化学工学会第47回秋季大会: 講演プログラム（会場・日程別）

講演プログラム（会場・日程別）

O 会場・第 3 日

最終更新日時：2015-08-26 10:00:42

講演時刻	講演番号	講演題目／発表者	キーワード	分類番号	受理番号
部会シンポジウム SY-9. <CVD・ドライプロセス　－構造・機能制御の反応工学－>
(9:00～10:00) (座長池田圭)
9:00～ 9:20	O301	微細トレンチにおける製膜物質の反応性解析手法の改良 (東大院工) (学)○舩門佑一・ (学)嶋紘平・ (学)佐藤登・杉浦秀俊・ (学)中原拓也・ (IHI基盤研) (正)福島康之・ (東大院工) (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	reactivity analysis fine trench Chemical Vapor Deposition	SY-9	861
9:20～ 9:40	O302	超高アスペクト比ミクロキャビティを用いたSiC-CVI法のモデリング (東大院工) (学)○嶋紘平・ (学)佐藤登・ (学)舩門佑一・杉浦秀俊・ (学)中原拓也・ (IHI基盤研) (正)福島康之・ (東大院工) (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	CVD SiC methyltrichlorosilane	SY-9	747
9:40～ 10:00	O303	原料炭化水素種と基板金属種が熱分解炭素の CVD 速度に与える影響 (京大工) (学·技基)○馬場翔平・ (学)岩井豊彦・ (学)長田翔・ (正)河瀬元明	CVD Pyrolysis Carbon	SY-9	278
(10:00～11:00) (座長森伸介)
10:00～ 10:20	O304	導入ガスを切り替えるCVDプロセスの非定常ガス流れシミュレーション (アテナシス) (正)池田圭	CVD ALD simulation	SY-9	608
10:20～ 10:40	O305	SiHCl₃によるシリコン成膜時の副生成物形成機構 (横国大院工) 桜井あゆみ・齋藤あゆ美・ (正)○羽深等	Silicon epitaxial growth trichlorosilane by-products	SY-9	11
10:40～ 11:00	O306	塩素-ケイ素含化合物を用いたCVDでの下流堆積物生成反応モデルの構築 (東大院工) (学)○佐藤登・ (学)嶋紘平・ (学)舩門佑一・杉浦秀俊・ (学)中原拓也・ (IHI基盤研) (正)福島康之・ (東大院工) (正)百瀬健・ (学位授与機構) 越光男・ (東大院工) (正)霜垣幸浩	silicon-chlorine compounds by-products elementary reaction simulation	SY-9	840
(11:00～12:00) (座長霜垣幸浩)
11:00～ 11:20	O307	有機半導体材料昇華精製プロセスの解析 (東大院工) (学)○岩男拓哉・ (正)山口由岐夫・ (東大環安セ/東大院工) (正)辻佳子	sublimation purification organic semiconductors	SY-9	468
11:20～ 11:40	O308	気相法によるAg-TiO₂ナノ粒子混合堆積膜の作製 (広大院工) (学·技基)○増田英高・田井悠介・ (正)久保優・ (正)島田学	PECVD Nanoparticle synthesis PVD	SY-9	273
11:40～ 12:00	O309	[招待講演] 半導体プロセス用有機金属原料の設計、合成およびALDへの適用 (エア・リキード) Dussarrat Christian	atomic layer deposition conformal growth reaction mechanism	SY-9	132
(13:00～14:00) (座長野田優)
13:00～ 13:40	O313	[展望講演] 化合物半導体ナノワイヤのヘテロエピタキシャル成長と展望 (北大量子集積エレクトロニクス研究セ) ○冨岡克広・本久順一・福井孝志	compound semiconductor nanowire heteroepitaxial growth	SY-9	128
13:40～ 14:00	O315	熱CVD 法で作製した酸化亜鉛薄膜の特性 (東海大院工) (学)○黒田晋吾・ (東海大工) 久保史香・横山優貴・渡邉雅俊・ (東海大院工) 大久保達生・ (正)秋山泰伸	CVD Zinc oxide transparent conductive film	SY-9	767
(14:00～15:00) (座長秋山泰伸)
14:00～ 14:20	O316	異なる酸素圧力で作製した導電性酸化物電極を有する強誘電体キャパシタの電気特性 (阪府大院工) (学)○高田瑶子・ (学)天野泰河・ (正)岡本尚樹・ (正)齊藤丈靖・ (正)近藤和夫・吉村武・藤村紀文・ (阪大産研) 樋口宏二・北島彰	Ferroelectric capacitor pulsed laser deposition oxygen pressure	SY-9	645
14:20～ 14:40	O317	p型ダイヤモンド上にEB蒸着法で形成したTi化合物/Pt/Au電極のTLM評価 (阪府大院工) (学)○鈴木聡一郎・ (正)岡本尚樹・ (正)齊藤丈靖・ (正)近藤和夫・ (産総研) 松本翼・牧野俊晴・小倉政彦・加藤宙光・竹内大輔・山崎聡・大串秀世	diamond contact resistance electron beam evaporated	SY-9	787
14:40～ 15:00	O318	[招待講演] 窒化物薄膜の微細構造制御とラジカルを用いた低温での成膜方法 (北見工大) ○武山真弓・佐藤勝・野矢厚	nitride thin film sputtering radical nitridization	SY-9	130
(15:00～15:40) (座長齊藤丈靖)
15:00～ 15:20	O319	急速蒸着とその場溶融結晶化による大粒径結晶Si薄膜作製法の開発 (早大先進理工) (学)○山崎悠平・ (正)長谷川馨・ (正)大沢利男・ (正)野田優	crystalline silicon thin films vapor deposition liquid phase crystallization	SY-9	643
15:20～ 15:40	O320	CVDによるα-Al₂O₃薄膜の配向性制御 (東大工) (学)○西澤慧・ (東大院工) (正)百瀬健・ (京セラ) 谷渕栄仁・ (東大院工) (正)霜垣幸浩	CVD Al2O3 crystal-orientation	SY-9	827

