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化学工学会 第51回秋季大会 (2020)
講演プログラム検索結果 : 百瀬 健 : 8件
全てのセッションはオンライン学会会場で実施されます。
(9/10) 講演要旨を公開しました(参加登録者、ご招待者限定)。講演番号をクリックしてください。
(ID/PWは事前参加登録者には9/10に,当日参加登録者には9/23に(オンライン学会会場のID/PWと併せて)お知らせしました。)
(8/8) SY-69のフラッシュ発表は中止となりました。
(8/24,8/27) SY-74のX306,X307、HQ-11のD301の時間が変わりました。
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(ID/PWは事前参加登録者には9/10に,当日参加登録者には9/23に(オンライン学会会場のID/PWと併せて)お知らせしました。)
(8/8) SY-69のフラッシュ発表は中止となりました。
(8/24,8/27) SY-74のX306,X307、HQ-11のD301の時間が変わりました。
発表者または座長 が『百瀬 健』と一致する講演：8件該当しました。
検索結果は開始時刻順に並んでいます。また、フラッシュ付きポスターの場合、フラッシュとポスターの２件となります。
| 講演 時刻 | 講演 番号 | 講演題目／発表者 | キーワード | 分類 番号 | 受理 番号 |
|---|---|---|---|---|---|
| 第 1 日 | X117 | Effect of supercritical CO2 drying condition on properties of porous carbon nanofiber electrode and Li-O2 battery performance. | Supercritical CO2 drying Carbon nanofiber electrode Li-O2 battery | SY-74 | 273 |
| 第 2 日 | K214 | MTS/H2を原料としたSiC-CVDプロセスにおけるSiCl4添加効果の検討 | CVD SiC Recycle | ST-22 | 556 |
| 第 2 日 | K215 | テトラメチルシランを用いた塩素フリーな化学気相含浸法によるSiCf/SiCの製造 | SiC chemical vapor infiltration tetramethylsilane | ST-22 | 822 |
| 第 2 日 | K217 | TiAlN-CVDプロセスの反応モデル構築に向けた速度過程解析(2) | CVD TiAlN cutting tool | ST-22 | 153 |
| 第 3 日 | K306 | 多結晶SiC-CVDの高速・均一化に向けた反応機構解析 | Reaction model SiC CVD | ST-22 | 499 |
| 第 3 日 | K307 | Time-evolution of film thickness profiles by level set method during CVD multiscale simulation | multiscale simulation chemical vapor deposition level set method | ST-22 | 504 |
| 第 3 日 | K315 | SiC-CVIプロセスにおける表面反応のモデル化に向けた反応過程の理論検討 | CH3SiCl3 SiC CVI surface reaction | ST-22 | 665 |
| 第 3 日 | K316 | SiC-CVIプロセスにおける理論的検討に基づいた表面反応モデルの構築 | SiC-CVI Surface reaction mechanism CH3SiCl3 | ST-22 | 682 |
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化学工学会 第51回秋季大会 (2020)
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