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化学工学会 第44回秋季大会

講演プログラム（会場・日程別）

G会場 第2日

最終更新日時：2012-08-20 15:02:17
講演
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番号
シンポジウム ＜CVD・ドライプロセス　－構造・機能制御の反応工学－＞
(9:20～10:40)　(座長 齊藤 丈靖)
9:20～ 9:40G202SiC-CVDプロセスへのHClガス添加効果
(東大院工) ○(正)福島 康之 ・ 舩門 佑一 ・ 佐藤 登 ・ (IHI基盤研) 保戸塚 梢 ・ (東大院工) (正)百瀬 健 ・ (正)霜垣 幸浩
CVD
SiC
QMS
S-899
9:40～ 10:00G203SiC-CVDプロセスにおける気相反応計算
(東大院工) ○(学)佐藤 登 ・ (学)舩門 佑一 ・ (学)福島 康之 ・ (IHI基盤研) 保戸塚 梢 ・ (東大院工) (正)百瀬 健 ・ (正)霜垣 幸浩
SiC
CVD
calculation
S-8484
10:00～ 10:20G204SiC-CVDプロセス反応機構解析のための熱分解気相種測定
(東大院工) ○(学)舩門 佑一 ・ (正)福島 康之 ・ (学)佐藤 登 ・ (IHI基盤研) 保戸塚 梢 ・ (東大院工) (正)百瀬 健 ・ (正)霜垣 幸浩
SiC
CVD
QMS
S-8148
10:20～ 10:40G205非晶質炭化珪素薄膜の低温形成法
(横国大院工) 津地 雅希 ・ 安藤 裕介 ・ ○(正)羽深 等
炭化珪素
CVD
低温プロセス
S-88
(10:40～12:00)　(座長 池田 圭)
10:40～ 11:00G206[招待講演]半導体プラズマプロセス装置のシミュレーション技術
(東京エレクトロン山梨) ○伝宝 一樹
semiconductor manufacturing equipment
plasma processing
numerical simulation
S-8419
11:00～ 11:20G207プラズマCVDによる噴流を用いたSi製膜と流体・反応解析
(岐阜大院工) ○(正)西田 哲 ・ 岡本 直樹 ・ 中村 次郎 ・ 田中 直也 ・ 野村 祐希 ・ 牟田 浩司 ・ 栗林 志眞頭
CVD
薄膜
シリコン
S-8400
11:20～ 11:40G208プラズマCVD法によるTiC系硬質膜の作成と評価
(阪府大院工) ○(学)政岡 弘侑 ・ (阪府大工) 松本 佐和子 ・ (阪府大院工) (正)岡本 尚樹 ・ (正)齊藤 丈靖 ・ (正)近藤 和夫 ・ (アルテックス) 咸 智惇
film growth
chemical vapor deposition
titanium carbide
S-8509
11:40～ 12:00G209ダイヤモンドライクカーボン成膜用高周波CH4プラズマのシミュレーション
(千葉工大) ○小田 昭紀 ・ (名大工) 上坂 裕之
diamond like carbon
plasma
simulation
S-8797
(13:00～14:00)　(座長 霜垣 幸浩)
13:00～ 13:40G213[展望講演]超低損傷微細加工プロセスのナノプロセッシングへの展開
(東北大流体研) ○寒川 誠二
Damage-free
Neutral beam
Nano-material
S-8293
13:40～ 14:00G215高集光発電用マイクロ集積直列接続GaAs太陽電池の試作
(東大工) ○瀬能 未奈都 ・ (東大先端研) 渡辺 健太郎 ・ (東大工) (正)杉山 正和 ・ (東大先端研) 中野 義昭
micromachining
monolithic integrated solar cells
S-8919
(14:00～15:20)　(座長 秋山 泰伸)
14:00～ 14:20G216Monolithic integration of multi-wavelength InGaN/GaN MQW LEDs via selective area MOVPE
(東大院工) ○(学)神谷 達也 ・ (正)百瀬 健 ・ (正)杉山 正和 ・ (正)霜垣 幸浩
MOVPE
nitride semiconductor
LED
S-8569
14:20～ 14:40G217補償ドーピングによるInGaAs/GaAsP量子井戸太陽電池のキャリア回収効率向上
(東大院工) ○藤井 宏昌 ・ (先端研) 王 云鵬 ・ 渡辺 健太郎 ・ (東大院工) (正)杉山 正和 ・ (先端研) 中野 義昭
InGaAs / GaAsP quantum well solar cells
compensation doping
MOVPE
S-8860
14:40～ 15:00G218太陽電池用CIS薄膜作製におけるSe化プロセスの超臨界流体を用いた低温化
(東北大多元研) ○(学)矢中 美紀 ・ (正)笘居 高明 ・ (正)本間 格
CIGS Solar Cell
Conversion
Supercritical Fluid
S-8682
15:00～ 15:20G219Si(111)上InAsの選択ヘテロエピタキシャル成長における界面電気伝導特性
(東大院工) ○渡邉 翔大 ・ (東大先端研) 渡辺 健太郎 ・ 肥後 昭男 ・ (東大院工) (正)杉山 正和 ・ (東大先端研) 中野 義昭
MOVPE
selective-area
InAs/Si
S-8807
講演プログラム
化学工学会 第44回秋季大会
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Most recent update: 2012-08-20 15:02:17
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