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化学工学会 第91年会 (京都)

講演プログラム検索結果 : IHI : 7件

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所属 が『IHI』から始まる講演：7件該当しました。
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講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
J会場
第 2 日
14:20～ 14:40		J217CO2を原料とした低級オレフィン製造技術の開発
(IHI) ○(法)和田 知歌子・ (法)石田 雄一・ (法)千田 浩隆・ (法)鎌田 博之・ (法)藤吉 裕信
CO2
Fischer-Tropsh
Lower olefin
5-a333
E会場
第 2 日
15:10～ 15:40		E219CO2とH2を原料としたカーボン製造装置の開発
(IHI) ○(正)中村 至高・ (法)乙幡 拓希・ (法)渕瀨 啓太
CO2 utilization
carbon synthesis
hydrogen
F-1152
P会場
第 3 日
9:30～ 11:30		PD368Ames試験における機械学習予測モデルの精度向上に向けた分子特徴量の比較検討
(IHI) ○(法)長野 理紗・ (法)宮嶋 篤海・ (法)石井 浩介・ (正)高橋 克巳・ (工学院大院工) (学)近藤 和眞・ (学)宮武 紘士朗・ (工学院大先進工) (正)高羽 洋充
Ames test
Machine learning
6-f175
P会場
第 3 日
9:30～ 11:30		PD387分子表現方法を改良したAmes試験のGCN予測モデルの開発
(工学院大院工) ○(学)近藤 和眞・ (学)宮武 紘士朗・ (IHI) (法)長野 理紗・ (法)宮嶋 篤海・ (法)石井 浩介・ (正)高橋 克巳・ (工学院大先進工) (正)高羽 洋充
Machine Learning
Ames Test
Molecule Graph
6-f614
I会場
第 3 日
11:00～ 11:20		I307内部保持による液体アンモニア除害向け固体吸着材の選定とその保持機構の検討
(IHI) ○(正)橋本 卓也・ (法)三川 基・ (法)室伏 祥子・ (正)高橋 克巳
Ammonia
NH3
Adsorption
4-e362
J会場
第 3 日
15:00～ 15:20		J319ニューラルネットワークポテンシャルを活用したSiC-CVDの表面反応機構解析
(東大院工) ○(学)吉田 幸希・ (正)大高 雄平・ (正)佐藤 登・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)霜垣 幸浩
SiC
Chemical Vapor Deposition
Neural network potential
5-h639
J会場
第 3 日
15:20～ 15:40		J320Qmass測定を活用したSiC-CVDプロセスの反応モデルの検証
(東大院工) ○(学)吉田 幸希・ (正)大高 雄平・ (正)佐藤 登・ (正)玉置 直樹・ (正)筑根 敦弘・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)霜垣 幸浩
SiC
CVD
Quadrupole Mass Spectrometry
5-h672

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