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化学工学会 第91年会 (京都)

Last modified: 2026-03-27 08:23:54

講演プログラム（会場・日程別） : J会場・第3日 : J308

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J 会場(吉田南総合館 北棟 2F 共北25 ) ・ 第 3 日(3月19日(木))

8 超臨界流体 | 5 反応工学

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
8. 超臨界流体
(11:00～11:40) (座長 平賀 佑也)
11:00～ 11:20J307超臨界二酸化炭素抽出における分配係数予測モデルの開発
(産総研) ○(正)藤井 達也・ (正)石坂 孝之
Partition coefficient
Supercritical carbon dioxide
Machine learning
8-c207
11:20～ 11:40J308高温高圧水を用いたクロレラからの油脂及び糖類の回収に向けた処理条件の検討
(東大院新領域) ○(正)秋月 信・ (学)斉 路晴・ (竹中工務店) (正)川尻 聡・ (東大院新領域) (正)大島 義人
Hot compressed water
Microalgae
Reactive extraction
8-d166
5. 反応工学
オーガナイズドセッション(反応工学部会CVD反応分科会)
(13:00～14:40) (座長 織田 耕彦・清水 秀治)
13:00～ 13:20J313テラヘルツ波デバイス形成のための超臨界流体薄膜堆積法の構築
(熊大院自) ○(学)上原 光稀・ (熊大半導体) (正)百瀬 健
Supercritical Fluid Deposition
Supecritical Fluid Extraction
Copper Deposition on Polymer
5-h696
13:20～ 13:40J314超臨界流体薄膜堆積法を用いた高アスペクト比構造へのCu製膜における高速・均一条件の検討
(熊大院自/東大工) ○(学)中村 有沙・ (熊大院自) (学)近藤 澄弥・ (学)小田 翔太・ (熊大工) 西 優太・ 横山 輝・ (熊大半導体) (正)百瀬 健
Supercritical Fluid Deposition
Copper Deposition
High growth rate
5-h604
13:40～ 14:00J315超臨界流体薄膜堆積法を用いたCu製膜における表面反応速度定数と吸着平衡定数の測定
(熊大院自) ○(学)近藤 澄弥・ (学)小田 翔太・ (熊大院自/東大工) 中村 有沙・ (熊大半導体) (正)百瀬 健
Supercritical Fluid Deposition
Copper Deposition
Langmuir-Hinshelwood reaction kinetics
5-h684
14:00～ 14:20J316超臨界流体薄膜堆積法の最適制御のためのプロセスインフォマティクス手法論の構築(1)
(熊大工) ○(学)佐内 晴太郎・ (熊大院自) (学)小田 翔太・ (熊大院先端) 橋新 剛・ (熊大産ナノ研) 赤井 一郎・ (熊大半導体) (正)百瀬 健
Process informatics
Physsics-informed Bayesian Optimization
Supercritical fluid deposition
5-h592
14:20～ 14:40J317超臨界流体薄膜堆積法の最適制御のためのプロセスインフォマティクス手法論の構築(2)
(熊大院自) ○(学)小田 翔太・ (熊大工) (学)佐内 晴太郎・ (熊大院先端) 橋新 剛・ (熊大産ナノ研) 赤井 一郎・ (熊大半導体) (正)百瀬 健
Process informatics
Physics-informed bayesian optimization
Supercritical fluid deposition
5-h603
(15:00～17:20) (座長 百瀬 健・河瀬 元明)
15:00～ 15:20J319ニューラルネットワークポテンシャルを活用したSiC-CVDの表面反応機構解析
(東大院工) ○(学)吉田 幸希・ (正)大高 雄平・ (正)佐藤 登・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)霜垣 幸浩
SiC
Chemical Vapor Deposition
Neural network potential
5-h639
15:20～ 15:40J320Qmass測定を活用したSiC-CVDプロセスの反応モデルの検証
(東大院工) ○(学)吉田 幸希・ (正)大高 雄平・ (正)佐藤 登・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)霜垣 幸浩
SiC
CVD
Quadrupole Mass Spectrometry
5-h672
15:40～ 16:00J321TMA/NH3系FM-CVDによる低温AlN製膜と高熱伝導率化の検討
(東大院工) ○(正)大高 雄平・ Lu Yin-Chi・ (学)畠山 大樹・ (正)山口 潤・ (正)玉置 直樹・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
AlN
CVD
3DIC
5-h676
16:00～ 16:20J322In-situラマン分光計測を駆使したCO2駆動型ZnO形成の速度論的解析
(科学大) ○(正)織田 耕彦・ (学)室之園 相生・ (正)下山 裕介
In-situ Raman spectroscopy
High-pressure CO2
ZnO formation
5-h202
16:20～ 16:40J323SiN-ALDにおけるヒドラジンを用いた選択性の制御
(熊大院自/大陽日酸) ○(学)村田 逸人・ (大陽日酸) (法)和田 吉史・ (正)清水 秀治・ (熊大半導体) (正)百瀬 健
Atomic layer deposition
Area selective deposition
Hydrazine
5-h134
16:40～ 17:00J324ALDにおける原料のオンデマンド供給を可能にする高速開閉バルブの動作制御
(熊大院自) ○(学)石田 栞大・ (熊大院自/堀場エステック) 西里 洋・ (熊大院自) (学)小田 翔太・ (堀場エステック) 中家 佑吾・ (熊大半導体) 奈須 錦一・ (熊大先端) 岡島 寛・ (熊大半導体) (正)百瀬 健
Atomic Layer Deposition
Sustainable
Valve
5-h528
17:00～ 17:20CVD反応分科会奨励賞授賞式

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