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化学工学会 第50回秋季大会

Last modified: 2018-09-04 10:00:00

講演プログラム検索結果 : 秋山 泰伸 : 5件

講演要旨は各講演番号からリンクしています。(要ID/PW)
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発表者または座長 が『秋山 泰伸』と一致する講演：4件該当しました。
司会・座長氏名 が『秋山 泰伸』と一致するセッション：1件該当しました。
検索結果は開始時刻順に並んでいます。また、フラッシュ付きポスターの場合、フラッシュとポスターの２件となります。

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
第 1 日
10:40～ 12:00		PA104減圧熱CVD法で作製したアルミニウムドープ酸化亜鉛薄膜の比抵抗
(東海大院工) ○(学)根岸 航祐・ (正)秋山 泰伸
CVD
Al-dope zinc oxide
resisitivity
SY-65826
第 1 日
13:00～ 14:40		PA104減圧熱CVD法で作製したアルミニウムドープ酸化亜鉛薄膜の比抵抗
(東海大院工) ○(学)根岸 航祐・ (正)秋山 泰伸
CVD
Al-dope zinc oxide
resisitivity
SY-65826
第 2 日
9:10～ 11:10		PA240ポリスチレン微粒子によるフォトニック結晶の作製
(東海大院工) ○(学)岩瀬 圭・ (正)秋山 泰伸
photonic crystal
polystyrene particles
SY-80825
第 3 日
11:40～ 12:00		CD309減圧熱CVD法で作製したリチウムドープ酸化亜鉛薄膜の比誘電率
(東海大院工) ○(学)竹元 慧・ (正)秋山 泰伸
CVD
Lithium-doped Zinc Oxide
Ferroelectric
ST-25832
第 3 日
13:00～ 14:00		   座長 秋山 泰伸
CD313[展望講演] 接触分解反応による活性種を利用した薄膜堆積と表面改質:HWCVD法の基礎と応用展開
(九工大工) 和泉 亮
HWCVD
Thin film
Surface modification
ST-25243
CD315アミノシラン系SiO2-ALDの反応速度解析
(東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ) ○(正)川上 雅人・ 加賀谷 宗仁・ 光成 正・ 佐藤 潤・ 矢部 和雄
ALD
aminosilane
reaction kinetics
ST-25226

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