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ST) 部会横断型シンポジウム

ST-26. [部会横断型シンポジウム] CVD/ALD・ドライプロセス －構造・機能制御の反応工学－

オーガナイザー: 西田 哲（岐阜大学）・藤原 翔（金沢大学）・筑根 敦弘（東京大学）・清水 秀治（大陽日酸(株)）

CVDやALDなどのドライプロセスはエレクトロニクス、エネルギーデバイス、機能性コーティングなど様々な分野で重要な基幹技術となっています。特に近年は産業のコメとも呼ばれる半導体産業の重要性が再認識され、メカニズムの理解に立脚したプロセスの構築と制御が増々求められています。本シンポジウムでは、ドライプロセスを利用した薄膜形成、微粒子合成、微細加工の反応メカニズムを反応工学的見地より理解し、合理的で効率的な反応プロセスや反応装置を議論します。

最終更新日時：2025-12-05 14:18:01

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ているキーワード		キーワード受理件数
ALD4件*
Atomic Layer Deposition4件*
CVD3件*
Neural network potential2件
aerosol particle deposition1件

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番号		講演題目／発表者キーワード発表形式
6室温プラズマCVD法によるSiCxNyOz成膜過程の速度論的解析
(横国大院理工) (正)羽深 等		PECVD
rate process
O
270高温超臨界CO2/H2中における有機金属化合物の飽和溶解度および拡散係数の同時測定手法の構築
(熊大院自) (学)○小田 翔太・ 中村 有沙・ 近藤 澄弥・ (熊大半導体) (正)百瀬 健		Supercritical Fluid Deposition
saturation solubility
diffusion coefficient
O
277気相燃焼法で調製したNi触媒におけるCH4ドライ改質反応中の炭素析出に関する検討
(金沢大新学術) (正)○藤原 翔・ (金沢大理工) 尾形 勇樹・ (正)大坂 侑吾・ (正)辻口 拓也・ (金沢大新学術) (正)児玉 昭雄		Flame spray pyrolysis
Ni catalysts
Dry reforming of methane
O
285[招待講演] CVD法によるナノレベルで構造を制御した炭素材料・炭素複合材料の開発
(福島大理工) (正)岩村 振一郎		CVD
Carbon
O
305PdによるCo-ALDの成長促進効果に関する研究
(東大院工) (正)○鄧 玉斌・ (正)山口 潤・ (正)大高 雄平・ (学)永井 総雅・ (正)佐藤 登・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩		Nucleation enhancer
ALD
ULSI
O
336Al2O3-ALDにおけるTMA吸着速度の温度依存性
(東大工) (学)○Wu Yuxuan・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩		Atomic Layer Depositon
Quartz Crystal Microbalance
Surface Adsorption
O
338400℃における高熱伝導率AlN膜形成に向けたTMA/NH3系FM-CVDプロセスの検討
(東大院工) (学)○畠山 大樹・ (正)大高 雄平・ (正)山口 潤・ (正)玉置 直樹・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩		FM-CVD
3DIC
AlN
O
347ニューラルネットワークポテンシャルを用いたCo-ALDプロセスにおける原料吸着過程の分子動力学計算
(東大院工) (正)○玉置 直樹・ (正)佐藤 登・ (正)山口 潤・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩		Atomic layer deposition
Neural network potential
Growth per cycle
O
405Mo(CO)6を原料としたMo-CVD/ALDの反応機構解析
(東大院工) (学)○永井 総雅・ 小原 聡顕・ (東大院工) (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)大髙 雄平・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩		Mo(CO)6
step coverage
interconnect
O
537ニューラルネットワークポテンシャルによるSiC-CVDの表面反応速度定数の高精度推算
(東大院工) (学)○吉田 幸希・ (正)佐藤 登・ (正)大高 雄平・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩		SiC
CVD
Neural network potential
O
606[招待講演] 原子層堆積のためのプリカーサーおよびその堆積工程の開発
(高純度化学研) 水谷 文一		Atomic Layer Deposition
Precursor
ABC-type ALD
O
672気相作製したTiO2ナノ粒子薄膜のガス検知特性評価
(広大院先進理工) (学)○原 拓己・ (学)田中 直輝・ (正)久保 優・ (正)島田 学		gas sensor
aerosol particle deposition
plasma CVD
O
726TMAを原料とするAl2O3-ALDの動的モンテカルロ・ニューラルネットワークポテンシャル計算
(東大工) (学)○Zou Yichen・ (学)Wu Yuxuan・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩		ALD
KMC
NNP
O
731[招待講演] 大気圧プラズマを用いたシリカ膜の製膜とガス分離への応用
(広大院先進理工) (正)長澤 寛規		plasma
CVD
gas separation
O
740HfO2選択成長におけるインヒビターのアルキル鎖長依存性に関する検討
(キオクシア) (正)○田沼 将一・ 松葉 博・ 浅川 鋼児・ 福水 裕之		Area selective deposition
Inhibitor
O
743[展望講演] 量子コンピュータによる化学反応解析の可能性
(QunaSys) 高 翔		chemical reaction
quantum computer
quantum computing
O
801CCTBA原料を用いたCo-ALDにおける立体障害効果および反応速度論
(東大院工) (正)○山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩		ALD
Atomic Layer Deposition
O
806ALDプロセスにおけるQCMを用いた吸着速度解析への壁面吸着および輸送現象の影響評価
(東大院工) (正)○山口 潤・ (学)呉 宇軒・ (正)佐藤 登・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩		ALD
Atomic Layer Deposition
QCM
O
888Growth Dynamics of Bismuth-Based Perovskite Thin Films via Chemical Vapor Deposition
(京大工) (海)○楊 紫光・ (正)河瀬 元明		Chemical vapor deposition
Perovskite solar cell
crystal orientation control
O
914直流プラズマCVDによるTiSiCN系薄膜の作成及び物性評価
(阪公大院) (学)○黒木 利津・ (正)齊藤 丈靖・ (正)岡本 尚樹・ (阪公大) 川本 実加		DC plasma CVD
TiSiCN
O
944CH4/CO2リフォーミングによるH2リッチガスとCNT同時合成:H2S、H2Oの影響
(京大院工) (学)○Saconsint Supanida・ (正)佐野 紀彰・ (正)鈴木 哲夫・ (Mahidol U.) Ratchahat Sakhon		catalyst
carbon nanotube
biogas
O
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