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化学工学会 第43回秋季大会

講演プログラム（会場・日程別）

U会場 第2日

最終更新日時：2011-08-16 00:00:00
講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
シンポジウム ＜CVD・ドライプロセス　−構造・機能制御の反応工学−＞
(13:00〜14:00)　(座長 島田 学)
13:00〜 13:20U213急速蒸着・エピタキシャルリフトオフ法による太陽電池用単結晶シリコン薄膜の作製
(東大院工) ○(学)廣田 幸祐 ・ (半一) 石橋 健一 ・ (東大院工) (正)辻 佳子 ・ (正)野田 優
single crystal silicon film
epitaxial growth
rapid vapor deposition
S-31433
13:20〜 13:40U214Rapid vapor deposition of porous Si anodes for lithium ion batteries and control of their interface with Cu collector electrodes
(東大院工) ○(学)李 重昊 ・ (住友化学) 松本 慎吾 ・ 山本 武継 ・ (東大院工) (正)野田 優
physical vapor deposition
porous silicon films
lithium ion batteries
S-31398
13:40〜 14:00U215高効率太陽電池用InGaAs/GaAsP超格子のMOVPEにおけるヘテロ界面制御
(東大工) ○(正)杉山 正和 ・ (東大先端研) 王 云鵬 ・ 渡辺 健太郎 ・ 中野 義昭
solar cell
MOVPE
hetero interface
S-31894
(14:00〜15:00)　(座長 野田 優)
14:00〜 14:20U216Using in-situ curvature measurement and simulation to optimize growth of InGaAs/GaAsP strain-compensated multiple quantum wells
(東大院工) ○(学)馬 少駿 ・ (東大先端研) (部)Hassanet Sodabanlu ・ (部)渡辺 健太郎 ・ (東大院工) (正)杉山 正和 ・ (東大先端研) (正)中野 義昭
Curvature
MOVPE
Semiconducting III-V materials
S-31858
14:20〜 14:40U217InxGa(1-x)PのMOVPE におけるその場曲率観察による組成決定の手法
(東大先端研) ○(部)渡辺 健太郎 ・ (部)Sodabanlu Hassanet ・ (東大院工) (学)馬 少駿 ・ (部)杉山 正和 ・ (東大先端研) (部)中野 義昭
MOVPE
in situ MOSS
strain management
S-31882
14:40〜 15:20U218[展望講演] 太陽電池用CVD装置の技術動向と展望
(カネカ) ○高橋 武良
solar cell
CVD
S-31642
講演プログラム
化学工学会 第43回秋季大会
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Most recent update: 2011-08-16 00:00:00
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