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化学工学会 第51回秋季大会 (2020)

講演プログラム検索結果 : 羽深 等 : 6件

全てのセッションはオンライン学会会場で実施されます。
(9/10) 講演要旨を公開しました(参加登録者、ご招待者限定)。講演番号をクリックしてください。
(ID/PWは事前参加登録者には9/10に,当日参加登録者には9/23に(オンライン学会会場のID/PWと併せて)お知らせしました。)
(8/8) SY-69のフラッシュ発表は中止となりました。
(8/24,8/27) SY-74のX306,X307、HQ-11のD301の時間が変わりました。

発表者または座長 が『羽深 等』と一致する講演:2件該当しました。
司会・座長氏名 が『羽深 等』と一致するセッション:4件該当しました。
検索結果は開始時刻順に並んでいます。また、フラッシュ付きポスターの場合、フラッシュとポスターの2件となります。

講演
時刻
講演
番号
講演題目/発表者キーワード分類
番号
受理
番号
第 1 日
9:0010:20
   座長 羽深 等
B101Mg二次電池用負極としてのビスマス薄膜電析
Mg secondary ion battery
bismuth
electrodeposition
SY-77888
B102多層カーボンナノチューブ硫黄電極に用いたアルミニウム-硫黄二次電池放充電特性
Alminum Secondary Battery
Sulfur Electrode
Multi-Walled Carbon Nanotubes
SY-77817
B103疎水性TFSA系室温イオン液体を用いるアルミニウム電析
electrochemical deposition
room-temperature ionic liquid
aluminum
SY-77836
B104酸化グラフェンナノリボン負極に用いたリチウムイオン二次電池電気化学的特性
Lithium-Ion Batteries
Graphene Oxide Nanoribbons
Negative Electrode
SY-77821
第 1 日
11:0011:20
B107フッ化塩素ガスによる 4H-SiC ウエハエッチング速度分布調整方法
SiC
ClF3
Etching
SY-7763
第 1 日
15:0015:40
   司会 羽深 等
B119[招待講演] フレキシブルハイブリッドエレクトロニクス基盤技術応用展開
JISSO
Tohoku
Smart electronics
SP-1867
第 3 日
9:0010:20
   座長 野田 優羽深 等
K301アセチレン高温熱分解によるナノ粒子ナノチューブ炭素複合体連続合成
Carbon nanoparticle
Carbon nanotube
CVD
ST-22175
K302X線管用カーボンナノチューブ電界放出電子源作製階層構造制御
carbon nanotube
electron field emitter
hierarchical structure control
ST-22230
K303浮遊PECVD法によるカーボンナノチューブのZnOコーティング
plasma-enhanced chemical vapor deposition
nanocoating
aerosol
ST-22310
K304シリコンミニマルCVD装置内ガス移動水晶振動子による観察
CVD
QCM
Minimal
ST-2262
第 3 日
10:0010:20
K304シリコンミニマルCVD装置内ガス移動水晶振動子による観察
CVD
QCM
Minimal
ST-2262
第 3 日
10:4012:00
   座長 羽深 等
K306多結晶SiC-CVDの高速均一化に向けた反応機構解析
(東大院工) ○(学)奥 友則(正)出浦 桃子(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
Reaction model
SiC
CVD
ST-22499
K307Time-evolution of film thickness profiles by level set method during CVD multiscale simulation
(東大院工) ○(学)Zhang Jin(正)出浦 桃子(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
multiscale simulation
chemical vapor deposition
level set method
ST-22504
K308[展望講演] 原子層堆積法諸課題セミバッチ法の展開展望
ALD
Equipment
Semi-Batch
ST-22111
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