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化学工学会 第47回秋季大会

講演プログラム（会場・日程別）

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O 会場・第 2 日

最終更新日時：2015-08-26 10:00:42

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
部会シンポジウム SY-2. <プロセス安全管理の課題とアプローチ>
(9:20～10:40) (座長 武田 和宏)
9:20～ 9:40O202安全部会WGテーマとシンポジウム趣旨
(東工大) (正)渕野 哲郎
Process Safety Management
Lifecycle Safety
Research Theme
SY-291
9:40～ 10:00O203事故事例へのメトリクスの活用に向けて
(立命館大MOT) (正)青山 敦
Process Safety Management
Lagging Metrics
SY-2674
10:00～ 10:20O204設備保全WG報告書の概要
(東工大) (正)渕野 哲郎
Plant Maintenance
Business Process Model
Technology Requirement Specification
SY-292
10:20～ 10:40O205プロセス/プラント設計につながるプロセスケミストリー
(農工大) (正)北島 禎二
Process Chemistry
Process/Plant Design Engineering
Business Process Model
SY-2423
(10:40～12:00) (座長 青山 敦)
10:40～ 11:00O206プロセス安全情報の活用
(安衛研) (正)島田 行恭
Process Safety Information
Process Safety Management
Plant Lifecycle
SY-2196
11:00～ 11:20O207事故解析ガイドライン作成WGの計画
(東工大) (正)渕野 哲郎
Incident Investigation
Process Hazard Analysis
Lifecycle Engineering
SY-2183
11:20～ 11:40O208化学産業事故調査報告書における安全文化
(慶應SDM) (正)宇野 研一
Safety Culture
Chemical Industry
Accident
SY-2314
11:40～ 12:00O209行動特性の把握で事故防止
(旭硝子) (法)南川 忠男
Process Safety
SY-245
部会シンポジウム SY-9. <CVD・ドライプロセス　－構造・機能制御の反応工学－>
(13:00～14:00) (座長 玉置 直樹)
13:00～ 13:40O213[展望講演] 3Dメモリ時代のプロセス技術展望
(東芝) 服部 圭
semiconductor fabrication
process technology
3D memory
SY-9129
13:40～ 14:00O215超臨界溶体の温度勾配を利用したアントラセン製膜における過飽和度および濃度の影響
(東大院工) (学)○豊倉 祥太・ (正)下山 裕介・ (正)霜垣 幸浩・ (正)百瀬 健
Supercritical CO2
anthracene
crystallization
SY-9156
(14:00～15:00) (座長 河瀬 元明)
14:00～ 14:20O216コンフォーマルな超臨界流体堆積におけるCO2圧力の影響
(東大院工) (学)○チョウ ユウ・ (正)百瀬 健・ (正)下山 裕介・ (正)霜垣 幸浩
supercritical fluid deposition
pressure
kinetics
SY-9543
14:20～ 14:40O217超臨界溶体急速膨張法によるTIPSペンタセン薄膜創製と有機薄膜トランジスタの特性評価
(信州大院理工) (学)○夏目 実佳・ (学)高橋 佑汰・ (信州大院総工) (学)藤井 竜也・ (信州大工) (正)内田 博久
Supercritical carbon dioxide
TIPS-pentacene thin films
Organic thin film transistor (OTFT)
SY-9668
14:40～ 15:00O218超臨界二酸化炭素を用いた酸化鉄薄膜の作成
(阪府大院) (学)○角 嘉人・ (阪府大) (学)刀禰 正利・ (阪府大院) (正)岡本 尚樹・ (正)齊藤 丈靖・ (正)近藤 和夫・ (東北大多元研) (正)高見 誠一
supercritical CO2
FeRAM
iron oxide
SY-9758
(15:00～16:00) (座長 下山 裕介)
15:00～ 15:20O219[招待講演] 高圧CO2添加による粘度低下を利用した高圧噴霧成膜技術
(産総研・化学プロセス研究部門) ○川﨑 慎一朗・ (東北大) 鈴木 明
high pressure carbon dioxide
spray deposition
viscosity
SY-9131
15:20～ 15:40O220超臨界流体を用いたTiO2ナノ細孔へのCuInS2埋め込み成膜
(東北大多元研) (学)○安井 容二・ (学)中安 祐太・ (東大工) (正)百瀬 健・ (東北大多元研) (正)笘居 高明・ (正)本間 格
supercritical fluid deposition
nanostructure
compound semiconductor
SY-9442
15:40～ 16:00O221プラズマCVD法を用いたシリカ系ガスバリア膜の作製とガス透過速度の測定
(京大工) (学·技基)○大津 啓幸・ (学)竹田 依加・ (正)河瀬 元明
plasma CVD
silica-based film
gas barrier
SY-9757
(16:00～17:00) (座長 羽深 等)
16:00～ 16:20O222プラズマCVD法で作製したシリカ膜の化学構造と膜特性
(京大工) (学)○竹田 依加・ (学)出口 利樹・ (学·技基)大津 啓幸・ (正)河瀬 元明
plasma CVD
chemical structure
film properties
SY-9815
16:20～ 16:40O223異なる炭素源を用いたプラズマCVDによるカーボンナノウォールの合成とその特性評価
(東工大院理工) (学)○新川 大樹・ (正)森 伸介
carbon nanowall
carbon monoxide
SY-9897
16:40～ 17:00O224グラフェンの実用的CVD合成:供給変調による合成時間短縮と大粒径・高被覆率化
(早大院先進理工) (学)○大川 朝陽・ (正)長谷川 馨・ (正)野田 優
Graphene
Chemical vapor deposition
Nucleation and growth
SY-9605
講演発表プログラム
化学工学会 第47回秋季大会
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Most recent update: 2015-08-26 10:00:42
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