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化学工学会 第56回秋季大会

講演プログラム検索結果 : 山口 潤 : 8件

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発表者または座長 が『山口 潤』と一致する講演：8件該当しました。
検索結果は開始時刻順に並んでいます。また、フラッシュ付きポスターの場合、フラッシュとポスターの２件となります。

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
第 1 日
16:20～ 16:40		EE123400℃における高熱伝導率AlN膜形成に向けたTMA/NH3系FM-CVDプロセスの検討
(東大院工) ○(学)畠山 大樹・ (正)大高 雄平・ (正)山口 潤・ (正)玉置 直樹・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
FM-CVD
3DIC
AlN
ST-26338
第 1 日
16:40～ 17:00		EE124PdによるCo-ALDの成長促進効果に関する研究
(東大院工) ○(正)鄧 玉斌・ (正)山口 潤・ (正)大高 雄平・ (学)永井 総雅・ (正)佐藤 登・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
Nucleation enhancer
ALD
ULSI
ST-26305
第 2 日
9:00～ 9:20		EE201ALDプロセスにおけるQCMを用いた吸着速度解析への壁面吸着および輸送現象の影響評価
(東大院工) ○(正)山口 潤・ (学)呉 宇軒・ (正)佐藤 登・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
ALD
Atomic Layer Deposition
QCM
ST-26806
第 2 日
9:20～ 9:40		EE202Al2O3-ALDにおけるTMA吸着速度の温度依存性
(東大工) ○(学)Wu Yuxuan・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
Atomic Layer Depositon
Quartz Crystal Microbalance
Surface Adsorption
ST-26336
第 2 日
9:40～ 10:00		EE203TMAを原料とするAl2O3-ALDの動的モンテカルロ・ニューラルネットワークポテンシャル計算
(東大工) ○(学)Zou Yichen・ (学)Wu Yuxuan・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
ALD
KMC
NNP
ST-26726
第 2 日
10:00～ 10:20		EE204Mo(CO)6を原料としたMo-CVD/ALDの反応機構解析
(東大院工) ○(学)永井 総雅・ 小原 聡顕・ (東大院工) (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)大髙 雄平・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
Mo(CO)6
step coverage
interconnect
ST-26405
第 2 日
13:40～ 14:00		EE215CCTBA原料を用いたCo-ALDにおける立体障害効果および反応速度論
(東大院工) ○(正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
ALD
Atomic Layer Deposition
ST-26801
第 2 日
14:00～ 14:20		EE216ニューラルネットワークポテンシャルを用いたCo-ALDプロセスにおける原料吸着過程の分子動力学計算
(東大院工) ○(正)玉置 直樹・ (正)佐藤 登・ (正)山口 潤・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
Atomic layer deposition
Neural network potential
Growth per cycle
ST-26347

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