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化学工学会 第54回秋季大会 (福岡)

Last modified: 2023-12-10 19:09:26

講演プログラム（セッション別） : ST-24

講演番号先頭がPの講演はポスター講演、それ以外の講演は口頭講演です。
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ST-24 [部会横断型シンポジウム]
CVD/ALD・ドライプロセス －構造・機能制御の反応工学－

オーガナイザー：西田　哲（岐阜大学）・百瀬　健（熊本大学）・清水 秀治（大陽日酸(株)）

CVDやALDなどのドライプロセスはエレクトロニクス、エネルギーデバイス、機能性コーティングなど様々な分野で重要な基幹技術となっています。本シンポジウムでは、ドライプロセスを利用した薄膜形成、微粒子合成、微細加工の反応メカニズムを反応工学的見地より理解し、合理的で効率的な反応プロセスや反応装置を議論します。

S 会場 ・ 第 1 日 | S 会場 ・ 第 2 日

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
S 会場(8号館 1F 815) ・ 第 1 日(9月11日(月))
(13:15～13:20)
13:15～ 13:20開会の挨拶
(13:20～14:40) (座長 百瀬 健・西田 哲)
13:20～ 14:00S114[展望講演] 三次元積層実装技術の研究開発動向と今後の展望
(熊大) 青柳 昌宏
3D-IC
chip stacking
TSV
ST-24814
14:00～ 14:20S116次世代ULSI配線用モリブデン原子層成長プロセスの開発
(東大院工) ○(学)Liu Haonan・ (学)Wu Yuxuan・ (正)Yamaguchi Jun・ (正)Sato Noboru・ (正)Tsukune Atsuhiro・ (正)Momose Takeshi・ (正)Shimogaki Yukihiro
ALD
Molybdenum
interconnect
ST-24845
14:20～ 14:40S117Co-ALDによる選択成長プロセスの検討
(東大院工) ○(正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)百瀬 健・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
cobalt
ALD
selective deposition
ST-24837
14:40～ 15:00休憩
(15:00～17:00) (座長 島田 学・羽深 等)
15:00～ 15:20S119SiCxNyOzの室温プラズマCVD製膜における前駆体の相互作用
(横国大) 川上 広樹・ 堀 健太・ 渡部 亨・ ○(正)羽深 等
SiCNO
PECVD
Interaction
ST-2494
15:20～ 15:40S1203次元集積回路用AlN薄膜の低温CVDプロセス開発
(東大院工) ○(学)小原 聡顕・ 二宮 健生・ 高木 剛・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
AlN film
chemical vapor deposition
low temperature
ST-24229
15:40～ 16:00S121ホウ素と水蒸気を用いた気体ホウ素源供給と鋳型法による窒化ホウ素ナノチューブの合成
(早大先進理工) ○(学·技基)甲斐田 敬済・ 髙橋 宏夢・ (早大理工総研) (正)李 墨宸・ (早大ナノライフ) (正)大沢 利男・ (早大先進理工) (正)野田 優
Boron Nitride Nanotube (BNNT)
Template coating method
Boron oxide
ST-24168
16:00～ 16:20S122超臨界流体薄膜堆積法によるポリマー上への低抵抗率銅薄膜形成プロセスの開発
(東大院工) ○(学)中嶋 佑介・ (正)霜垣 幸浩・ (東大院工/熊大半導体) (正)百瀬 健
SCFD
Polymer
resistivity
ST-24304
16:20～ 16:40S123臭素蒸気を用いたカーボンナノチューブの低損傷乾式精製法の開発
(早大先進理工) ○(学·技基)後藤 拓磨・ (早大ナノライフ) (正)大沢 利男・ (早大先進理工) (正)野田 優
Carbon nanotube
Purification
Bromine vapor
ST-24344
16:40～ 17:00S124水晶振動子によるトリメチルアルミニウムの吸着状態のその場測定
(U. Tokyo) ○(学)Wu Yuxuan・ (学)Liu Haonan・ (正)Yamaguchi Jun・ (正)Sato Noboru・ (正)Tsukune Atsuhiro・ (正)Momose Takeshi・ (正)Shimogaki Yukihiro
ALD
QCM
Adsorption
ST-24705
S 会場(8号館 1F 815) ・ 第 2 日(9月12日(火))
(9:00～10:20) (座長 杉目 恒志・清水 秀治)
9:00～ 9:20S201反射光強度変化を利用したCo製膜初期過程の観測