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時刻

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番号

講演題目／発表者

キーワード

分類
番号

受理
番号

部会シンポジウム SY-9. <CVD・ドライプロセス　－構造・機能制御の反応工学－>

(9:00～10:00) (座長池田圭)

9:00～ 9:20

O301

微細トレンチにおける製膜物質の反応性解析手法の改良

(東大院工) (学)○舩門佑一・ (学)嶋紘平・ (学)佐藤登・杉浦秀俊・ (学)中原拓也・ (IHI基盤研) (正)福島康之・ (東大院工) (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩

reactivity analysis
fine trench
Chemical Vapor Deposition

SY-9

861

9:20～ 9:40

O302

超高アスペクト比ミクロキャビティを用いたSiC-CVI法のモデリング

(東大院工) (学)○嶋紘平・ (学)佐藤登・ (学)舩門佑一・杉浦秀俊・ (学)中原拓也・ (IHI基盤研) (正)福島康之・ (東大院工) (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩

CVD
SiC
methyltrichlorosilane

SY-9

747

9:40～ 10:00

O303

原料炭化水素種と基板金属種が熱分解炭素の CVD 速度に与える影響

(京大工) (学·技基)○馬場翔平・ (学)岩井豊彦・ (学)長田翔・ (正)河瀬元明

CVD
Pyrolysis
Carbon

SY-9

278

(10:00～11:00) (座長森伸介)

10:00～ 10:20

O304

導入ガスを切り替えるCVDプロセスの非定常ガス流れシミュレーション

(アテナシス) (正)池田圭

CVD
ALD
simulation

SY-9

608

10:20～ 10:40

O305

SiHCl₃によるシリコン成膜時の副生成物形成機構

(横国大院工) 桜井あゆみ・齋藤あゆ美・ (正)○羽深等

Silicon epitaxial growth
trichlorosilane
by-products

SY-9

10:40～ 11:00

O306

塩素-ケイ素含化合物を用いたCVDでの下流堆積物生成反応モデルの構築

(東大院工) (学)○佐藤登・ (学)嶋紘平・ (学)舩門佑一・杉浦秀俊・ (学)中原拓也・ (IHI基盤研) (正)福島康之・ (東大院工) (正)百瀬健・ (学位授与機構) 越光男・ (東大院工) (正)霜垣幸浩

silicon-chlorine compounds
by-products
elementary reaction simulation

SY-9

840

(11:00～12:00) (座長霜垣幸浩)

