CD会場・第3日 - 講演プログラム（会場・日程別）

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`化学工学会第50回秋季大会`

Last modified: 2018-09-04 10:00:00

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講演プログラム（会場・日程別） : CD会場・第3日

講演要旨は各講演番号からリンクしています。(要ID/PW)
閲覧に必要なID/PWは受付でお配りするプログラム集冊子の1ページに記載しているほか、
事前参加登録者・ご招待者には9月4日にメールでお知らせしています。詳細

CD 会場(工学部共通棟 3F 302) ・第 3 日(9月20日(木))

ST-25

講演時刻	講演番号	講演題目／発表者	キーワード	分類番号	受理番号
ST-25 [部会横断型シンポジウム] CVD・ドライプロセス -デバイス構造・機能制御の反応工学-
(9:00～10:00) (座長川上雅人)
9:00～ 9:20	CD301	超臨界流体薄膜堆積による高アスペスト比構造への銅の均一製膜指針 (東大院工) ○(学)藤田翔太郎・ (正)出浦桃子・ (東工大院理工) (正)下山裕介・ (東大院工) (正)霜垣幸浩・ (正)百瀬健	Supercritical fluid deposition Diffusion coefficient Kinetics	ST-25	905
9:20～ 9:40	CD302	Supercritical dying and impregnation for fabrication of porous carbon electrode on Li-O₂/CO₂ battery (東工大物質理工) ○(学)Kunanusont Nattanai・ (正)下山裕介	Li- O2/CO2 battery supercritical carbon dioxide ionogel binder	ST-25	685
9:40～ 10:00	CD303	Tetracene thin film formation for organic photovoltaics by temperature-driven supercritical fluid deposition (東大院工) ○(学)黎彦劭・ (正)出浦桃子・ (東工大院理工) (正)下山裕介・ (東大院工) (正)霜垣幸浩・ (正)百瀬健	Temperature-driven Supercritical Fluid Deposition Crystallization Tetracene	ST-25	1058
(10:00～11:00) (座長野田優)
10:00～ 10:20	CD304	[招待講演] グラフェンをはじめとする二次元材料のCVD成長と生成機構 (九大GIC/産総研) 吾郷浩樹	graphene epitaxial growth hexagonal boron nitride	ST-25	44
10:20～ 10:40	CD305	硫化水素添加が熱分解炭素CVDに及ぼす影響 (京大工) ○(学·技基)牧野優作・ (正)河瀬元明	CVD Carbon Hydrogen sulfide	ST-25	978
10:40～ 11:00	CD306	Cs_xWO₃ ナノ粒子の火炎噴霧合成と光学特性 (広大院工) ○(学)平野知之・中倉修平・ (学)Rinaldi Febrigia Ghana・ (正·修習)荻崇	cesium tungsten bronze flame-assisted spray pyrolysis aerosol	ST-25	113
(11:00～12:00) (座長島田学)
11:00～ 11:20	CD307	浮遊触媒形成の温度場制御と単層カーボンナノチューブの気相合成 (早大先進理工) ○(学)並木克也・ (早大高等研) (正)杉目恒志・ (早大先進理工) (正)大沢利男・ (正)野田優	single-wall carbon nanotube reaction field control floating catalyst chemical vapor deposition	ST-25	336
11:20～ 11:40	CD308	ミストCVD法による高品質酸化亜鉛薄膜の作製および反応メカニズムの解明 (高知工大院) ○(学)西美咲・ (高知工大) 長谷川諒・安岡龍哉・ (高知工大院) 上田真理子・坂本雅仁・佐藤翔太・ Phimolphan Ruttongja・ Liu Li・ (高知工大院/総研) Dang. T Gian・川原村敏幸	Mist CVD ZnO reaction mechanism	ST-25	879
11:40～ 12:00	CD309	減圧熱CVD法で作製したリチウムドープ酸化亜鉛薄膜の比誘電率 (東海大院工) ○(学)竹元慧・ (正)秋山泰伸	CVD Lithium-doped Zinc Oxide Ferroelectric	ST-25	832
(13:00～14:00) (座長秋山泰伸)
13:00～ 13:40	CD313	[展望講演] 接触分解反応による活性種を利用した薄膜堆積と表面改質:HWCVD法の基礎と応用展開 (九工大工) 和泉亮	HWCVD Thin film Surface modification	ST-25	243
13:40～ 14:00	CD315	アミノシラン系SiO₂-ALDの反応速度解析 (東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ) ○(正)川上雅人・加賀谷宗仁・光成正・佐藤潤・矢部和雄	ALD aminosilane reaction kinetics	ST-25	226
(14:00～15:00) (座長筑根敦弘)
14:00～ 14:20	CD316	[招待講演] プラズマエッチングにおけるSiO₂/Si界面準位の生成と制御 (ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング) ○長畑和典・重歳卓志	Plasma Etching Damage	ST-25	330
14:20～ 14:40	CD317	RFプラズマCVDによるTiB系硬質膜の製膜と評価 (阪府大院工) ○(学)清川大地・ (阪府大工) 冨士和樹・ (阪府大院工) (正)岡本尚樹・ (正)齊藤丈靖	hard coating plasma CVD TiBCN	ST-25	937
14:40～ 15:00	CD318	Ag粒子とTiO₂粒子の堆積で作製した複合薄膜の可視光照射下での光触媒活性 (広大院工) ○(学·技基)正木佑弥・姜殿平・ (正)久保優・ (正)島田学・ (広大院工/ITS Surabaya) (正)Kusdianto K.	PVD PECVD nanoparticle	ST-25	576

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化学工学会第50回秋季大会

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化学工学会 第50回秋季大会

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CD 会場(工学部共通棟 3F 302) ・ 第 3 日(9月20日(木))

`化学工学会第50回秋季大会`

CD 会場(工学部共通棟 3F 302) ・第 3 日(9月20日(木))