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化学工学会 第56回秋季大会

Last modified: 2025-09-29 10:33:36

講演プログラム（会場・日程別） : EE会場・第2日 : EE219

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EE 会場(本部棟 3階 2303) ・ 第 2 日(9月17日(水))

ST-26

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
ST-26 [部会横断型シンポジウム]
CVD/ALD・ドライプロセス －構造・機能制御の反応工学－
(9:00～11:00) (座長 清水 秀治・島田 学)
9:00～ 9:20EE201ALDプロセスにおけるQCMを用いた吸着速度解析への壁面吸着および輸送現象の影響評価
(東大院工) ○(正)山口 潤・ (学)呉 宇軒・ (正)佐藤 登・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
ALD
Atomic Layer Deposition
QCM
ST-26806
9:20～ 9:40EE202Al2O3-ALDにおけるTMA吸着速度の温度依存性
(東大工) ○(学)Wu Yuxuan・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
Atomic Layer Depositon
Quartz Crystal Microbalance
Surface Adsorption
ST-26336
9:40～ 10:00EE203TMAを原料とするAl2O3-ALDの動的モンテカルロ・ニューラルネットワークポテンシャル計算
(東大工) ○(学)Zou Yichen・ (学)Wu Yuxuan・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
ALD
KMC
NNP
ST-26726
10:00～ 10:20EE204Mo(CO)6を原料としたMo-CVD/ALDの反応機構解析
(東大院工) ○(学)永井 総雅・ 小原 聡顕・ (東大院工) (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)大髙 雄平・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
Mo(CO)6
step coverage
interconnect
ST-26405
10:20～ 11:00EE205[招待講演] 原子層堆積のためのプリカーサーおよびその堆積工程の開発
(高純度化学研) 水谷 文一
Atomic Layer Deposition
Precursor
ABC-type ALD
ST-26606
(13:00～15:20) (座長 筑根 敦弘・百瀬 健)
13:00～ 13:40EE213[展望講演] 量子コンピュータによる化学反応解析の可能性
(QunaSys) 高 翔
chemical reaction
quantum computer
quantum computing
ST-26743
13:40～ 14:00EE215CCTBA原料を用いたCo-ALDにおける立体障害効果および反応速度論
(東大院工) ○(正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
ALD
Atomic Layer Deposition
ST-26801
14:00～ 14:20EE216ニューラルネットワークポテンシャルを用いたCo-ALDプロセスにおける原料吸着過程の分子動力学計算
(東大院工) ○(正)玉置 直樹・ (正)佐藤 登・ (正)山口 潤・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
Atomic layer deposition
Neural network potential
Growth per cycle
ST-26347
14:20～ 14:40EE217ニューラルネットワークポテンシャルによるSiC-CVDの表面反応速度定数の高精度推算
(東大院工) ○(学)吉田 幸希・ (正)佐藤 登・ (正)大高 雄平・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
SiC
CVD
Neural network potential
ST-26537
14:40～ 15:00EE218高温超臨界CO2/H2中における有機金属化合物の飽和溶解度および拡散係数の同時測定手法の構築
(熊大院自) ○(学)小田 翔太・ 中村 有沙・ 近藤 澄弥・ (熊大半導体) (正)百瀬 健
Supercritical Fluid Deposition
saturation solubility
diffusion coefficient
ST-26270
15:00～ 15:20EE219室温プラズマCVD法によるSiCxNyOz成膜過程の速度論的解析
(横国大院理工) (正)羽深 等
PECVD
rate process
ST-266

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