CVDやALDなどのドライプロセスはエレクトロニクス、エネルギーデバイス、機能性コーティングなど様々な分野で重要な基幹技術となっています。特に近年は産業のコメとも呼ばれる半導体産業の重要性が再認識され、メカニズムの理解に立脚したプロセスの構築と制御が増々求められています。本シンポジウムでは、ドライプロセスを利用した薄膜形成、微粒子合成、微細加工の反応メカニズムを反応工学的見地より理解し、合理的で効率的な反応プロセスや反応装置を議論します。
最終更新日時:2024-12-22 22:48:01
この分類でよく使われ ているキーワード | キーワード | 受理件数 | |
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CVD | 4件 | ||
CVI | 2件 | ||
ALD | 2件 | ||
SiC | 2件 | ||
crystal orientation control | 1件 |
受理 番号 | 講演題目/発表者 | キーワード | 発表形式 |
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7 | [招待講演] 有機金属気相成選択成長法による化合物半導体ナノ構造作製と機能化 | vapor-phase selective growth metal-organic vapor compound semiconductor nanostructures | O |
97 | CVD及びALDに用いるインラインSi3H8発生方法 | Generation Si3H8 | O |
120 | [招待講演] 低圧酸性アモノサーマル法によるバルクGaN結晶成長 | GaN Ammonothermal method Bulk crystal | O |
257 | [招待講演] 新しいライフスタイル(社会環境変革)を支える最新のプリント基板の動向 | high-speed communication high heat dissipation printed circuit board | O |
351 | [招待講演] ラジカルを用いた低温成膜及び処理の可能性 | 3D-LSI low-temperature process radical treatment | O |
418 | ULSI-Cu配線用超薄膜における銅拡散バリア効果の定量評価のためのタイムラグ法の進展 | Time-lag method Barrier property ULSI | O |
484 | 効果的な反応ガス供給によるMo原子層成長プロセス開発 | Molybdenum Atomic Layer Deposition reactant supply | O |
813 | CpCo(CO)2を用いたCo製膜プロセスの検討 | ALD CVD cobalt | O |
821 | 水晶振動子マイクロバランスを用いたトリメチルアルミニウムによるアルミナALDの速度論的研究 | Atomic Layer Depositon Quartz Crystal Microbalance Surface Adsorption | O |
826 | SiCf/SiC-CMC製造CVIプロセスにおける製膜反応速度式の検討 | SiC CVI CVD | O |
829 | カーボンナノチューブの低損傷分散とスプレーコートによる透明ヒーターの開発 | Carbon nanotubes Transparent heater Spray coating | O |
832 | ULSI配線ライナー/バリア層用Zr/ZrN製膜プロセス開発 | Zr/ZrN ALD PECVD | O |
842 | Agナノ粒子の蒸着法による基板上およびガス中での合成と応用 | Silver nanoparticles Surface plasmon resonance Vapor deposition | O |
954 | SiCf/SiC-CMC量産化に向けた包括的なSiC-CVIプロセス開発 | SiC CVI CVD | O |
957 | 三次元立体集積回路(3DIC)構成用高熱伝導性AlN膜の低温FM-CVD | AlN CVD 3DIC | O |
1098 | A reaction engineering approach of bismuth-based perovskite thin film orientation adjustment | Chemical vapor deposition Perovskite solar cell crystal orientation control | O |
化学工学会第55回秋季大会実行委員会
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