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化学工学会 第51回秋季大会 (2020)

講演プログラム検索結果 : IHI : 3件

全てのセッションはオンライン学会会場で実施されます。
(9/10) 講演要旨を公開しました(参加登録者、ご招待者限定)。講演番号をクリックしてください。
(ID/PWは事前参加登録者には9/10に,当日参加登録者には9/23に(オンライン学会会場のID/PWと併せて)お知らせしました。)
(8/8) SY-69のフラッシュ発表は中止となりました。
(8/24,8/27) SY-74のX306,X307、HQ-11のD301の時間が変わりました。

所属 が『IHI』から始まる講演：3件該当しました。
検索結果は開始時刻順に並んでいます。また、フラッシュ付きポスターの場合、フラッシュとポスターの２件となります。

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
第 2 日
13:20～ 13:40		K214MTS/H2を原料としたSiC-CVDプロセスにおけるSiCl4添加効果の検討
(東大院工) ○(学)大高 雄平・ (学)安治 遼祐・ (学)佐藤 登・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
CVD
SiC
Recycle
ST-22556
第 2 日
13:40～ 14:00		K215テトラメチルシランを用いた塩素フリーな化学気相含浸法によるSiCf/SiCの製造
(東大院工) ○(学)安治 遼祐・ (学)大高 雄平・ (学)佐藤 登・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
SiC
chemical vapor infiltration
tetramethylsilane
ST-22822
第 3 日
13:40～ 14:00		K315SiC-CVIプロセスにおける表面反応のモデル化に向けた反応過程の理論検討
(東大院工) ○(学)佐藤 登・ (学)大高 雄平・ (学)安治 遼祐・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
CH3SiCl3
SiC CVI
surface reaction
ST-22665

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化学工学会 第51回秋季大会 (2020)

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