
化学工学会第87年会(神戸)
Last modified: 2022-03-04 12:00:00
講演プログラム検索結果 : Sato Noboru : 4件
CS-2,
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ローマ字氏名 が『Sato Noboru』と一致する講演:4件該当しました。
検索結果は開始時刻順に並んでいます。
講演 時刻 | 講演 番号 | 講演題目/発表者 | キーワード | 分類 番号 | 受理 番号 |
第 3 日 14:40~ 15:00 | L318 | Co-ALDプロセスにおける原料の比較検討
(東大院工) ○(学)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩 | ALD cobalt precursor
| 5-h | 585 |
第 3 日 15:00~ 15:20 | L319 | 密度汎関数法による銅(II)アセチルアセトナートの銅(111)表面への吸着に関する研究
(U. Tokyo) ○(学)Wu Yuxuan・ (正)Sato Noboru・ (学)Yamaguchi Jun・ (正)Deura Momoko・ (正)Momose Takeshi・ (正)Shimogaki Yukihiro | Atomic Layer Depositon Density Function Theory Surface Adsorption
| 5-h | 110 |
第 3 日 16:00~ 16:20 | L322 | 理論的検討に基づいたTiAlN-CVDプロセスの表面反応モデル構築
(東大院工) ○(正)佐藤 登・ (京セラ) (法)古藤 雅大・ (法)久保 隼人・ (法)杉山 貴悟・ (東大院工) (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (京セラ) (法)谷渕 栄仁・ (東大院工) (正)霜垣 幸浩 | TiAlN CVD Surface reaction kinetics
| 5-h | 578 |
第 3 日 16:20~ 16:40 | L323 | MTS/H2を原料としたSiC-CVIにおけるSiCl4添加による微細構造内製膜均一化の原因考察
(東大院工) ○(学)大高 雄平・ (東大工) 木村 俊介・ (東大院工) (正)佐藤 登・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)出浦 桃子・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩 | SiC CVI CMC
| 5-h | 511 |
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