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化学工学会 第85年会

Last modified: 2020-03-02 11:00:00

講演プログラム検索結果 : Tsukune Atsuhiro : 1件

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司会・座長氏名 が『Tsukune Atsuhiro』と一致するセッション:1件該当しました。
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講演
時刻
講演
番号
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番号
受理
番号
オーガナイズドセッション(反応工学部会CVD反応分科会)
第 3 日
13:0014:40
   座長 野田 優筑根 敦弘
J313SiC-CVIプロセスにおける表面反応のモデル化に向けた反応過程の理論検討
(東大院工) ○(学)佐藤 登(学)大高 雄平(学)安治 遼祐(IHI) (正)福島 康之(東大院工) (正)出浦 桃子(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
CH3SiCl3
SiC CVI
surface reaction
5-h222
J314Time-evolution of film thickness profiles by level set method during CVD multiscale simulation
(東大院工) ○(学)Zhang Jin(正)出浦 桃子(正)百瀬 健(正)霜垣 幸浩
multiscale simulation
chemical vapor deposition
level set method
5-h462
J315固体原料併用PECVD法における分散媒が合成された複合薄膜に及ぼす影響
(広大院工) ○(正)島田 学(技基)高橋 一真(正)久保 優
titanium dioxide
carbon nanotube
photocatalyst
5-h572
J316プラズマCVD法シリカ系ガスバリア膜の残留応力
(京大工) ○(正)河瀬 元明(学)平田 桑一朗(学·技基)脇坂 知樹
CVD
residual stress
silica gas barrier film
5-h608
J317ヨウ化鉛メチルアンモニウムペロブスカイト膜のCVDプロセスの開発
(京大工) ○(正)河瀬 元明(学)村上 誉紀(学)松田 萌
CVD
methylammonium lead iodide
lead melt
5-h614

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