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化学工学会 第52回秋季大会 (岡山)

講演プログラム検索結果 : 玉置 直樹 : 2件

ST-25,SY-56,SY-64,SY-65,SY-70は双方向ライブ配信利用予定からオンライン実施に変更されました(本変更を最後とします)。
双方向ライブ配信利用はプログラム一覧表で黄色・赤色背景のセッションです。
赤色のセッションは岡山のライブ配信会場にオーガナイザー不在の予定です。黄色は不在となる可能性があります。いずれの場合も会場は開設しますのでご来場いただいて発表・聴講いただけます。
[アクセス][フロアマップ]
講演要旨は講演番号からリンクしています(クリックかタップしてください)。
参加登録者(一般公開企画のみ参加者を除く)およびご招待者にメールでお知らせしたID/PWが必要です。

司会・座長氏名 が『玉置 直樹』と一致するセッション:2件該当しました。
検索結果は開始時刻順に並んでいます。また、フラッシュ付きポスターの場合、フラッシュとポスターの2件となります。

講演
時刻
講演
番号
講演題目/発表者キーワード分類
番号
受理
番号
第 1 日
10:4012:00
   座長 玉置 直樹河瀬 元明
VC106[展望講演] 半導体メモリ技術経済産業現在発展する未来
CVD
semiconductor memory
industry
ST-22517
VC108次世代半導体用配線材料としての MAX化合物製膜評価
Max Phase
semiconductor
ST-22864
VC109ビスマス原料とした太陽電池用ペロブスカイト薄膜CVDプロセス開発
CVD
perovskite
methylammonium bismuth iodide
ST-22375
第 2 日
9:0011:40
   座長 齊藤 丈靖玉置 直樹
VC201[展望講演] 反応性プラズマを用いたナノ粒子成長制御とその応用展開
CVD
nano-particles
growth control
ST-22514
VC203One-step fabrication of CuO-loaded TiO2 nanoparticulate thin film for photocatalytic application under visible light irradiation
PECVD-PVD
nanocomposite
heterojunction
ST-22154
VC204Ti[N(CH3)2]4を用いたプラズマCVD法によるTiCN膜の作製
plasma CVD
TDMAT
TiCN
ST-22863
(VC205)休憩
VC206[招待講演] プラズマ照射下空間ミクロかつ時間マクロ構造変化再現計算への挑戦
CVD
plasma
numerical simulation
ST-22519
VC208理論的検討に基づいたTiAlN-CVDプロセスにおける気相素反応機構構築
TiAlN
CVD
Elementary reaction model
ST-22785

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