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化学工学会 第56回秋季大会

Last modified: 2025-09-29 10:33:36

講演プログラム（会場・日程別） : EE会場

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EE 会場(本部棟 3階 2303)

EE 会場 ・ 第 1 日 | EE 会場 ・ 第 2 日
ST-26

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
EE 会場(本部棟 3階 2303) ・ 第 1 日(9月16日(火))
ST-26 [部会横断型シンポジウム]
CVD/ALD・ドライプロセス －構造・機能制御の反応工学－
(13:00～14:40) (座長 西田 哲・羽深 等)
13:00～ 13:40EE113[招待講演] CVD法によるナノレベルで構造を制御した炭素材料・炭素複合材料の開発
(福島大理工) (正)岩村 振一郎
CVD
Carbon
ST-26285
13:40～ 14:00EE115気相作製したTiO2ナノ粒子薄膜のガス検知特性評価
(広大院先進理工) ○(学·技基)原 拓己・ (学·技基)田中 直輝・ (正)久保 優・ (正)島田 学
gas sensor
aerosol particle deposition
plasma CVD
ST-26672
14:00～ 14:20EE116CH4/CO2リフォーミングによるH2リッチガスとCNT同時合成:H2S、H2Oの影響
(京大院工) ○(学)Saconsint Supanida・ (正)佐野 紀彰・ (正)鈴木 哲夫・ (Mahidol U.) Ratchahat Sakhon
catalyst
carbon nanotube
biogas
ST-26944
14:20～ 14:40EE117気相燃焼法で調製したNi触媒におけるCH4ドライ改質反応中の炭素析出に関する検討
(金沢大新学術) ○(正)藤原 翔・ (金沢大理工) 尾形 勇樹・ (正)大坂 侑吾・ (正)辻口 拓也・ (金沢大新学術) (正)児玉 昭雄
Flame spray pyrolysis
Ni catalysts
Dry reforming of methane
ST-26277
14:40～ 15:00休憩
(15:00～17:20) (座長 藤原 翔・玉置 直樹)
15:00～ 15:40EE119[招待講演] 大気圧プラズマを用いたシリカ膜の製膜とガス分離への応用
(広大院先進理工) (正)長澤 寛規
plasma
CVD
gas separation
ST-26731
15:40～ 16:00EE121直流プラズマCVDによるTiSiCN系薄膜の作成及び物性評価
(阪公大院) ○(学)黒木 利津・ (正)齊藤 丈靖・ (正)岡本 尚樹・ (阪公大) 川本 実加
DC plasma CVD
TiSiCN
ST-26914
16:00～ 16:20EE122Growth Dynamics of Bismuth-Based Perovskite Thin Films via Chemical Vapor Deposition
(京大工) ○(海)楊 紫光・ (正)河瀬 元明
Chemical vapor deposition
Perovskite solar cell
crystal orientation control
ST-26888
16:20～ 16:40EE123400℃における高熱伝導率AlN膜形成に向けたTMA/NH3系FM-CVDプロセスの検討
(東大院工) ○(学)畠山 大樹・ (正)大高 雄平・ (正)山口 潤・ (正)玉置 直樹・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
FM-CVD
3DIC
AlN
ST-26338
16:40～ 17:00EE124PdによるCo-ALDの成長促進効果に関する研究
(東大院工) ○(正)鄧 玉斌・ (正)山口 潤・ (正)大高 雄平・ (学)永井 総雅・ (正)佐藤 登・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
Nucleation enhancer
ALD
ULSI
ST-26305
17:00～ 17:20EE125HfO2選択成長におけるインヒビターのアルキル鎖長依存性に関する検討
(キオクシア) ○(正)田沼 将一・ 松葉 博・ 浅川 鋼児・ 福水 裕之
Area selective deposition
Inhibitor
ST-26740
EE 会場(本部棟 3階 2303) ・ 第 2 日(9月17日(水))
(9:00～11:00) (座長 清水 秀治・島田 学)
9:00～ 9:20EE201ALDプロセスにおけるQCMを用いた吸着速度解析への壁面吸着および輸送現象の影響評価
(東大院工) ○(正)山口 潤・ (学)呉 宇軒・ (正)佐藤 登・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
ALD
Atomic Layer Deposition
QCM
ST-26806
9:20～ 9:40EE202Al2O3-ALDにおけるTMA吸着速度の温度依存性
(東大工) ○(学)Wu Yuxuan・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
Atomic Layer Depositon
Quartz Crystal Microbalance
Surface Adsorption
ST-26336
9:40～ 10:00EE203TMAを原料とするAl2O3-ALDの動的モンテカルロ・ニューラルネットワークポテンシャル計算
(東大工) ○(学)Zou Yichen・ (学)Wu Yuxuan・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
ALD
KMC
NNP
ST-26726
10:00～ 10:20EE204Mo(CO)6を原料としたMo-CVD/ALDの反応機構解析
(東大院工) ○(学)永井 総雅・ 小原 聡顕・ (東大院工) (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)大髙 雄平・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
Mo(CO)6
step coverage
interconnect
ST-26405
10:20～ 11:00EE205[招待講演] 原子層堆積のためのプリカーサーおよびその堆積工程の開発
(高純度化学研) 水谷 文一
Atomic Layer Deposition
Precursor
ABC-type ALD
ST-26606
(13:00～15:20) (座長 筑根 敦弘・百瀬 健)
13:00～ 13:40EE213[展望講演] 量子コンピュータによる化学反応解析の可能性
(QunaSys) 高 翔
chemical reaction
quantum computer
quantum computing
ST-26743
13:40～ 14:00EE215CCTBA原料を用いたCo-ALDにおける立体障害効果および反応速度論
(東大院工) ○(正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
ALD
Atomic Layer Deposition
ST-26801
14:00～ 14:20EE216ニューラルネットワークポテンシャルを用いたCo-ALDプロセスにおける原料吸着過程の分子動力学計算
(東大院工) ○(正)玉置 直樹・ (正)佐藤 登・ (正)山口 潤・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
Atomic layer deposition
Neural network potential
Growth per cycle
ST-26347
14:20～ 14:40EE217ニューラルネットワークポテンシャルによるSiC-CVDの表面反応速度定数の高精度推算
(東大院工) ○(学)吉田 幸希・ (正)佐藤 登・ (正)大高 雄平・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
SiC
CVD
Neural network potential
ST-26537
14:40～ 15:00EE218高温超臨界CO2/H2中における有機金属化合物の飽和溶解度および拡散係数の同時測定手法の構築
(熊大院自) ○(学)小田 翔太・ 中村 有沙・ 近藤 澄弥・ (熊大半導体) (正)百瀬 健
Supercritical Fluid Deposition
saturation solubility
diffusion coefficient
ST-26270
15:00～ 15:20EE219室温プラズマCVD法によるSiCxNyOz成膜過程の速度論的解析
(横国大院理工) (正)羽深 等
PECVD
rate process
ST-266

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