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化学工学会 第51回秋季大会 (2020)

Last modified: 2023-05-16 19:47:30

講演プログラム（セッション別） : ST-22

全てのセッションはオンライン学会会場で実施されます。
(9/10) 講演要旨を公開しました(参加登録者、ご招待者限定)。講演番号をクリックしてください。
(ID/PWは事前参加登録者には9/10に,当日参加登録者には9/23に(オンライン学会会場のID/PWと併せて)お知らせしました。)
(8/8) SY-69のフラッシュ発表は中止となりました。
(8/24,8/27) SY-74のX306,X307、HQ-11のD301の時間が変わりました。

ST-22 [部会横断型シンポジウム]
CVD・ドライプロセス －構造・機能制御の反応工学－

オーガナイザー：島田　学（広島大学）・羽深　等（横浜国立大学）・西田　哲（岐阜大学）・杉目 恒志（早稲田大学）

CVD等のドライプロセスはエレクトロニクス，太陽電池，MEMS，機能性コーティング等の分野において重要な基幹技術となっている。本シンポジウムでは，CVDとその他のドライプロセスを利用した薄膜形成，微粒子合成，微細加工において反応工学的見地より反応メカニズムを理解し，論理的で効率的な反応プロセスや反応装置の開発を目指し議論することを目的とします。なお，優秀な発表をされた若手研究者には，CVD反応分科会奨励賞を贈呈します．

