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化学工学会 第51回秋季大会 (2020)

講演プログラム検索結果 : Habuka Hitoshi : 6件

全てのセッションはオンライン学会会場で実施されます。
(9/10) 講演要旨を公開しました(参加登録者、ご招待者限定)。講演番号をクリックしてください。
(ID/PWは事前参加登録者には9/10に,当日参加登録者には9/23に(オンライン学会会場のID/PWと併せて)お知らせしました。)
(8/8) SY-69のフラッシュ発表は中止となりました。
(8/24,8/27) SY-74のX306,X307、HQ-11のD301の時間が変わりました。

ローマ字氏名 が『Habuka Hitoshi』と一致する講演：2件該当しました。
司会・座長氏名 が『Habuka Hitoshi』と一致するセッション：4件該当しました。
検索結果は開始時刻順に並んでいます。また、フラッシュ付きポスターの場合、フラッシュとポスターの２件となります。

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
第 1 日
9:00～ 10:20		   座長 羽深 等
B101Mg二次電池用負極としてのビスマス薄膜の電析
(阪府大) ○(学)成本 夏輝・ (正)岡本 尚樹・ (正)齊藤 丈靖
Mg secondary ion battery
bismuth
electrodeposition
SY-77888
B102多層カーボンナノチューブを硫黄電極に用いたアルミニウム-硫黄二次電池の放充電特性
(岩手大院理工) 宇井 幸一・ ○岩渕 泰成・ 藤島 凌・ Rahman Md. Mijanur・ 竹口 竜弥・ (阪大院工) 上村 祐也・ 津田 哲哉
Alminum Secondary Battery
Sulfur Electrode
Multi-Walled Carbon Nanotubes
SY-77817
B103疎水性TFSA系室温イオン液体を用いるアルミニウム電析
(岩手大院理工) 宇井 幸一・ ○河野 充・ ラフマン エムディ ミジャヌル・ 竹口 竜弥・ (阪大院工) 津田 哲哉
electrochemical deposition
room-temperature ionic liquid
aluminum
SY-77836
B104酸化グラフェンナノリボンを負極に用いたリチウムイオン二次電池の電気化学的特性
(岩手大院理工) 宇井 幸一・ ○川端 佳人・ エムディ ミジャヌル ラフマン・ 竹口 竜弥・ (長庚大) 孫 嘉良
Lithium-Ion Batteries
Graphene Oxide Nanoribbons
Negative Electrode
SY-77821
第 1 日
11:00～ 11:20		B107三フッ化塩素ガスによる 4H-SiC ウエハエッチング速度と分布の調整方法
(横国大院) 入倉 健太・ 林 優也・ ○(正)羽深 等・ (関東電化工業) (法)高橋 至直・ (産総研) 加藤 智久
SiC
ClF3
Etching
SY-7763
第 1 日
15:00～ 15:40		   司会 羽深 等
B119[招待講演] フレキシブルハイブリッドエレクトロニクスの基盤技術と応用展開
(山形大有機エレ研) ○時任 静士・ 西川 尚男・ 芝 健夫
JISSO
Tohoku
Smart electronics
SP-1867
第 3 日
9:00～ 10:20		   座長 野田 優・羽深 等
K301アセチレンの高温熱分解によるナノ粒子・ナノチューブ炭素複合体の連続合成
(早大先進理工) ○(学)浦田 結文・ 大田原 綾哉・ (正)大沢 利男・ (正)杉目 恒志・ (デンカ) 名古 裕輝・ 岡田 拓也・ (早大先進理工) (正)野田 優
Carbon nanoparticle
Carbon nanotube
CVD
ST-22175
K302X線管用カーボンナノチューブ電界放出電子源の作製と階層構造制御
(早大先進理工) ○(学)安井 浩太郎・ 北川 紗映・ (正)杉目 恒志・ (明電舎) 越智 隼人・ 高橋 大造・ (早大先進理工) (正)野田 優
carbon nanotube
electron field emitter
hierarchical structure control
ST-22230
K303浮遊PECVD法によるカーボンナノチューブのZnOコーティング
(広大院先進理工) ○(学)吉武 春樹・ (広大院工) (学)Hemanth Lakshmipura R.・ (広大院先進理工) (正)久保 優・ (正)島田 学
plasma-enhanced chemical vapor deposition
nanocoating
aerosol
ST-22310
K304シリコンミニマルCVD装置内ガス移動の水晶振動子による観察
(横国大院) 大谷 真奈・ ○(正)羽深 等・ (ミニマルファブ) 池田 伸一・ 石田 夕起・ 原 史朗
CVD
QCM
Minimal
ST-2262
第 3 日
10:00～ 10:20		K304シリコンミニマルCVD装置内ガス移動の水晶振動子による観察
(横国大院) 大谷 真奈・ ○(正)羽深 等・ (ミニマルファブ) 池田 伸一・ 石田 夕起・ 原 史朗
CVD
QCM
Minimal
ST-2262
第 3 日
10:40～ 12:00		   座長 羽深 等
K306多結晶SiC-CVDの高速・均一化に向けた反応機構解析
(東大院工) ○(学)奥 友則・ (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
Reaction model
SiC
CVD
ST-22499
K307Time-evolution of film thickness profiles by level set method during CVD multiscale simulation
(東大院工) ○(学)Zhang Jin・ (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
multiscale simulation
chemical vapor deposition
level set method
ST-22504
K308[展望講演] 原子層堆積法の諸課題とセミバッチ法の展開・展望
(東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ) ○加藤 寿・ 瀬下 裕志
ALD
Equipment
Semi-Batch
ST-22111

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化学工学会 第51回秋季大会 (2020)

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