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5) 反応工学

5-h. CVD・ドライプロセス

最終更新日時：2024-08-12 19:59:01

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ているキーワード		キーワード受理件数
Chemical vapor deposition3件*
SiC3件*
CVI3件*
ALD3件*
CVD2件
carbon nanotube2件
TEMAZ1件

受理
番号		講演題目／発表者キーワード発表形式
65単結晶Si基板への多孔質層形成、単結晶Si膜の急速エピタキシーと機械的剥離
(早大先進理工) (学)○大橋 美彩子・ (早大ナノライフ) (正)大沢 利男・ (早大先進理工) (正)野田 優		Monocrystalline Si film
Rapid vapor deposition
Porous Si
P
73化学気相成長法によるシリコン-活性炭複合材料の作製とリチウムイオン電池負極への応用
(早大先進理工) (学)○岡 順也・ (クラレ) (法)岩崎 秀治・ (法)西浪 裕之・ (法)有馬 淳一・ (早大ナノライフ) (正)大沢 利男・ (早大先進理工) (正)野田 優		Chemical Vapor Deposition (CVD)
Silicon
Lithium-ion battery
P
109ヒドラジンを用いた原子層堆積法によるシリコン窒化膜評価
(大陽日酸) (法)○和田 吉史・ (法)村田 逸人・ (法)清水 秀治		Siicon Nitride
Atomic Layer Deposition
Incubation Cycle
O
123次世代ULSI配線用Moの原子層成長プロセス開発
(東大院工) (学)○小原 聡顕・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩		Molybdenum
ALD
low resistivity
O
176安全なエッチング剤を用いたカーボンナノチューブの乾式精製法の開発
(早大先進理工) (学)○田中 駿・ (学)後藤 拓磨・ (早大ナノライフ) (正)大沢 利男・ (早大先進理工) (正)野田 優		Carbon nanotubes
Purification
dry process
P
225流体混合制御による浮遊触媒CVD法でのカーボンナノチューブの安定連続合成
(早大先進理工) (正)○Lang Jianghua・ (正)大沢 利男・ (正)野田 優		carbon nanotube
chemical vapor deposition
continuous process
O
232反射光強度その場観察を利用した下地選択Co-ALDプロセスの検討
(東大院工) (学)○木村 俊介・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)百瀬 健・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩		ALD
in-situ observation
reflectance
O
233化学気相含浸法によるSiCセラミックス基複合材料作製におけるSiC埋め込みの炉内均一性向上および高速性向上に関する研究
(東大工) (学)○吉田 幸希・ (東大院工) (学)大高 雄平・ (学)木村 俊介・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)霜垣 幸浩		SiC
CVI
CVD
O
261プラズマCVDによる木質材料へのSiOCコーティング
(岐阜大院自) (学)○伊藤 廉・ (岐阜大工) 小宮山 正治・ (正)西田 哲		PE-CVD
water-repellent
wood-based material
P
263プラズマ処理による炭素繊維材料の表面改質
(岐阜大院自) (学)○Dinh Thi Quynh・ (岐阜大工) 小宮山 正治・ (正)西田 哲		plasma
carbon materials
sem
P
264触媒原料分解促進による浮遊触媒CVD法でのカーボンナノチューブの安定連続合成
(早大先進理工) (学)○直塚 悠希・ (正)Lang Jianghua・ (早大ナノライフ) (正)大沢 利男・ (早大先進理工) (正)野田 優		carbon nanotube
chemical vapor deposition
nanoparticle catalyst
P
273原子層堆積法を用いたZrN薄膜形成プロセスの検討
(東大院工) (学)○田中 潤・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩		ZrN
ALD
TEMAZ
O
383ALD用トリメチルアルミニウムの物理吸着の定量分析
(東大院工) (学)○Wu Yuxuan・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩		Atomic Layer Depositon
Quartz Crystal Microbalance
Surface Adsorption
O
422アルカリエッチングにより作製したシリコンテクスチャの評価手法についての研究
(岐阜大院自) (学)○澤田 昌宏・ (岐阜大工) 小宮山 正治・ (正)西田 哲		solar cell
textured
MATLAB
P
516Co薄膜熱原子層エッチングプロセスの検討
(東大院工) (正)○山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩		ALE
atomic layer eching
cobalt
O
531ポリマー上におけるCu連続膜形成プロセスの検討
(東大院工) (学)○中嶋 佑介・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩		Atomic Layer Depoition
Copper
on Polymer
O
562SiC-CVIプロセスにおける反応モデルの簡略化
(東大院工) (正)○佐藤 登・ (東大工) (学)吉田 幸希・ (東大院工) (学)大高 雄平・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩		SiC-CVI
CH3SiCl3
Reduced model
O
633高MTS分圧供給SiC-CVIにおける収率改善と副生成物抑制を目的とした排出ガス改質条件探索
(東大院工) (学)○大高 雄平・ (東大工) (学)吉田 幸希・ (東大院工) (正)佐藤 登・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩		CVI
SiC
Recycling
O
634SiCf/SiC-CMC製造における最適CVIプロセス設計指針
(東大院工) (学)○大高 雄平・ (東大工) (学)吉田 幸希・ (東大院工) (正)佐藤 登・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩		CVI
SiC
Process design
O
683CFDシミュレーションによるAlN化合物単結晶成長影響要因の検討
(京大院工) (学)○李 亜飛・ 村橋 孝亮・ (正)河瀬 元明		MOCVD
CFD
III-V compound
O
686化学気相成長を用いたビスマス系ペロブスカイト薄膜の反応速度式の解析
(京大工) (海)○楊 紫光・ (学)戸上 敬登・ (学)田邉 舞香・ (正)河瀬 元明		Chemical vapor deposition
Methylammonium bismuth iodide
Perovskite solar cell
O
785不飽和度の異なる炭化水素種からの炭素CVD速度の解析
(京大工) (学)仲野 真治・ (正)藤墳 大裕・ (正)○河瀬 元明		CVD
carbon
coking
O
786キセノンエキシマランプを使用したVUV-Redox法による銅表面の活性化
(阪公大院工) (正)○遠藤 真一・ (正)齊藤 丈靖		VUV-Redo
Surface activation
O
787還元性ガスを添加した反応性スパッタリングによるMAX合金薄膜の形成
(阪公大院工) (正)○齊藤 丈靖・ (学)上田 和貴・ (正)岡本 尚樹		sputtering
MAX-phase
O
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化学工学会 第89年会 (堺)

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