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化学工学会 第90年会 (東京)

Last modified: 2025-03-20 07:53:24

講演プログラム（セッション別） : 5. 反応工学

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5. 反応工学

J 会場 ・ 第 1 日 | J 会場 ・ 第 2 日 | J 会場 ・ 第 3 日

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
J 会場(講義棟 4F 402) ・ 第 1 日(3月12日(水))
(13:00～14:40) (座長 大島 一真・森 武士)
13:00～ 13:20J113Expansion of operating window of gas-liquid segmented flow in microchannels using a high-speed valve
(京大院工) ○(海)Leung Chiyuen・ (正)Sotowa Ken-Ichiro・ (正)Tonomura Osamu
Gas-liquid segmented flow
Microchannel
High-speed valve
5-f175
13:20～ 13:40J114Ru系光触媒を固定した高分子粒子の開発およびフロー酸化反応への応用
(九大院工) ○(正·技基)松本 光・ (学)西村 和也・ (正)長尾 匡憲・ (正)三浦 佳子
Polymer-supported catalyst
Ru photocatalyst
continuous-flow reaction
5-f40
13:40～ 14:00J115マイクロミキサーを活用したポリマー微粒子合成
(パナソニックホールディングス) ○(正)細川 淳二・ 高橋 美枝・ 中村 太一
Micromixer
Polymer particle
Emulsion polymerization
5-f59
14:00～ 14:20J116多孔性ゲルに固定化した固定化触媒を用いた連続流通
(九大院工) ○(正)三浦 佳子・ 重枝 春孝・ (正·技士)松本 光・ (正)長尾 匡憲
Residence time distribution
Continuous flow reaction
Immobilized catalyst
5-f392
14:20～ 14:40J117Developing automated kinetic measurement instruments for amidation reaction
(AIST) ○(正)Yusniyanti Febi・ (正)Wahyudianto Benny・ Saito Takashi・ (正)Takebayashi Yoshihiro・ (正)Kataoka Sho
amide bond formation
kinetic measurement
solvent
5-e172
(15:00～16:00) (座長 三浦 佳子・村上 裕哉)
15:00～ 15:20J119液液スラグフローの有効界面積に与える液膜の影響の解析
(阪公大院工) (学·技基)吉村 太智・ (正)沖田 愛利香・ (正)安田 昌弘・ ○(正)堀江 孝史
Liquid-liquid slug flow
Microreactor
Mass transfer
5-f716
15:20～ 15:40J120新規メカノケミカル法を用いた古紙からのセルロースオリゴ糖の分離
(道総研工試) ○(正)森 武士・ (正)小川 雄太・ (明和製紙原料) 片山 楓・ 粟井 崇広・ 駒津 慎・ (道総研工試) (正)松嶋 景一郎
paper wastes
mechanochemistry
depolymerization
5-g252
15:40～ 16:00J121電気アシストを用いた化学溶解法による炭素繊維強化プラスチックからの繊維回収
(九大院工) ○(正)大島 一真・ (学)小林 燎平・ (香川大工) 松田 伸也・ (九大院工) (正)岸田 昌浩
CFRP Recycling
Electrical treatment
Acid solution
5-i8
J 会場(講義棟 4F 402) ・ 第 2 日(3月13日(木))
(9:20～10:20) (座長 島内 寿徳・藤墳 大裕)
9:20～ 9:40J202ZnOおよびg-C3N4光触媒による過酸化水素製造におけるアルコール、フッ素イオンの添加効果
(長岡高専) ○(正)村上 能規・ 佐藤 希海・ 丸山 ちひろ
Photocatalysis
H2O2
5-a54
9:40～ 10:00J203逆水性ガスシフト反応を加速するスパイラル形構造体触媒の幾何形状効果
(静大工) ○(正)赤間 弘・ (静大院工) (学)仲澤 佑真・ (正)渡部 綾・ (正)福原 長寿
Spiral catalyst
Electroless plating
Reverse water-gas shift
5-a504
10:00～ 10:20J204バイオガスを直接メタン化する革新的触媒変換技術:CO2分離不要な高濃度CH4製造
