
発表者または座長 が『杉目 恒志』と一致する講演:3件該当しました。
司会・座長氏名 が『杉目 恒志』と一致するセッション:1件該当しました。
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| 講演 時刻 | 講演 番号 | 講演題目/発表者 | キーワード | 分類 番号 | 受理 番号 |
|---|---|---|---|---|---|
| 第 2 日 | PA209 | 流動層による金属硝酸塩ミストからの触媒担持と長尺カーボンナノチューブの流動層合成 | Carbon nanotube Fluidized bed Chemical vapor deposion | SY-79 | 234 |
| 第 3 日 | K301 | アセチレンの高温熱分解によるナノ粒子・ナノチューブ炭素複合体の連続合成 | Carbon nanoparticle Carbon nanotube CVD | ST-22 | 175 |
| 第 3 日 | K302 | X線管用カーボンナノチューブ電界放出電子源の作製と階層構造制御 | carbon nanotube electron field emitter hierarchical structure control | ST-22 | 230 |
| 第 3 日 | 座長 | ||||
| K313 | [招待講演] プラズマ化学気相成長法によるケイ素および窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン薄膜の特性評価 | diamond-like carbon plasma-enhanced chemical vapor deposition silicon | ST-22 | 248 | |
| K314 | プラズマCVD法で作製したシリカ系ガスバリア膜の残留応力 | CVD Residual stress Silica gas barrier film | ST-22 | 13 | |
| K315 | SiC-CVIプロセスにおける表面反応のモデル化に向けた反応過程の理論検討 | CH3SiCl3 SiC CVI surface reaction | ST-22 | 665 | |
| K316 | SiC-CVIプロセスにおける理論的検討に基づいた表面反応モデルの構築 | SiC-CVI Surface reaction mechanism CH3SiCl3 | ST-22 | 682 | |
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化学工学会 第51回秋季大会 (2020)
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