)○安井 容二・ (学)中安 祐太・ (東大工) (正)百瀬 健・ (東北大多元研) (正)笘居 高明・ (正)本間 格
supercritical fluid deposition
nanostructure
compound semiconductor
SY-9442
15:40～ 16:00O221プラズマCVD法を用いたシリカ系ガスバリア膜の作製とガス透過速度の測定
(京大工) (学·技基)○大津 啓幸・ (学)竹田 依加・ (正)河瀬 元明
plasma CVD
silica-based film
gas barrier
SY-9757
(16:00～17:00) (座長 羽深 等)
16:00～ 16:20O222プラズマCVD法で作製したシリカ膜の化学構造と膜特性
(京大工) (学)○竹田 依加・ (学)出口 利樹・ (学·技基)大津 啓幸・ (正)河瀬 元明
plasma CVD
chemical structure
film properties
SY-9815
16:20～ 16:40O223異なる炭素源を用いたプラズマCVDによるカーボンナノウォールの合成とその特性評価
(東工大院理工) (学)○新川 大樹・ (正)森 伸介
carbon nanowall
carbon monoxide
SY-9897
16:40～ 17:00O224グラフェンの実用的CVD合成:供給変調による合成時間短縮と大粒径・高被覆率化
(早大院先進理工) (学)○大川 朝陽・ (正)長谷川 馨・ (正)野田 優
Graphene
Chemical vapor deposition
Nucleation and growth
SY-9605
O 会場・第 3 日
(9:00～10:00) (座長 池田 圭)
9:00～ 9:20O301微細トレンチにおける製膜物質の反応性解析手法の改良
(東大院工) (学)○舩門 佑一・ (学)嶋 紘平・ (学)佐藤 登・ 杉浦 秀俊・ (学)中原 拓也・ (IHI基盤研) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
reactivity analysis
fine trench
Chemical Vapor Deposition
SY-9861
9:20～ 9:40O302超高アスペクト比ミクロキャビティを用いたSiC-CVI法のモデリング
(東大院工) (学)○嶋 紘平・ (学)佐藤 登・ (学)舩門 佑一・ 杉浦 秀俊・ (学)中原 拓也・ (IHI基盤研) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
CVD
SiC
methyltrichlorosilane
SY-9747
9:40～ 10:00O303原料炭化水素種と基板金属種が熱分解炭素の CVD 速度に与える影響
(京大工) (学·技基)○馬場 翔平・ (学)岩井 豊彦・ (学)長田 翔・ (正)河瀬 元明
CVD
Pyrolysis
Carbon
SY-9278
(10:00～11:00) (座長 森 伸介)
10:00～ 10:20O304導入ガスを切り替えるCVDプロセスの非定常ガス流れシミュレーション
(アテナシス) (正)池田 圭
CVD
ALD
simulation
SY-9608
10:20～ 10:40O305SiHCl3によるシリコン成膜時の副生成物形成機構
(横国大院工) 桜井 あゆみ・ 齋藤 あゆ美・ (正)○羽深 等
Silicon epitaxial growth
trichlorosilane
by-products
SY-911
10:40～ 11:00O306塩素-ケイ素含化合物を用いたCVDでの下流堆積物生成反応モデルの構築
(東大院工) (学)○佐藤 登・ (学)嶋 紘平・ (学)舩門 佑一・ 杉浦 秀俊・ (学)中原 拓也・ (IHI基盤研) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (学位授与機構) 越 光男・ (東大院工) (正)霜垣 幸浩
silicon-chlorine compounds
by-products
elementary reaction simulation
SY-9840
(11:00～12:00) (座長 霜垣 幸浩)
11:00～ 11:20O307有機半導体材料昇華精製プロセスの解析
(東大院工) (学)○岩男 拓哉・ (正)山口 由岐夫・ (東大環安セ/東大院工) (正)辻 佳子
sublimation
purification
organic semiconductors
SY-9468
11:20～ 11:40O308気相法によるAg-TiO2ナノ粒子混合堆積膜の作製
(広大院工) (学·技基)○増田 英高・ 田井 悠介・ (正)久保 優・ (正)島田 学
PECVD
Nanoparticle synthesis
PVD
SY-9273
11:40～ 12:00O309[招待講演] 半導体プロセス用有機金属原料の設計、合成およびALDへの適用
(エア・リキード) Dussarrat Christian
atomic layer deposition
conformal growth
reaction mechanism
SY-9132

(13:00～14:00) (座長 野田 優)
13:00～ 13:40O313[展望講演] 化合物半導体ナノワイヤのヘテロエピタキシャル成長と展望
(北大量子集積エレクトロニクス研究セ) ○冨岡 克広・ 本久 順一・ 福井 孝志
compound semiconductor
nanowire
heteroepitaxial growth
SY-9128
13:40～ 14:00O315熱CVD 法で作製した酸化亜鉛薄膜の特性
(東海大院工) (学)○黒田 晋吾・ (東海大工) 久保 史香・ 横山 優貴・ 渡邉 雅俊・ (東海大院工) 大久保 達生・ (正)秋山 泰伸
CVD
Zinc oxide
transparent conductive film
SY-9767
(14:00～15:00) (座長 秋山 泰伸)
14:00～ 14:20O316異なる酸素圧力で作製した導電性酸化物電極を有する強誘電体キャパシタの電気特性
(阪府大院工) (学)○高田 瑶子・ (学)天野 泰河・ (正)岡本 尚樹・ (正)齊藤 丈靖・ (正)近藤 和夫・ 吉村 武・ 藤村 紀文・ (阪大産研) 樋口 宏二・ 北島 彰
Ferroelectric capacitor
pulsed laser deposition
oxygen pressure
SY-9645
14:20～ 14:40O317p型ダイヤモンド上にEB蒸着法で形成したTi化合物/Pt/Au電極のTLM評価
(阪府大院工) (学)○鈴木 聡一郎・ (正)岡本 尚樹・ (正)齊藤 丈靖・ (正)近藤 和夫・ (産総研) 松本 翼・ 牧野 俊晴・ 小倉 政彦・ 加藤 宙光・ 竹内 大輔・ 山崎 聡・ 大串 秀世
diamond
contact resistance
electron beam evaporated
SY-9787
14:40～ 15:00O318[招待講演] 窒化物薄膜の微細構造制御とラジカルを用いた低温での成膜方法
(北見工大) ○武山 真弓・ 佐藤 勝・ 野矢 厚
nitride thin film
sputtering
radical nitridization
SY-9130
(15:00～15:40) (座長 齊藤 丈靖)
15:00～ 15:20O319急速蒸着とその場溶融結晶化による大粒径結晶Si薄膜作製法の開発
(早大先進理工) (学)○山崎 悠平・ (正)長谷川 馨・ (正)大沢 利男・ (正)野田 優
crystalline silicon thin films
vapor deposition
liquid phase crystallization
SY-9643
15:20～ 15:40O320CVDによるα-Al2O3薄膜の配向性制御
(東大工) (学)○西澤 慧・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (京セラ) 谷渕 栄仁・ (東大院工) (正)霜垣 幸浩
CVD
Al2O3
crystal-orientation
SY-9827
講演発表プログラム
化学工学会 第47回秋季大会
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Most recent update: 2015-08-26 10:00:42
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