(静大院工) ○(正)福原 長寿・ (学)植田 祥太・ (正)渡部 綾・ (静大工) (正)赤間 弘
Biogas
Methanation
Structured catalyst
5-a498
(10:40～12:00) (座長 赤間 弘・村上 能規)
10:40～ 11:00J206有機光触媒による可視光照射下での二酸化炭素の水による還元反応
(神戸大工) ○(正)市橋 祐一・ (学)獅子田 和樹・ 大石 海斗
Reduction of carbon dioxide
Organic photocatalyst
Methanol synthesis
5-a447
11:00～ 11:20J207C2H4の合成を目的としたCO2電解還元用触媒の試作と評価
(カネカ) ○(正)宇久 恭司・ (法)藤村 樹・ (正·技士)浅井 洋介
CO2
Ethylene
Electrolysis
5-a123
11:20～ 11:40J208原料H2/N2比制御によるNH3合成量調整法
(豊田中研) ○(正)菊川 将嗣・ (法)後藤 能宏・ (法)山崎 清・ (法)松本 満・ (法)青木 正和・ (トヨタ自) 佐藤 彰倫・ (産総研) 眞中 雄一・ 難波 哲哉
NH3 synthesis
Ru catalyst
hydrogen carrier
5-a89
11:40～ 12:00J209電場印加と水素膜分離を組み合わせたNH3分解反応
(岐阜大工) ○(正)上宮 成之・ (岐阜大院自) 鈴木 達也・ (岐阜大工) (正)宮本 学・ (岐阜大高等研) (正)近江 靖則
NH3 decomposition
Electric field
Membrane reactor
5-d398
(13:00～14:40) (座長 市橋 祐一・高田 知哉)
13:00～ 13:20J213オペランドX線イメージングを利用したゼロギャップ型CO2電解セル内部の液挙動解析
(東芝) ○(正)藤原 直也・ 山際 正和・ 北川 良太・ 吉木 昌彦・ 沖 充浩・ 王 萍・ 秋元 陽介
CO2 electrolysis
X-ray imaging
operando radiography
5-a305
13:20～ 13:40J214還元鉄の炭化反応における反応機構の解明および反応量の推算
(神戸製鋼所) ○(正)矢田部 翔多・ (法)前田 基秀・ (東北大) 村上 太一
Direct Reduced Iron
Carbonization
Boudouard Reaction
5-a184
13:40～ 14:00J215メタノールからのパラキシレン合成におけるシリカライト被覆コアシェルMFI型ゼオライト触媒の開発
(川崎重工業) ○(法)米田 滉司・ (法)鬼頭 慎太郎・ (法)藁谷 友祐・ (法)谷山 教幸・ (阪大院基工) (正)三宅 浩史・ (正)西山 憲和
CCUS
catalyst
p-xylene
5-a292
14:00～ 14:20J216化学ループにおけるアルカリ金属およびアルカリ土類金属の修飾によるイルメナイトの反応性と水素収率の向上
(Science Tokyo) ○(海)Sun Zhuang・ (正)Otomo Junichiro
Ilmenite modification
alkali and alkaline earth metals
redox kinetics
5-a346
14:20～ 14:40J217ケミカルループメタン酸化におけるカルシウムフェライト酸素キャリアの相変化と反応活性
(Science Tokyo) ○(学)小坂 貢之・ (正)大友 順一郎
chemical looping
calcium ferrite
structural phase transformation
5-a664
(15:00～16:00) (座長 上宮 成之・菊川 将嗣)
15:00～ 15:20J219液液スラグ流によるフルフラールの反応抽出における合流回数の影響
(岡山大院環生) ○(正)島内 寿徳・ (正)山野 晃平・ (慶應大理工) (正)藤岡 沙都子・ (正)寺坂 宏一・ (岡山大院環生) (正)木村 幸敬
mixing
liquid-liquid slug flow
reactive extraction
5-d662
15:20～ 15:40J220H2とCO2を原料とするカーボン製造技術の開発
(IHI) ○(法)乙幡 拓希・ (正)中村 至高・ (法)渕瀨 啓太
CO2 utilization
carbon synthesis
hydrogen
5-a57
15:40～ 16:00J221火炎噴霧熱分解法で調製したNi@SiO2コアシェル触媒におけるNi含有量の影響
(金沢大新学術) ○(正)藤原 翔・ (金沢大理工) 尾形 勇樹・ (北陸先端大) 東嶺 孝一・ (金沢大理工) (正)大坂 侑吾・ (正)辻口 拓也・ (金沢大新学術) (正)児玉 昭雄
Flame spray pyrolysis
Ni catalysts
Dry reforming of methane
5-a137
(16:00～17:00) (座長 藤原 翔・大友 順一郎)
16:00～ 16:20J222Ni-Mo2C/MgO触媒によるCH4/CO2からの水素リッチガスとCNTの合成