11:00～ 11:20

O307

有機半導体材料昇華精製プロセスの解析

(東大院工) (学)○岩男拓哉・ (正)山口由岐夫・ (東大環安セ/東大院工) (正)辻佳子

sublimation
purification
organic semiconductors

SY-9

468

11:20～ 11:40

O308

気相法によるAg-TiO₂ナノ粒子混合堆積膜の作製

(広大院工) (学·技基)○増田英高・田井悠介・ (正)久保優・ (正)島田学

PECVD
Nanoparticle synthesis
PVD

SY-9

273

11:40～ 12:00

O309

[招待講演] 半導体プロセス用有機金属原料の設計、合成およびALDへの適用

(エア・リキード) Dussarrat Christian

atomic layer deposition
conformal growth
reaction mechanism

SY-9

132

(13:00～14:00) (座長野田優)

13:00～ 13:40

O313

[展望講演] 化合物半導体ナノワイヤのヘテロエピタキシャル成長と展望

(北大量子集積エレクトロニクス研究セ) ○冨岡克広・本久順一・福井孝志

compound semiconductor
nanowire
heteroepitaxial growth

SY-9

128

13:40～ 14:00

O315

熱CVD 法で作製した酸化亜鉛薄膜の特性

(東海大院工) (学)○黒田晋吾・ (東海大工) 久保史香・横山優貴・渡邉雅俊・ (東海大院工) 大久保達生・ (正)秋山泰伸

CVD
Zinc oxide
transparent conductive film

SY-9

767

(14:00～15:00) (座長秋山泰伸)

14:00～ 14:20

O316

異なる酸素圧力で作製した導電性酸化物電極を有する強誘電体キャパシタの電気特性

(阪府大院工) (学)○高田瑶子・ (学)天野泰河・ (正)岡本尚樹・ (正)齊藤丈靖・ (正)近藤和夫・吉村武・藤村紀文・ (阪大産研) 樋口宏二・北島彰

Ferroelectric capacitor
pulsed laser deposition
oxygen pressure

SY-9

645

14:20～ 14:40

O317

p型ダイヤモンド上にEB蒸着法で形成したTi化合物/Pt/Au電極のTLM評価

(阪府大院工) (学)○鈴木聡一郎・ (正)岡本尚樹・ (正)齊藤丈靖・ (正)近藤和夫・ (産総研) 松本翼・牧野俊晴・小倉政彦・加藤宙光・竹内大輔・山崎聡・大串秀世

diamond
contact resistance
electron beam evaporated

SY-9

787

14:40～ 15:00

O318

[招待講演] 窒化物薄膜の微細構造制御とラジカルを用いた低温での成膜方法

(北見工大) ○武山真弓・佐藤勝・野矢厚

nitride thin film
sputtering
radical nitridization

SY-9

130

(15:00～15:40) (座長齊藤丈靖)

15:00～ 15:20

O319

急速蒸着とその場溶融結晶化による大粒径結晶Si薄膜作製法の開発

(早大先進理工) (学)○山崎悠平・ (正)長谷川馨・ (正)大沢利男・ (正)野田優

crystalline silicon thin films
vapor deposition
liquid phase crystallization

SY-9

643

15:20～ 15:40

O320

CVDによるα-Al₂O₃薄膜の配向性制御

(東大工) (学)○西澤慧・ (東大院工) (正)百瀬健・ (京セラ) 谷渕栄仁・ (東大院工) (正)霜垣幸浩

CVD
Al2O3
crystal-orientation

SY-9

827

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