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化学工学会 第55回秋季大会

Last modified: 2024-09-19 02:24:28

講演プログラム(会場・日程別) : J会場・第2日 : J213

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J 会場(C棟 3階 C310)第 2 日(9月12日(木))

ST-25

講演
時刻
講演
番号
講演題目/発表者キーワード分類
番号
受理
番号
ST-25 [部会横断型シンポジウム]
CVD/ALD・ドライプロセス -構造・機能制御の反応工学-
(10:40~12:00) (座長 島田 学筑根 敦弘)
10:4011:20J206[招待講演] 新しいライフスタイル(社会環境変革)を支える最新のプリント基板の動向
(ユニマイクロンジャパン) 藁谷 幸繁
high-speed communication
high heat dissipation
printed circuit board
ST-25257
11:2011:40J208カーボンナノチューブの低損傷分散とスプレーコートによる透明ヒーターの開発
(早大先進理工) ○(学)蓮實 直海(早大理工総研) (正)大沢 利男(早大先進理工) (正)野田 優
Carbon nanotubes
Transparent heater
Spray coating
ST-25829
11:4012:00J209A reaction engineering approach of bismuth-based perovskite thin film orientation adjustment
(京大工) ○(海)楊 紫光(正)河瀬 元明
Chemical vapor deposition
Perovskite solar cell
crystal orientation control
ST-251098
(13:00~14:40) (座長 霜垣 幸浩西田 哲)
13:0013:40J213[招待講演] ラジカルを用いた低温成膜及び処理の可能性
(北見工大) ○武山 真弓佐藤 勝
3D-LSI
low-temperature process
radical treatment
ST-25351
13:4014:00J215三次元立体集積回路(3DIC)構成用高熱伝導性AlN膜の低温FM-CVD
(東大院工) ○(正)大高 雄平(正)山口 潤(正)佐藤 登(正)筑根 敦弘(正)霜垣 幸浩
AlN
CVD
3DIC
ST-25957
14:0014:20J216SiCf/SiC-CMC製造CVIプロセスにおける製膜反応速度式の検討
(東大院工) ○(学)吉田 幸希(正)大高 雄平(正)佐藤 登(正)筑根 敦弘(IHI) (正)福島 康之(東大院工) (正)霜垣 幸浩
SiC
CVI
CVD
ST-25826
14:2014:40J217SiCf/SiC-CMC量産化に向けた包括的なSiC-CVIプロセス開発
(東大院工) ○(正)大高 雄平(学)吉田 幸希(正)佐藤 登(正)筑根 敦弘(IHI) (正)福島 康之(東大院工) (正)霜垣 幸浩
SiC
CVI
CVD
ST-25954

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