化学工学会 第90年会 (東京)
講演プログラム検索結果 : 霜垣 幸浩 : 10件
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発表者または座長 が『霜垣 幸浩』と一致する講演：10件該当しました。
検索結果は開始時刻順に並んでいます。
| 講演 時刻 | 講演 番号 | 講演題目／発表者 | キーワード | 分類 番号 | 受理 番号 |
|---|---|---|---|---|---|
| 第 1 日 | Z105 | [学会賞] 化学反応を利用した薄膜形成プロセスの論理的最適化に関する研究 | The SCEJ Award | 0-a | 719 |
| 第 3 日 | PD349 | FM-CVDによるAlN薄膜成長時の膜質・段差被覆性評価 | CVD AlN 3DIC | 5-h | 258 |
| 第 3 日 | PD356 | SiCf/SiC-CMC製造用CVIプロセスの最適設計に向けたニューラルネットワークポテンシャルを用いた表面反応解析 | SiC CVI CVD | 5-h | 321 |
| 第 3 日 | PD369 | ALDによるPd製膜プロセスと基板依存性の検討 | palladium AS-ALD growth enhancer | 5-h | 345 |
| 第 3 日 | PD372 | 低MTS高水素条件CVIによるSiC初期成長の製膜実験による考察 | SiC CVI CMC | 5-h | 430 |
| 第 3 日 | J315 | Nb薄膜の低温プラズマ製膜プロセスの検討 | niobium plasma deposition low-temperature | 5-h | 313 |
| 第 3 日 | J319 | ニューラルネットワークポテンシャルを用いた吸脱着平衡定数・表面反応速度定数の推算 | machine learned potential surface kinetics | 5-h | 461 |
| 第 3 日 | J320 | ニューラルネットワークポテンシャルを用いたトリメチルアルミニウムの吸着状況の解析 | ALD CVD Surface Adsorption | 5-h | 263 |
| 第 3 日 | J321 | Co-ALDにおける初期核発生と成長過程の評価 | atomic layer deposition initial growth in-situ observation | 5-h | 551 |
| 第 3 日 | J322 | Mo(CO)6を用いたMo原子層成長プロセス開発 | Mo(CO)6 low resistivity good step coverage | 5-h | 324 |
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