講演 時刻 | 講演 番号 | 講演題目/発表者 | キーワード | 分類 番号 | 受理 番号 |
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シンポジウム <CVD・ドライプロセス -構造・機能制御の反応工学-> | |||||
(9:20~10:40) (座長 野田 優) | |||||
G302 | 超臨界流体を用いたナノインプリント用Niモールド作製プロセスの開発 | Supercritical Fluid Deposition Ni nano-imprint | S-8 | 498 | |
G303 | 超臨界二酸化炭素を用いたTiO2、Bi2O3薄膜成長の反応機構解析と複合膜化 | supercritical carbon dioxide thin film deposition | S-8 | 513 | |
G304 | 超臨界CO2を用いたTiO2薄膜製膜用前駆体の選択 | supercritical fluid deposition thin film titanium dioxide | S-8 | 289 | |
G305 | [招待講演]有機分子修飾酸化物ナノ結晶の合成,集積と機能化 | oxide nanocrystals surface modification synthesis, integration, and functionalization | S-8 | 283 | |
(10:40~12:00) (座長 杉山 正和) | |||||
G306 | 超臨界流体を用いたストロンチウムルテニウム酸化膜製膜メカニズム | Supercritical Fluid Deposition Strontium ruthenium oxide (SRO) Deposition Mechanism | S-8 | 277 | |
G307 | 非貴金属酸化物電極による強誘電体キャパシタの安定性評価 | ferroelectric material pulsed laser deposition conductive oxide | S-8 | 672 | |
G308 | アルコキシド原料を用いたリチウム酸化物薄膜の熱CVD | CVD Lithium tert-butoxide Lithium Oxide | S-8 | 825 | |
G309 | ULSI-Cu配線用Co(W)バリヤ膜形成CVD/ALDプロセスの最適設計 | CVD amidinate alloy | S-8 | 92 | |
(13:00~14:20) (座長 森 伸介) | |||||
G313 | [展望講演] 化学的剥離およびCVDによるグラフェンの成膜と太陽電池用透明導電膜への応用と展望 | Graphene Transparent Conductive Film CVD | S-8 | 989 | |
G315 | 金属フリーグラフェンの基板上直接形成と構造制御 | graphene patterned growth metal-free | S-8 | 210 | |
G316 | Cu-CVDプロセスの初期核発生・成長に対する下地材料の影響 | Cu-CVD Nucleation ULSI | S-8 | 759 | |
(14:20~15:40) (座長 河瀬 元明) | |||||
G317 | 低温でのカーボンナノチューブの稠密合成 | carbon nanotubes chemical vapor deposition low temperature growth | S-8 | 270 | |
G318 | [招待講演]ナノサイズ物質の気相堆積による表面形成 | nanomaterial gas phase deposition surface formation | S-8 | 288 | |
G319 | 基板上単層カーボンナノチューブ、ミリメータースケール成長の必要条件と構造制御 | single-walled carbon nanotube chemical vapor deposition rapid growth | S-8 | 553 | |
G320 | Catalyst control for millimeter-tall single-walled carbon nanotubes with improved quality and areal density | single walled carbon nanotubes chemical vapor deposition coarsening of catalyst | S-8 | 258 |