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5) 反応工学

5-h. CVD・ドライプロセス

最終更新日時：2024-12-21 13:44:01

この分類でよく使われ
ているキーワード		キーワード受理件数
CVD3件*
CVI2件
SiC2件
lithium-ion battery2件
good step coverage1件

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番号		講演題目／発表者キーワード発表形式
238リチウムイオン電池に向けた化学気相成長法によるシリコン-活性炭複合負極材の開発
(早大先進理工) (学)○新井 颯眞・ (正)前 智太郎・ (正)大沢 利男・ (正)野田 優		Chemical Vapor Deposition (CVD)
Silicon anode
Lithium-ion battery
P
243窒化ホウ素被覆カーボンナノチューブの合成とリチウムイオン電池応用
(早大先進理工) (学)○北島 大樹・ (正)前 智太郎・ (日本サムスン) 白 鎭碩・ 干場 弘治・ (早大先進理工) (正)大沢 利男・ (早大先進理工/早大理工総研) (正)野田 優		carbon nanotube
boron nitride
lithium-ion battery
P
247アルミニウム層成長によるトリメチルアルミニウムと水素の気相反応に関する密度汎関数理論研究
(京大院工) (学)○李 亜飛・ (正)河瀬 元明		Aluminum deposition
Density functional theory
MOCVD
O
258FM-CVDによるAlN薄膜成長時の膜質・段差被覆性評価
(東大工) (学)○佐藤 颯基・ (東大院工) (正)大高 雄平・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩		CVD
AlN
3DIC
P
263汎用原子レベルシミュレーターによるトリメチルアルミニウムの吸着状況の解析
(U. Tokyo) (学)○Wu Yuxuan・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩		ALD
CVD
Surface Adsorption
O
268気相合成されたTiO2、TiO2+CuOナノ粒子薄膜の種々の反応場における光触媒性能
(広大院先進理工) Hudandini Meditha・ (ITS Surabaya) Kusdianto K.・ (広大院先進理工) (正)久保 優・ (正)○島田 学		PECVD
nanoporous composite
aerosol deposition
O
306HF蒸気を用いた薄膜エッチングに関する実験および数値シミュレーション
(SCREEN SPE) (正)○寶田 浩延・ 藤原 光・ 滝 朋恵・ 瀧 昭彦・ 黒枝 篤史・ 折坂 昌幸		CFD
Vapor Process
Etching
O
313Nb薄膜の低温プラズマ製膜プロセスの検討
(東大院工) (学)○田中 潤・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩		niobium
plasma deposition
low-temperature
O
321SiCf/SiC-CMC製造用CVIプロセスの最適設計に向けたニューラルネットワークポテンシャルを用いた表面反応解析
(東大院工) (学)○吉田 幸希・ (正)佐藤 登・ (正)大高 雄平・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩		SiC
CVI
CVD
P
324Mo(CO)6を用いたMo原子層成長プロセス開発
(東大院工) (学)○小原 聡顕・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩		Mo(CO)6
low resistivity
good step coverage
O
345ALDによるPd製膜プロセスと基板依存性の検討
(東大工) (学)○永井 総雅・ (東大院工) (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)大髙 雄平・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩		palladium
AS-ALD
growth enhancer
P
430低MTS高水素条件CVIによるSiC初期成長の製膜実験による考察
(東大工) (学)○畠山 大樹・ (東大院工) (正)大高 雄平・ (学)吉田 幸希・ (正)佐藤 登・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩		SiC
CVI
CMC
P
461汎用原子レベルシミュレーターによる吸脱着平衡定数・表面反応速度定数の推算
(東大院工) (正)○佐藤 登・ (学)吉田 幸希・ (正)大高 雄平・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩		machine learned potential
surface kinetics
O
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