杉目恒志 - 講演プログラム検索結果 - 化学工学会第54回秋季大会 (福岡)

`化学工学会第54回秋季大会 (福岡)`

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講演プログラム検索結果 : 杉目恒志 : 6件

講演番号先頭がPの講演はポスター講演、それ以外の講演は口頭講演です。
講演要旨を公開しました(要ID/PW)。講演番号をクリックしてください。
(ご招待者・有料参加登録者にお知らせしたID/PWが必要です)

発表者または座長が『杉目恒志』と一致する講演：4件該当しました。
司会・座長氏名が『杉目恒志』と一致するセッション：2件該当しました。
検索結果は開始時刻順に並んでいます。また、フラッシュ付きポスターの場合、フラッシュとポスターの２件となります。

講演時刻	講演番号	講演題目／発表者	キーワード	分類番号	受理番号
第 2 日 9:00～ 10:20	座長杉目恒志・清水秀治
	S201	反射光強度変化を利用したCo製膜初期過程の観測 (東大院工) ○(学)木村俊介・ (正)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)百瀬健・ (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	cobalt ALD reflectance	ST-24	895
	S202	Morphology Improvement of Chemical Vapor Deposited Bismuth-based Perovskite Thin Film for Photovoltaic Use (京大工) ○(海)楊紫光・ (学)戸上敬登・ (学)田邉舞香・ (正)河瀬元明	Chemical vapor deposition Methylammonium bismuth iodide Molten bismuth	ST-24	425
	S203	不飽和度の異なる炭化水素種からのコーク生成速度の解析 (京大工) ○(学)仲野真治・ (正)藤墳大裕・ (正)河瀬元明	coking CVD Carbon	ST-24	255
	S204	化学気相成長法によるシリコン-炭素複合材料の作製とリチウムイオン電池負極への応用 (早大先進理工) ○(学·技基)岡順也・ (早大ナノライフ) (正)大沢利男・ (早大先進理工) (正)野田優	Chemical Vapor Deposition (CVD) Silicon Lithium-ion battery	ST-24	76
第 2 日 9:30～ 11:00	PA227	カーボンナノチューブ-ポリアニリン複合膜による高容量電気化学キャパシタの開発 (近畿大院総理工) ○(学)酒井郁弥・ (近畿大有害処理) 納谷真一・ (近畿大院総理工) 多田弘明・ (正)杉目恒志	carbon nanotube polyaniline electrochemical capacitor	SY-79	584
第 2 日 9:30～ 11:00	PA235	長尺カーボンナノチューブ電極によるグアニンの電気化学的検出 (近畿大院総理工) ○(学)藤原廉人・ (近畿大有害処理) 納谷真一・ (近畿大院総理工) 多田弘明・ (正)杉目恒志	carbon nanotube electrochemical biosensor guanine	SY-79	605
第 2 日 10:30～ 12:00	PA212	高密度カーボンナノチューブフォレストによるグアニンの電気化学計測 (近畿大院総理工) ○(学)長谷川直博・ (近畿大有害処理) 納谷真一・ (近畿大院総理工) 多田弘明・副島哲朗・ (正)杉目恒志	Carbon nanotube Electrochemical Biosensors Guanine	SY-79	650
第 2 日 10:30～ 12:00	PA244	フッ素フリーMXeneの合成と水素発生用電気化学触媒への応用 (近畿大院総理工) ○(学)八木亮・エンヨウソウ・ (近畿大有害処理) 納谷真一・ (近畿大院総理工) 多田弘明・ (正)杉目恒志	MXene hydrogen evolution reaction molten salt	SY-79	662
第 2 日 10:40～ 11:50	座長杉目恒志・清水秀治
	S206	MTS/H₂を用いたSiC-CVIへのSiCl₄添加効果の詳細検討 (東大院工) ○(学)大高雄平・ (正)佐藤登・ (学)木村俊介・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	SiC CVI MTS	ST-24	862
	S207	SiC-CVI法における高濃度水素供給を利用した高速含浸条件の検討 (東大院工) ○(学)木村俊介・ (学)大高雄平・ (正)佐藤登・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	SiC CVI CVD	ST-24	843
	S208	[招待講演] SiCパワーデバイスの高性能化に向けたエピタキシャル成長技術の開発 (三菱電機先端総研) 田中貴規	Silicon carbide Power device Epitaxial growth	ST-24	518

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