(東大院工) ○(学)木村 俊介・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)百瀬 健・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
cobalt
ALD
reflectance
ST-24895
9:20～ 9:40S202Morphology Improvement of Chemical Vapor Deposited Bismuth-based Perovskite Thin Film for Photovoltaic Use
(京大工) ○(海)楊 紫光・ (学)戸上 敬登・ (学)田邉 舞香・ (正)河瀬 元明
Chemical vapor deposition
Methylammonium bismuth iodide
Molten bismuth
ST-24425
9:40～ 10:00S203不飽和度の異なる炭化水素種からのコーク生成速度の解析
(京大工) ○(学)仲野 真治・ (正)藤墳 大裕・ (正)河瀬 元明
coking
CVD
Carbon
ST-24255
10:00～ 10:20S204化学気相成長法によるシリコン-炭素複合材料の作製とリチウムイオン電池負極への応用
(早大先進理工) ○(学·技基)岡 順也・ (早大ナノライフ) (正)大沢 利男・ (早大先進理工) (正)野田 優
Chemical Vapor Deposition (CVD)
Silicon
Lithium-ion battery
ST-2476
10:20～ 10:40休憩
(10:40～11:50) (座長 杉目 恒志・清水 秀治)
10:40～ 11:00S206MTS/H2を用いたSiC-CVIへのSiCl4添加効果の詳細検討
(東大院工) ○(学)大高 雄平・ (正)佐藤 登・ (学)木村 俊介・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
SiC
CVI
MTS
ST-24862
11:00～ 11:20S207SiC-CVI法における高濃度水素供給を利用した高速含浸条件の検討
(東大院工) ○(学)木村 俊介・ (学)大高 雄平・ (正)佐藤 登・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
SiC
CVI
CVD
ST-24843
11:20～ 11:50S208[招待講演] SiCパワーデバイスの高性能化に向けたエピタキシャル成長技術の開発
(三菱電機先端総研) 田中 貴規
Silicon carbide
Power device
Epitaxial growth
ST-24518
(13:00～14:20) (座長 百瀬 健・野田 優)
13:00～ 13:40S213[展望講演] 化学蒸着法を用いた切削工具用硬質膜の現状と展望
(京セラ) (法)谷渕 栄仁
CVD
Cutting tool
Hard coating
ST-24150
13:40～ 14:00S215DFT study on reaction paths of AlN growth by MOCVD
(京大院工) ○(学)李 亜飛・ (正)河瀬 元明
DFT
AlN
MOCVD
ST-24423
14:00～ 14:20S216金属錯体蒸気圧予測のためのCOSMO-SAC法の改良
(東大院工) ○(正)佐藤 登・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
COSMO-SAC
metal complex
vapor pressure
ST-24824
(14:20～15:50) (座長 西田 哲・舩門 佑一)
14:20～ 14:40S217Photocatalytic Performance Evaluation of TiO2 and TiO2-CuO Nanoparticulate Thin Films Prepared by a Gas Phase System
(Hiroshima U.) ○(学)Hudandini Meditha・ (ITS) Kusdianto K.・ (Hiroshima U.) (正)Kubo Masaru・ (正)Shimada Manabu
PECVD
PVD
TiO2-CuO heterojunction
ST-24778
14:40～ 15:00S218モデル触媒構造を用いた可視光応答型CuOx/TiO2光触媒反応機構の検討
(東大院工) ○(学)田中 潤・ (学)中嶋 佑介・ (正)霜垣 幸浩・ (正)百瀬 健
photocatalyst
visible light
reaction mechanism
ST-24926
15:00～ 15:20S219反応性スパッタリングによるMAX合金薄膜形成と物性評価
(阪公大院工) ○(学·技基)上田 和貴・ 若松 和伸・ (正)齊藤 丈靖・ (正)岡本 尚樹
sputtering
MAX-phase
ST-24876
15:20～ 15:50S220[招待講演] スパッタだからできる薄膜の結晶性・モフォロジー制御
(九大シス情) 板垣 奈穂
sputtering
thin film
morphology control
ST-24783
(15:50～16:20)
15:50～ 16:20閉会の挨拶、分科会幹事会

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