(京大院工) ○(海)Saconsint Supanida・ (正)佐野 紀彰・ (Mahidol U.) Ratchahat Sakhon
catalyst
dry reforming of methane
biogas
5-a575
16:20～ 16:40J223窒素及びリンを導入したメタルフリー炭素系触媒を用いたCO2電解による合成ガス生成
(阪大院基工) ○(学)高田 龍司・ (鳥取大院工) 岡田 拓之・ (阪大院基工) (正)三宅 浩史・ (正)内田 幸明・ (鳥取大院工) 辻 悦治・ (阪大院基工) (正)西山 憲和
CO2 electrolysis
syngas
metal-free electrocatalyst
5-a41
16:40～ 17:00J224インライン分光を用いたZrO2触媒によるエステル直接アミド化のフロー反応解析
(産総研) ○(正)千田 勤・ (正)竹林 良浩・ (正)陶 究・ (正)片岡 祥
flow reactor
in-line monitoring
infrared and near-infrared spectroscopy
5-a183
J 会場(講義棟 4F 402) ・ 第 3 日(3月14日(金))
オーガナイズドセッション(反応工学部会CVD反応分科会)
(13:00～14:20) (座長 島田 学・玉置 直樹)
13:00～ 13:20J313HF蒸気を用いた薄膜エッチングに関する実験および数値シミュレーション
(Screen SPE) ○(正)寶田 浩延・ 藤原 光・ 滝 朋恵・ 瀧 昭彦・ 黒枝 篤史・ 折坂 昌幸
CFD
Vapor Process
Etching
5-h306
13:20～ 13:40J314アルミニウム層成長によるトリメチルアルミニウムと水素の気相反応に関する密度汎関数理論研究
(京大院工) ○(学)李 亜飛・ (正)河瀬 元明
Aluminum deposition
Density functional theory
MOCVD
5-h247
13:40～ 14:00J315Nb薄膜の低温プラズマ製膜プロセスの検討
(東大院工) ○(学)田中 潤・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
niobium
plasma deposition
low-temperature
5-h313
14:00～ 14:20J316An evaluation of high temperature processed Bi-based perovskite thin film for photovoltaic application
(京大工) ○(海)楊 紫光・ 眞榮田 亮・ (正)河瀬 元明
chemical vapor deposition
perovskite solar cells
chemical reaction engineering
5-h564
(14:40～16:20) (座長 河瀬 元明・清水 秀治)
14:40～ 15:00J318気相合成されたTiO2、TiO2+CuOナノ粒子薄膜の種々の反応場における光触媒性能
(広大院先進理工) Hudandini Meditha・ (ITS Surabaya) Kusdianto K.・ (広大院先進理工) (正)久保 優・ ○(正)島田 学
PECVD
nanoporous composite
aerosol deposition
5-h268
15:00～ 15:20J319ニューラルネットワークポテンシャルを用いた吸脱着平衡定数・表面反応速度定数の推算
(東大院工) ○(正)佐藤 登・ (学)吉田 幸希・ (正)大高 雄平・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
machine learned potential
surface kinetics
5-h461
15:20～ 15:40J320ニューラルネットワークポテンシャルを用いたトリメチルアルミニウムの吸着状況の解析
(U. Tokyo) ○(学)Wu Yuxuan・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
ALD
CVD
Surface Adsorption
5-h263
15:40～ 16:00J321Co-ALDにおける初期核発生と成長過程の評価
(東大院工) ○(正)玉置 直樹・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
atomic layer deposition
initial growth
in-situ observation
5-h551
16:00～ 16:20J322Mo(CO)6を用いたMo原子層成長プロセス開発
(東大院工) ○(学)小原 聡顕・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
Mo(CO)6
low resistivity
good step coverage
5-h324
16:20～ 16:40CVD反応分科会奨励賞授賞式

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