Last modified: 2023-05-15 19:09:22
講演 時刻 | 講演 番号 | 講演題目/発表者 | キーワード | 分類 番号 | 受理 番号 |
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5. 反応工学 | |||||
(9:00~10:20) (座長 | |||||
K301 | 連動した2台のポンプによる液液スラグ流の発生 | Slug flow extraction tube reactor | 5-f | 371 | |
K302 | 液液スラグ流における5-ヒドロキシメチルフルフラールの反応抽出に対する界面活性剤の影響 | Slug flow surfactant extraction | 5-f | 628 | |
K303 | N2-H2プラズマの圧力スイングと放電・ガス吸排気周期との同期によるアンモニア合成 | Plasma Ammonia Pressure swing | 5-c | 608 | |
K304 | 銅担持CHA型ゼオライトのワンポット合成およびCOを利用したメタン部分酸化反応 | one-pot synthesis zeolite methane | 5-a | 618 | |
(10:40~12:00) (座長 | |||||
K306 | 固体高分子形燃料電池の多孔質部材の構造・輸送解析(6) 電子染色法による撥水層の構造解析 | MPL SEM Electron-Staining | 5-i | 114 | |
K307 | シビアアクシデント向け水素処理材の反応特性評価 | hydorogen oxidation solid-gas reaction metal oxide | 5-i | 484 | |
K308 | 超音波照射による温度応答性コポリマーの応答温度の制御 | ultrasound polymer thermo-responsive | 5-b | 500 | |
K309 | 流通型装置を用いた超音波キャビテーション作用のマイクロバブルによる影響に関する検討 | untrasound microbobble active oxygen | 5-b | 420 | |
K315 | 理論的検討に基づいたSiC-CVIプロセスにおける炭素種の表面反応モデル構築 | SiC CVI surface reaction mechanism CH3SiCl3 | 5-h | 538 | |
K316 | Multiscale simulation framework for chemical vapor deposition in nonlinear surface reaction kinetics case | multiscale simulation chemical vapor deposition nonlinear reaction kinetics | 5-h | 518 | |
K317 | MTS/H2を原料としたSiC-CVIにおける擬0次反応と犠牲層を併用したトレンチ内均一製膜 | SiC CVD CVI | 5-h | 383 | |
(15:00~16:20) (座長 | |||||
K319 | 三塩化ホウ素ガスとジクロロシランガスによる S-B 膜形成 | Silicon-boron CVD BCL3 | 5-h | 42 | |
K320 | 火炎噴霧熱分解により調製したコア-シェル型Ni-SiO2触媒のSiO2シェル生成機構 | Flame spray pyrolysis Ni catalyst SiO2 shell | 5-h | 424 | |
K321 | FeとAl源の気相供給による14cm長カーボンナノチューブフォレストの成長 | carbon nanotube chemical vapor deposition catalyst | 5-h | 27 | |
CVD反応分科会奨励賞授賞式 |
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