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化学工学会 第55回秋季大会

Last modified: 2024-09-19 02:24:28

講演プログラム（会場・日程別） : J会場・第2日 : J213

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J 会場(C棟 3階 C310) ・ 第 2 日(9月12日(木))

ST-25

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
ST-25 [部会横断型シンポジウム]
CVD/ALD・ドライプロセス －構造・機能制御の反応工学－
(10:40～12:00) (座長 島田 学・筑根 敦弘)
10:40～ 11:20J206[招待講演] 新しいライフスタイル(社会環境変革)を支える最新のプリント基板の動向
(ユニマイクロンジャパン) 藁谷 幸繁
high-speed communication
high heat dissipation
printed circuit board
ST-25257
11:20～ 11:40J208カーボンナノチューブの低損傷分散とスプレーコートによる透明ヒーターの開発
(早大先進理工) ○(学)蓮實 直海・ (早大理工総研) (正)大沢 利男・ (早大先進理工) (正)野田 優
Carbon nanotubes
Transparent heater
Spray coating
ST-25829
11:40～ 12:00J209A reaction engineering approach of bismuth-based perovskite thin film orientation adjustment
(京大工) ○(海)楊 紫光・ (正)河瀬 元明
Chemical vapor deposition
Perovskite solar cell
crystal orientation control
ST-251098
(13:00～14:40) (座長 霜垣 幸浩・西田 哲)
13:00～ 13:40J213[招待講演] ラジカルを用いた低温成膜及び処理の可能性
(北見工大) ○武山 真弓・ 佐藤 勝
3D-LSI
low-temperature process
radical treatment
ST-25351
13:40～ 14:00J215三次元立体集積回路(3DIC)構成用高熱伝導性AlN膜の低温FM-CVD
(東大院工) ○(正)大高 雄平・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
AlN
CVD
3DIC
ST-25957
14:00～ 14:20J216SiCf/SiC-CMC製造CVIプロセスにおける製膜反応速度式の検討
(東大院工) ○(学)吉田 幸希・ (正)大高 雄平・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)霜垣 幸浩
SiC
CVI
CVD
ST-25826
14:20～ 14:40J217SiCf/SiC-CMC量産化に向けた包括的なSiC-CVIプロセス開発
(東大院工) ○(正)大高 雄平・ (学)吉田 幸希・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)霜垣 幸浩
SiC
CVI
CVD
ST-25954

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化学工学会 第55回秋季大会

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