K 会場 ・ 第 2 日 | K 会場 ・ 第 3 日

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
K 会場() ・ 第 2 日(9月25日(金))
(9:20～10:20) (座長 森 伸介)
9:20～ 9:40K202固体原料併用PECVD法における分散媒が合成された複合薄膜に及ぼす影響
(広大院先進理工) ○(正)島田 学・ (広大院工) (技基)高橋 一真・ (広大院先進理工) (正)久保 優
titanium dioxide
carbon nanotube
photocatalyst
ST-22213
9:40～ 10:00K203直接噴霧型管状火炎を用いたナノ構造化微粒子の合成
(広大先進理工) ○(学)平野 知之・ (正·修習)荻 崇
Nanostructured particle
Flame spray pyrolysis
Tubular flame
ST-2255
10:00～ 10:20K204管状火炎を用いた金属微粒子合成
(広大工) ○(学)吉川 潤・ (学)平野 知之・ (正·修習)荻 崇
Metal particles
Flame spray pyrolysis
Tubular flame
ST-22174
10:20～ 10:40休憩
(10:40～12:00) (座長 島田 学)
10:40～ 11:00K206ペロブスカイト薄膜の中心金属種が構造に与える影響
(京大工) ○(学·技基)松田 萌・ (学)村上 誉紀・ (学)松村 南月・ (正)河瀬 元明
CVD
perovskite
central metals
ST-22414
11:00～ 11:20K207火炎噴霧熱分解法によるNi担持CeO2のNi微粒化と高担持量化
(山形大院理工) (正)藤原 翔
Ni
CeO2
Flame spray pyrolysis
ST-22686
11:20～ 12:00K208[展望講演] プラズマ成膜技術の将来展望
(東北大NICHe) 後藤 哲也
plasma enhanced deposition
plasma equipment design
reactive species control
ST-22110
(13:00～14:20) (座長 西田 哲)
13:00～ 13:20K213[招待講演] 高品質GaN基板を実現するHVPE成長新技術;マスクレス3D法
(サイオクス) 吉田 丈洋
GaN substrate,
HVPE
low dislocation density
ST-22112
13:20～ 13:40K214MTS/H2を原料としたSiC-CVDプロセスにおけるSiCl4添加効果の検討
(東大院工) ○(学)大高 雄平・ (学)安治 遼祐・ (学)佐藤 登・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
CVD
SiC
Recycle
ST-22556
13:40～ 14:00K215テトラメチルシランを用いた塩素フリーな化学気相含浸法によるSiCf/SiCの製造
(東大院工) ○(学)安治 遼祐・ (学)大高 雄平・ (学)佐藤 登・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
SiC
chemical vapor infiltration
tetramethylsilane
ST-22822
14:00～ 14:20K216二酸化炭素を用いた超臨界溶体急速膨張(RESS)法による有機薄膜創製と薄膜特性評価
(金沢大院自然) ○(学)坂本 有衣・ 小林 貴紀・ 清澤 匠・ (学)釜田 若奈・ (金沢大理工) (正)内田 博久
RESS
Organic thin films
Supercritical CO2
ST-22781
(14:20～15:20) (座長 川上 雅人)
14:20～ 14:40K217TiAlN-CVDプロセスの反応モデル構築に向けた速度過程解析(2)
(東大院工) ○(学)山口 潤・ 平原 智子・ (京セラ) (法)久保 隼人・ (東大院工) (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (京セラ) (法)谷渕 栄仁・ (東大院工) (正)霜垣 幸浩
CVD
TiAlN
cutting tool
ST-22153
14:40～ 15:00K218ミストCVD法によるAlOx薄膜の作製とFETゲート絶縁膜への応用
(埼玉大院理工) ○(学)Arifuzzaman Rajib・ 志田 知洋・ Abdul Kuddus・ 上野 啓司・ 白井 肇
mist-CVD
AlOx
ST-22306
15:00～ 15:20K219超音波霧化法によるSiO2, Al2O3絶縁薄膜の作製
(東大院工) ○(学)木下 清佳・ (東大環安研セ) (正)坂井 延寿・ (東大環安セ/東大院工) (正)辻 佳子
insulator
thin-film-transistor
mist chemical vapor deposition
ST-22135
K 会場() ・ 第 3 日(9月26日(土))
(9:00～10:20) (座長 野田 優・羽深 等)
9:00～ 9:20K301アセチレンの高温熱分解によるナノ粒子・ナノチューブ炭素複合体の連続合成
(早大先進理工) ○(学)浦田 結文・ 大田原 綾哉・ (正)大沢 利男・ (正)杉目 恒志・ (デンカ) 名古 裕輝・ 岡田 拓也・ (早大先進理工) (正)野田 優
Carbon nanoparticle
Carbon nanotube
CVD
ST-22175
9:20～ 9:40K302X線管用カーボンナノチューブ電界放出電子源の作製と階層構造制御
(早大先進理工) ○(学)安井 浩太郎・ 北川 紗映・ (正)杉目 恒志・ (明電舎) 越智 隼人・ 高橋 大造・ (早大先進理工) (正)野田 優
carbon nanotube
electron field emitter
hierarchical structure control
ST-22230
9:40～ 10:00K303浮遊PECVD法によるカーボンナノチューブのZnOコーティング
(広大院先進理工) ○(学)吉武 春樹・ (広大院工) (学)Hemanth Lakshmipura R.・ (広大院先進理工) (正)久保 優・ (正)島田 学
plasma-enhanced chemical vapor deposition
nanocoating
aerosol
ST-22310
10:00～ 10:20K304シリコンミニマルCVD装置内ガス移動の水晶振動子による観察
(横国大院) 大谷 真奈・ ○(正)羽深 等・ (ミニマルファブ) 池田 伸一・ 石田 夕起・ 原 史朗
CVD
QCM
Minimal
ST-2262
10:20～ 10:40休憩
(10:40～12:00) (座長 羽深 等)
10:40～ 11:00K306多結晶SiC-CVDの高速・均一化に向けた反応機構解析
(東大院工) ○(学)奥 友則・ (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
Reaction model
SiC
CVD
ST-22499
11:00～ 11:20K307Time-evolution of film thickness profiles by level set method during CVD multiscale simulation
(東大院工) ○(学)Zhang Jin・ (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
multiscale simulation
chemical vapor deposition
level set method
ST-22504
11:20～ 12:00K308[展望講演] 原子層堆積法の諸課題とセミバッチ法の展開・展望
(東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ) ○加藤 寿・ 瀬下 裕志
ALD
Equipment
Semi-Batch
ST-22111
(13:00～14:20) (座長 杉目 恒志)
13:00～ 13:20K313[招待講演] プラズマ化学気相成長法によるケイ素および窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン薄膜の特性評価
(弘前大院理工) 中澤 日出樹
diamond-like carbon
plasma-enhanced chemical vapor deposition
silicon
ST-22248
13:20～ 13:40K314プラズマCVD法で作製したシリカ系ガスバリア膜の残留応力
(京大工) ○(正)河瀬 元明・ (学)平田 桑一朗・ (学)脇坂 知樹
CVD
Residual stress
Silica gas barrier film
ST-2213
13:40～ 14:00K315SiC-CVIプロセスにおける表面反応のモデル化に向けた反応過程の理論検討
(東大院工) ○(学)佐藤 登・ (学)大高 雄平・ (学)安治 遼祐・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
CH3SiCl3
SiC CVI
surface reaction
ST-22665
14:00～ 14:20K316SiC-CVIプロセスにおける理論的検討に基づいた表面反応モデルの構築
(東大院工) ○(学)佐藤 登・ (学)根東 佳史・ (学)大高 雄平・ (学)安治 遼祐・ (正)福島 康之・ (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
SiC-CVI
Surface reaction mechanism
CH3SiCl3
ST-22682

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