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化学工学会 第44回秋季大会

講演プログラム（会場・日程別）

G会場

最終更新日時：2012-08-20 15:02:17

第2日
講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
シンポジウム ＜CVD・ドライプロセス　－構造・機能制御の反応工学－＞
(9:20～10:40)　(座長 齊藤 丈靖)
9:20～ 9:40G202SiC-CVDプロセスへのHClガス添加効果
(東大院工) ○(正)福島 康之 ・ 舩門 佑一 ・ 佐藤 登 ・ (IHI基盤研) 保戸塚 梢 ・ (東大院工) (正)百瀬 健 ・ (正)霜垣 幸浩
CVD
SiC
QMS
S-899
9:40～ 10:00G203SiC-CVDプロセスにおける気相反応計算
(東大院工) ○(学)佐藤 登 ・ (学)舩門 佑一 ・ (学)福島 康之 ・ (IHI基盤研) 保戸塚 梢 ・ (東大院工) (正)百瀬 健 ・ (正)霜垣 幸浩
SiC
CVD
calculation
S-8484
10:00～ 10:20G204SiC-CVDプロセス反応機構解析のための熱分解気相種測定
(東大院工) ○(学)舩門 佑一 ・ (正)福島 康之 ・ (学)佐藤 登 ・ (IHI基盤研) 保戸塚 梢 ・ (東大院工) (正)百瀬 健 ・ (正)霜垣 幸浩
SiC
CVD
QMS
S-8148
10:20～ 10:40G205非晶質炭化珪素薄膜の低温形成法
(横国大院工) 津地 雅希 ・ 安藤 裕介 ・ ○(正)羽深 等
炭化珪素
CVD
低温プロセス
S-88
(10:40～12:00)　(座長 池田 圭)
10:40～ 11:00G206[招待講演]半導体プラズマプロセス装置のシミュレーション技術
(東京エレクトロン山梨) ○伝宝 一樹
semiconductor manufacturing equipment
plasma processing
numerical simulation
S-8419
11:00～ 11:20G207プラズマCVDによる噴流を用いたSi製膜と流体・反応解析
(岐阜大院工) ○(正)西田 哲 ・ 岡本 直樹 ・ 中村 次郎 ・ 田中 直也 ・ 野村 祐希 ・ 牟田 浩司 ・ 栗林 志眞頭
CVD
薄膜
シリコン
S-8400
11:20～ 11:40G208プラズマCVD法によるTiC系硬質膜の作成と評価
(阪府大院工) ○(学)政岡 弘侑 ・ (阪府大工) 松本 佐和子 ・ (阪府大院工) (正)岡本 尚樹 ・ (正)齊藤 丈靖 ・ (正)近藤 和夫 ・ (アルテックス) 咸 智惇
film growth
chemical vapor deposition
titanium carbide
S-8509
11:40～ 12:00G209ダイヤモンドライクカーボン成膜用高周波CH4プラズマのシミュレーション
(千葉工大) ○小田 昭紀 ・ (名大工) 上坂 裕之
diamond like carbon
plasma
simulation
S-8797
(13:00～14:00)　(座長 霜垣 幸浩)
13:00～ 13:40G213[展望講演]超低損傷微細加工プロセスのナノプロセッシングへの展開
(東北大流体研) ○寒川 誠二
Damage-free
Neutral beam
Nano-material
S-8293
13:40～ 14:00G215高集光発電用マイクロ集積直列接続GaAs太陽電池の試作
(東大工) ○瀬能 未奈都 ・ (東大先端研) 渡辺 健太郎 ・ (東大工) (正)杉山 正和 ・ (東大先端研) 中野 義昭
micromachining
monolithic integrated solar cells
S-8919
(14:00～15:20)　(座長 秋山 泰伸)
14:00～ 14:20G216Monolithic integration of multi-wavelength InGaN/GaN MQW LEDs via selective area MOVPE
(東大院工) ○(学)神谷 達也 ・ (正)百瀬 健 ・ (正)杉山 正和 ・ (正)霜垣 幸浩
MOVPE
nitride semiconductor
LED
S-8569
14:20～ 14:40G217補償ドーピングによるInGaAs/GaAsP量子井戸太陽電池のキャリア回収効率向上
(東大院工) ○藤井 宏昌 ・ (先端研) 王 云鵬 ・ 渡辺 健太郎 ・ (東大院工) (正)杉山 正和 ・ (先端研) 中野 義昭
InGaAs / GaAsP quantum well solar cells
compensation doping
MOVPE
S-8860
14:40～ 15:00G218太陽電池用CIS薄膜作製におけるSe化プロセスの超臨界流体を用いた低温化
(東北大多元研) ○(学)矢中 美紀 ・ (正)笘居 高明 ・ (正)本間 格
CIGS Solar Cell
Conversion
Supercritical Fluid
S-8682
15:00～ 15:20G219Si(111)上InAsの選択ヘテロエピタキシャル成長における界面電気伝導特性
(東大院工) ○渡邉 翔大 ・ (東大先端研) 渡辺 健太郎 ・ 肥後 昭男 ・ (東大院工) (正)杉山 正和 ・ (東大先端研) 中野 義昭
MOVPE
selective-area
InAs/Si
S-8807

