百瀬健 - 講演プログラム検索結果 - 化学工学会第54回秋季大会 (福岡)

`化学工学会第54回秋季大会 (福岡)`

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講演プログラム検索結果 : 百瀬健 : 13件

講演番号先頭がPの講演はポスター講演、それ以外の講演は口頭講演です。
講演要旨を公開しました(要ID/PW)。講演番号をクリックしてください。
(ご招待者・有料参加登録者にお知らせしたID/PWが必要です)

発表者または座長が『百瀬健』と一致する講演：10件該当しました。
司会・座長氏名が『百瀬健』と一致するセッション：3件該当しました。
検索結果は開始時刻順に並んでいます。また、フラッシュ付きポスターの場合、フラッシュとポスターの２件となります。

講演時刻	講演番号	講演題目／発表者	キーワード	分類番号	受理番号
第 1 日 13:20～ 14:40	座長百瀬健・西田哲
	S114	[展望講演] 三次元積層実装技術の研究開発動向と今後の展望 (熊大) 青柳昌宏	3D-IC chip stacking TSV	ST-24	814
	S116	次世代ULSI配線用モリブデン原子層成長プロセスの開発 (東大院工) ○(学)Liu Haonan・ (学)Wu Yuxuan・ (正)Yamaguchi Jun・ (正)Sato Noboru・ (正)Tsukune Atsuhiro・ (正)Momose Takeshi・ (正)Shimogaki Yukihiro	ALD Molybdenum interconnect	ST-24	845
	S117	Co-ALDによる選択成長プロセスの検討 (東大院工) ○(正)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)百瀬健・ (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	cobalt ALD selective deposition	ST-24	837
第 1 日 14:00～ 14:20	S116	次世代ULSI配線用モリブデン原子層成長プロセスの開発 (東大院工) ○(学)Liu Haonan・ (学)Wu Yuxuan・ (正)Yamaguchi Jun・ (正)Sato Noboru・ (正)Tsukune Atsuhiro・ (正)Momose Takeshi・ (正)Shimogaki Yukihiro	ALD Molybdenum interconnect	ST-24	845
第 1 日 14:20～ 14:40	S117	Co-ALDによる選択成長プロセスの検討 (東大院工) ○(正)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)百瀬健・ (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	cobalt ALD selective deposition	ST-24	837
第 1 日 15:20～ 15:40	S120	3次元集積回路用AlN薄膜の低温CVDプロセス開発 (東大院工) ○(学)小原聡顕・二宮健生・高木剛・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	AlN film chemical vapor deposition low temperature	ST-24	229
第 1 日 16:00～ 16:20	S122	超臨界流体薄膜堆積法によるポリマー上への低抵抗率銅薄膜形成プロセスの開発 (東大院工) ○(学)中嶋佑介・ (正)霜垣幸浩・ (東大院工/熊大半導体) (正)百瀬健	SCFD Polymer resistivity	ST-24	304
第 1 日 16:40～ 17:00	S124	水晶振動子によるトリメチルアルミニウムの吸着状態のその場測定 (U. Tokyo) ○(学)Wu Yuxuan・ (学)Liu Haonan・ (正)Yamaguchi Jun・ (正)Sato Noboru・ (正)Tsukune Atsuhiro・ (正)Momose Takeshi・ (正)Shimogaki Yukihiro	ALD QCM Adsorption	ST-24	705
第 2 日 9:00～ 9:20	S201	反射光強度変化を利用したCo製膜初期過程の観測 (東大院工) ○(学)木村俊介・ (正)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)百瀬健・ (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	cobalt ALD reflectance	ST-24	895
第 2 日 10:40～ 11:00	S206	MTS/H₂を用いたSiC-CVIへのSiCl₄添加効果の詳細検討 (東大院工) ○(学)大高雄平・ (正)佐藤登・ (学)木村俊介・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	SiC CVI MTS	ST-24	862
第 2 日 11:00～ 11:20	S207	SiC-CVI法における高濃度水素供給を利用した高速含浸条件の検討 (東大院工) ○(学)木村俊介・ (学)大高雄平・ (正)佐藤登・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	SiC CVI CVD	ST-24	843
第 2 日 13:00～ 14:20	座長百瀬健・野田優
	S213	[展望講演] 化学蒸着法を用いた切削工具用硬質膜の現状と展望 (京セラ) (法)谷渕栄仁	CVD Cutting tool Hard coating	ST-24	150
	S215	DFT study on reaction paths of AlN growth by MOCVD (京大院工) ○(学)李亜飛・ (正)河瀬元明	DFT AlN MOCVD	ST-24	423
	S216	金属錯体蒸気圧予測のためのCOSMO-SAC法の改良 (東大院工) ○(正)佐藤登・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	COSMO-SAC metal complex vapor pressure	ST-24	824
第 2 日 14:00～ 14:20	S216	金属錯体蒸気圧予測のためのCOSMO-SAC法の改良 (東大院工) ○(正)佐藤登・ (正)百瀬健・ (正)霜垣幸浩	COSMO-SAC metal complex vapor pressure	ST-24	824
第 2 日 14:40～ 15:00	S218	モデル触媒構造を用いた可視光応答型CuO_x/TiO₂光触媒反応機構の検討 (東大院工) ○(学)田中潤・ (学)中嶋佑介・ (正)霜垣幸浩・ (正)百瀬健	photocatalyst visible light reaction mechanism	ST-24	926
第 3 日 13:00～ 14:20	座長三島健司・百瀬健
	Z313	亜臨界・超臨界メタノール中のエステル交換反応に利用可能な固体塩基触媒の検討 (東大院新領域) ○(正)秋月信・張夢琪・ (正)大島義人	Sub- and supercritical methanol Solid base catalyst Transesterification	SY-73	370
	Z314	液化ジメチルエーテルを用いた高分子凝集剤の抽出挙動の検討 (名大院工) ○(正)王涛・ (学)楠美海斗・ (正)朱力・徐波・ (京大院工) 米澤璃穂・本間亮介・ (名大院工) (正)山本徹也・ (京大院工) 塩田憲司・高岡昌輝・大下和徹・ (名大院工) (正)神田英輝	Hansen Solubility Parameters solvent extraction microalgae	SY-73	509
	Z315	液化ジメチルエーテルを用いた植物由来オイルの量産検討 (アルビオン) ○(正)鳥井昭吾・ (正)鈴木章悟	dimethyl ether extraction seed oil	SY-73	547
	Z316	塩基性熱水を用いたPFCAの脱フッ素化速度 (中央大院理工) (学)遠藤純・ (中央大理工) ○(正)船造俊孝	Defluorination PFCA Rate	SY-73	1016

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