化学工学会 第86年会
講演プログラム検索結果 : 5-h : 11件
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分類番号 が『5-h』から始まる講演：11件該当しました。
検索結果は開始時刻順に並んでいます。
| 講演 時刻 | 講演 番号 | 講演題目／発表者 | キーワード | 分類 番号 | 受理 番号 |
|---|---|---|---|---|---|
| 第 1 日 | PA129 | クロロホルムを用いたグラフェンの絶縁基板上直接合成 | graphene etching precipitation method chloroform | 5-h | 530 |
| 第 1 日 | PA135 | 触媒原料急熱による高結晶性単層カーボンナノチューブの気相連続合成 | carbon nanotube chemical vapor deposition nanoparticle catalyst | 5-h | 565 |
| 第 1 日 | PA139 | HMDSOを主原料としたプラズマCVDによる製膜中の発光分析 | CVD film plasma | 5-h | 24 |
| 第 1 日 | PA128 | 塩素フリーSiC-CVIにおける粉体抑制・均一埋め込みに向けたプロセス検討 | SiC CVI CVD | 5-h | 506 |
| 第 1 日 | PA134 | 原料交互供給型超音波霧化法を用いたCuInS2成膜における反応制御 | CuInS2 ultrasonic spray method solar cells | 5-h | 254 |
| 第 3 日 | K315 | 理論的検討に基づいたSiC-CVIプロセスにおける炭素種の表面反応モデル構築 | SiC CVI surface reaction mechanism CH3SiCl3 | 5-h | 538 |
| 第 3 日 | K316 | Multiscale simulation framework for chemical vapor deposition in nonlinear surface reaction kinetics case | multiscale simulation chemical vapor deposition nonlinear reaction kinetics | 5-h | 518 |
| 第 3 日 | K317 | MTS/H2を原料としたSiC-CVIにおける擬0次反応と犠牲層を併用したトレンチ内均一製膜 | SiC CVD CVI | 5-h | 383 |
| 第 3 日 | K319 | 三塩化ホウ素ガスとジクロロシランガスによる S-B 膜形成 | Silicon-boron CVD BCL3 | 5-h | 42 |
| 第 3 日 | K320 | 火炎噴霧熱分解により調製したコア-シェル型Ni-SiO2触媒のSiO2シェル生成機構 | Flame spray pyrolysis Ni catalyst SiO2 shell | 5-h | 424 |
| 第 3 日 | K321 | FeとAl源の気相供給による14cm長カーボンナノチューブフォレストの成長 | carbon nanotube chemical vapor deposition catalyst | 5-h | 27 |
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