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化学工学会 第90年会 (東京)

Last modified: 2025-03-20 07:53:24

講演プログラム（会場・日程別） : J会場・第3日

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講演プログラム一覧表 および セッション一覧表 の黄色背景がライブ配信併用セッションです。当該セッションのみリモート聴講が可能です。
それ以外のセッションは現地のみでの実施です。

J 会場(講義棟 4F 402) ・ 第 3 日(3月14日(金))

11 エレクトロニクス | 5 反応工学

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
11. エレクトロニクス
(10:40～11:40) (座長 野田 優)
10:40～ 11:00J306固体高分子形燃料電池の移動現象の無次元支配因子
(京大院工) ○(正)馬 楡塁・ (正)長谷川 茂樹・ (正)影山 美帆・ (正)河瀬 元明
polymer electrolyte fuel cell
mass transfer resistance
electrochemical reaction engineering
11-a458
11:00～ 11:20J307亜鉛空気電池電極のためのカーボンナノチューブ/活性炭複合材料
(京大院工) ○(海)Kalong Munsuree・ (正)佐野 紀彰・ 鈴木 哲夫
Zn-air battery
carbon nanotube
activated carbon
11-a573
11:20～ 11:40J308Cuペーストの低温接合可能性の探索 -第3報-
(住友金属鉱山) ○(法)鳥山 隆浩・ (法)柏谷 智
copper
sintering
complex
11-e294
5. 反応工学
オーガナイズドセッション(反応工学部会CVD反応分科会)
(13:00～14:20) (座長 島田 学・玉置 直樹)
13:00～ 13:20J313HF蒸気を用いた薄膜エッチングに関する実験および数値シミュレーション
(Screen SPE) ○(正)寶田 浩延・ 藤原 光・ 滝 朋恵・ 瀧 昭彦・ 黒枝 篤史・ 折坂 昌幸
CFD
Vapor Process
Etching
5-h306
13:20～ 13:40J314アルミニウム層成長によるトリメチルアルミニウムと水素の気相反応に関する密度汎関数理論研究
(京大院工) ○(学)李 亜飛・ (正)河瀬 元明
Aluminum deposition
Density functional theory
MOCVD
5-h247
13:40～ 14:00J315Nb薄膜の低温プラズマ製膜プロセスの検討
(東大院工) ○(学)田中 潤・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
niobium
plasma deposition
low-temperature
5-h313
14:00～ 14:20J316An evaluation of high temperature processed Bi-based perovskite thin film for photovoltaic application
(京大工) ○(海)楊 紫光・ 眞榮田 亮・ (正)河瀬 元明
chemical vapor deposition
perovskite solar cells
chemical reaction engineering
5-h564
(14:40～16:20) (座長 河瀬 元明・清水 秀治)
14:40～ 15:00J318気相合成されたTiO2、TiO2+CuOナノ粒子薄膜の種々の反応場における光触媒性能
(広大院先進理工) Hudandini Meditha・ (ITS Surabaya) Kusdianto K.・ (広大院先進理工) (正)久保 優・ ○(正)島田 学
PECVD
nanoporous composite
aerosol deposition
5-h268
15:00～ 15:20J319ニューラルネットワークポテンシャルを用いた吸脱着平衡定数・表面反応速度定数の推算
(東大院工) ○(正)佐藤 登・ (学)吉田 幸希・ (正)大高 雄平・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
machine learned potential
surface kinetics
5-h461
15:20～ 15:40J320ニューラルネットワークポテンシャルを用いたトリメチルアルミニウムの吸着状況の解析
(U. Tokyo) ○(学)Wu Yuxuan・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
ALD
CVD
Surface Adsorption
5-h263
15:40～ 16:00J321Co-ALDにおける初期核発生と成長過程の評価
(東大院工) ○(正)玉置 直樹・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
atomic layer deposition
initial growth
in-situ observation
5-h551
16:00～ 16:20J322Mo(CO)6を用いたMo原子層成長プロセス開発
(東大院工) ○(学)小原 聡顕・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
Mo(CO)6
low resistivity
good step coverage
5-h324
16:20～ 16:40CVD反応分科会奨励賞授賞式

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