
Last modified: 2020-03-02 11:00:00
司会・座長氏名 が『Tsukune Atsuhiro』と一致するセッション:1件該当しました。
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| 講演 時刻 | 講演 番号 | 講演題目/発表者 | キーワード | 分類 番号 | 受理 番号 |
|---|---|---|---|---|---|
| オーガナイズドセッション(反応工学部会CVD反応分科会) | |||||
| 第 3 日 | 座長 | ||||
| J313 | SiC-CVIプロセスにおける表面反応のモデル化に向けた反応過程の理論検討 | CH3SiCl3 SiC CVI surface reaction | 5-h | 222 | |
| J314 | Time-evolution of film thickness profiles by level set method during CVD multiscale simulation | multiscale simulation chemical vapor deposition level set method | 5-h | 462 | |
| J315 | 固体原料併用PECVD法における分散媒が合成された複合薄膜に及ぼす影響 | titanium dioxide carbon nanotube photocatalyst | 5-h | 572 | |
| J316 | プラズマCVD法シリカ系ガスバリア膜の残留応力 | CVD residual stress silica gas barrier film | 5-h | 608 | |
| J317 | ヨウ化鉛メチルアンモニウムペロブスカイト膜のCVDプロセスの開発 | CVD methylammonium lead iodide lead melt | 5-h | 614 | |
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化学工学会 第85年会
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