5-h - 講演プログラム検索結果 - 化学工学会第85年会

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`化学工学会第85年会`

Last modified: 2020-03-02 11:00:00

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講演プログラム検索結果 : 5-h : 9件

講演要旨は各講演番号からリンクしています。
(講演要旨閲覧に必要なID/PWは参加登録者・ご招待者にメールでお知らせします。)
※ IChES 2020 のプログラムはこちらです。

分類番号が『5-h』から始まる講演：9件該当しました。
検索結果は開始時刻順に並んでいます。

講演時刻	講演番号	講演題目／発表者	キーワード	分類番号	受理番号
第 3 日 9:20～ 11:20	PD371	MTS/H₂を原料としたSiC-CVDプロセスにおけるSiCl₄添加効果の検討 (東大院工) ○(学)大高雄平・ (東大工) (学)安治遼祐・ (東大院工) (学)佐藤登・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	CVD SiC Recycle	5-h	450
第 3 日 9:20～ 11:20	PD372	流動層による有機金属蒸気供給と触媒担持および長尺カーボンナノチューブの合成 (早大先進理工) ○(学)立川明林・ (早大理工総研) Li Mochen・ (早大先進理工) (正)杉目恒志・ (正)大沢利男・ (正)野田優	carbon nanotube fluidized bed chemical vapor deposition	5-h	396
第 3 日 9:20～ 11:20	PD377	X線管用カーボンナノチューブ電界放出電子源の作製と階層構造制御 (早大理工) ○(学)安井浩太郎・北川紗映・ (正)杉目恒志・越智隼人・高橋大造・ (早大理工) (正)野田優	carbon nanotube electron field emitter hierarchical structure control	5-h	515
第 3 日 9:20～ 11:20	PD378	TiAlN-CVDプロセスの反応モデル構築に向けた速度過程解析(2) (東大院工) ○(学)山口潤・平原智子・ (京セラ) (法)久保隼人・ (東大院工) (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (京セラ) (法)谷渕栄仁・ (東大院工) (正)霜垣幸浩	CVD TiAlN cutting tool	5-h	103
第 3 日 13:00～ 14:40	J313	SiC-CVIプロセスにおける表面反応のモデル化に向けた反応過程の理論検討 (東大院工) ○(学)佐藤登・ (学)大高雄平・ (学)安治遼祐・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	CH3SiCl3 SiC CVI surface reaction	5-h	222
第 3 日 13:00～ 14:40	J314	Time-evolution of film thickness profiles by level set method during CVD multiscale simulation (東大院工) ○(学)Zhang Jin・ (正)出浦桃子・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	multiscale simulation chemical vapor deposition level set method	5-h	462
第 3 日 13:00～ 14:40	J315	固体原料併用PECVD法における分散媒が合成された複合薄膜に及ぼす影響 (広大院工) ○(正)島田学・ (技基)高橋一真・ (正)久保優	titanium dioxide carbon nanotube photocatalyst	5-h	572
第 3 日 13:00～ 14:40	J316	プラズマCVD法シリカ系ガスバリア膜の残留応力 (京大工) ○(正)河瀬元明・ (学)平田桑一朗・ (学·技基)脇坂知樹	CVD residual stress silica gas barrier film	5-h	608
第 3 日 13:00～ 14:40	J317	ヨウ化鉛メチルアンモニウムペロブスカイト膜のCVDプロセスの開発 (京大工) ○(正)河瀬元明・ (学)村上誉紀・ (学)松田萌	CVD methylammonium lead iodide lead melt	5-h	614

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