J会場・第3日 - 講演プログラム（会場・日程別）

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`化学工学会第85年会`

Last modified: 2020-03-02 11:00:00

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講演プログラム（会場・日程別） : J会場・第3日

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※ IChES 2020 のプログラムはこちらです。

J 会場(3F 2301) ・第 3 日(3月17日(火))

1 基礎物性 | 5,10 反応工学,安全

講演時刻	講演番号	講演題目／発表者	キーワード	分類番号	受理番号
1. 基礎物性
(9:00～10:20) (座長児玉大輔・佐藤善之)
9:00～ 9:20	J301	連続溶媒和モデルを用いた水溶液中化学種の熱力学データ推算法 (横国大院環情) ○(正)伊里友一朗・ (産総研) 松木亮・ (JST-LCS) 越光男・ (横国大先端) (正)三宅淳巳	Themochemical data Quantum chemistry calculation Continiuum solvation model	1-a	465
9:20～ 9:40	J302	ナノ構造イオン液晶の分子動力学研究:吸水性と拡散性 (兵庫県大院シミュ) ○(正)石井良樹・ (北里大理) 渡辺豪・ (阪大院基工) (正)松林伸幸・ (東大院工) 加藤隆史・ (兵庫県大院シミュ) 鷲津仁志	molecular dynamics ionic liquid crystals nanostructure	1-a	481
9:40～ 10:00	J303	動粘度および熱伝導率のASOG-VLEパラメータによる推定 (日大理工) ○(正)栃木勝己・ (正)松田弘幸・ (正)栗原清文・ (中央大理工) (正)船造俊孝・ (GNA U.) ラターンブイケー	ASOG-VLE parameter KInematic viscosities Thermal conductivities	1-a	314
10:00～ 10:20	J304	エタノール+水+溶媒系液液平衡の測定とASOG-LLEモデルによる推定 (日大理工) ○(正)栃木勝己・松谷好晃・ (正)松田弘幸・ (正)栗原清文・ (PreFEED) 横山克己	Liquid-Liquid Equilibria Ethanol+Water+Solvent system ASOG-LLE model	1-a	318
(10:20～12:00) (座長伊里友一朗・石井良樹)
10:20～ 10:40	J305	ポリブチルメタクリレート+アルコール類の拡散係数の測定と相関 (山口大院創) ○(正)小渕茂寿・ (学)丸山加寿也	measurement correlation diffusion coefficient	1-a	559
10:40～ 11:00	J306	ガラス転移点近傍におけるMMA / EA共重合に対するCO₂溶解度および拡散係数の測定および推算に関する研究 (東北大院工) (学·修習)生内良樹・ (東北工大工) ○(正)佐藤善之・ (東北大院工) (正)猪股宏	Glass transition Equation of state free volume theory	1-a	783
11:00～ 11:20	J307	イオン液体の電子状態データベース構築とガス吸収能評価への応用 (JST ACT-I/中央大理工研) ○(正)黒木菜保子・ (中央大理工/JSTさきがけ) (正)森寛敏	Ionic liquid Database Machine learning	1-a	581
11:20～ 11:40	J308	ホスホニウム系イオン液体のガス溶解度に及ぼすアニオンの影響 (日大工) ○(正)児玉大輔・荻野涼・ (日大院工) (学)高橋広大・ (JST ACT-I/中央大理工研) (正)黒木菜保子・ (中央大理工/JSTさきがけ) (正)森寛敏・ (RITE) (海)Chowdhury Firoz・ (正)山田秀尚	Ionic liquid Gas solubility Anion	1-a	665
11:40～ 12:00	J309	イオン液体中でのCO₂溶解度の推算 (法政大生命) ○(正)西海英雄・ (日大工) (正)児玉大輔	ionic liquid CO2 solubility prediction	1-a	719
5,10 反応工学,安全
オーガナイズドセッション(反応工学部会CVD反応分科会)
(13:00～14:40) (座長野田優・筑根敦弘)
13:00～ 14:40	J313	SiC-CVIプロセスにおける表面反応のモデル化に向けた反応過程の理論検討 (東大院工) ○(学)佐藤登・ (学)大高雄平・ (学)安治遼祐・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	CH3SiCl3 SiC CVI surface reaction	5-h	222
	J314	Time-evolution of film thickness profiles by level set method during CVD multiscale simulation (東大院工) ○(学)Zhang Jin・ (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	multiscale simulation chemical vapor deposition level set method	5-h	462
	J315	固体原料併用PECVD法における分散媒が合成された複合薄膜に及ぼす影響 (広大院工) ○(正)島田学・ (技基)高橋一真・ (正)久保優	titanium dioxide carbon nanotube photocatalyst	5-h	572
	J316	プラズマCVD法シリカ系ガスバリア膜の残留応力 (京大工) ○(正)河瀬元明・ (学)平田桑一朗・ (学·技基)脇坂知樹	CVD residual stress silica gas barrier film	5-h	608
	J317	ヨウ化鉛メチルアンモニウムペロブスカイト膜のCVDプロセスの開発 (京大工) ○(正)河瀬元明・ (学)村上誉紀・ (学)松田萌	CVD methylammonium lead iodide lead melt	5-h	614

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J 会場(3F 2301) ・ 第 3 日(3月17日(火))

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