第3日
講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
シンポジウム ＜CVD・ドライプロセス　－構造・機能制御の反応工学－＞
(9:20～10:40)　(座長 野田 優)
9:20～ 9:40G302超臨界流体を用いたナノインプリント用Niモールド作製プロセスの開発
(東大院工) ○(学)川田 寛人 ・ (正)百瀬 健 ・ (正)霜垣 幸浩
Supercritical Fluid Deposition
Ni
nano-imprint
S-8498
9:40～ 10:00G303超臨界二酸化炭素を用いたTiO2、Bi2O3薄膜成長の反応機構解析と複合膜化
(阪府大院工) ○(学)中田 洸樹 ・ (学)小島 章光 ・ (正)岡本 尚樹 ・ (正)齊藤 丈靖 ・ (正)近藤 和夫 ・ (東北大多元研) (正)高見 誠一
supercritical carbon dioxide
thin film
deposition
S-8513
10:00～ 10:20G304超臨界CO2を用いたTiO2薄膜製膜用前駆体の選択
(東大院工) ○(学)Zhao Yu ・ (学)Jung Kyubong ・ (正)Momose Takeshi ・ (正)Shimogaki Yukihiro
supercritical fluid deposition
thin film
titanium dioxide
S-8289
10:20～ 10:40G305[招待講演]有機分子修飾酸化物ナノ結晶の合成，集積と機能化
(東北大多元研) ○(正)高見 誠一
oxide nanocrystals
surface modification
synthesis, integration, and functionalization
S-8283
(10:40～12:00)　(座長 杉山 正和)
10:40～ 11:00G306超臨界流体を用いたストロンチウムルテニウム酸化膜製膜メカニズム
(東大院工) ○(学)鄭 珪捧 ・ (正)百瀬 健 ・ (正)霜垣 幸浩
Supercritical Fluid Deposition
Strontium ruthenium oxide (SRO)
Deposition Mechanism
S-8277
11:00～ 11:20G307非貴金属酸化物電極による強誘電体キャパシタの安定性評価
(阪府大院工) ○(学)髙田 瑶子 ・ 辻 徹 ・ (正)岡本 尚樹 ・ (正)齊藤 丈靖 ・ (正)近藤 和夫 ・ 吉村 武 ・ 藤村 紀文 ・ (阪大産研) 樋口 宏二 ・ 北島 彰 ・ 大島 明博
ferroelectric material
pulsed laser deposition
conductive oxide
S-8672
11:20～ 11:40G308アルコキシド原料を用いたリチウム酸化物薄膜の熱CVD
(東海大) ○(学)二瓶 由佳 ・ (学)山梨 真広 ・ (正)秋山 泰伸
CVD
Lithium tert-butoxide
Lithium Oxide
S-8825
11:40～ 12:00G309ULSI-Cu配線用Co(W)バリヤ膜形成CVD/ALDプロセスの最適設計
(東大院工・大陽日酸) ○(正)清水 秀治 ・ (東大院工) (正)百瀬 健 ・ (正)霜垣 幸浩
CVD
amidinate
alloy
S-892
(13:00～14:20)　(座長 森 伸介)
13:00～ 13:40G313[展望講演] 化学的剥離およびCVDによるグラフェンの成膜と太陽電池用透明導電膜への応用と展望
(富士電機) ○藤井 健志
Graphene
Transparent Conductive Film
CVD
S-8989
13:40～ 14:00G315金属フリーグラフェンの基板上直接形成と構造制御
(東大院工) ○(学)小坂 昌輝 ・ 新元 薫 ・ (正)野田 優
graphene
patterned growth
metal-free
S-8210
14:00～ 14:20G316Cu-CVDプロセスの初期核発生・成長に対する下地材料の影響
(東大院工) ○(学)嶋 紘平 ・ (学)清水 秀治 ・ (正)百瀬 健 ・ (正)霜垣 幸浩
Cu-CVD
Nucleation
ULSI
S-8759
(14:20～15:40)　(座長 河瀬 元明)
14:20～ 14:40G317低温でのカーボンナノチューブの稠密合成
(東大院工) ○(学)羅 ヌリ ・ (正)野田 優
carbon nanotubes
chemical vapor deposition
low temperature growth
S-8270
14:40～ 15:00G318[招待講演]ナノサイズ物質の気相堆積による表面形成
(広大院工) ○(正)島田 学
nanomaterial
gas phase deposition
surface formation
S-8288
15:00～ 15:20G319基板上単層カーボンナノチューブ、ミリメータースケール成長の必要条件と構造制御
(東大院工) ○(正)長谷川 馨 ・ (正)野田 優
single-walled carbon nanotube
chemical vapor deposition
rapid growth
S-8553
15:20～ 15:40G320Catalyst control for millimeter-tall single-walled carbon nanotubes with improved quality and areal density
(東大院工) ○(学)陳 忠明 ・ 金 東榮 ・ (正)長谷川 馨 ・ (正)野田 優
single walled carbon nanotubes
chemical vapor deposition
coarsening of catalyst
S-8258
講演プログラム
化学工学会 第44回秋季大会
(C) 2012 公益社団法人化学工学会 The Society of Chemical Engineers, Japan. All rights reserved.
Most recent update: 2012-08-20 15:02:17
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