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化学工学会 第89年会 (堺)

講演プログラム検索結果 : 齊藤 丈靖 : 4件

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発表者または座長 が『齊藤 丈靖』と一致する講演：2件該当しました。
司会・座長氏名 が『齊藤 丈靖』と一致するセッション：2件該当しました。
検索結果は開始時刻順に並んでいます。

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
第 2 日
9:20～ 9:40		F202還元性ガスを添加した反応性スパッタリングによるMAX合金薄膜の形成
(阪公大院工) ○(正)齊藤 丈靖・ (学·技基)上田 和貴・ (正)岡本 尚樹
sputtering
MAX-phase
5-h787
第 2 日
16:00～ 16:40		   座長 齊藤 丈靖・友野 和哲
K222全固体電池用電極スラリと電池性能の関係
(LIBTEC) ○(正)門田 紳司・ 浅井 秀紀・ 荻原 航
All solid-state batteries
11-a396
K223エタノール電解酸化反応における電解質のpHとアニオン吸着の検討
(京大工) ○(学)鄭 凱鴻・ (学)名村 啓佑・ (正)河瀬 元明
Ethanol electro-oxidation
Hydrogen generation
Electrolyte
11-a684
オーガナイズドセッション(反応工学部会CVD反応分科会)
第 3 日
9:00～ 10:40		   座長 齊藤 丈靖
G301ALD用トリメチルアルミニウムの物理吸着の定量分析
(東大院工) ○(学)Wu Yuxuan・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
Atomic Layer Depositon
Quartz Crystal Microbalance
Surface Adsorption
5-h383
G302原子層堆積法を用いたZrN薄膜形成プロセスの検討
(東大院工) ○(学)田中 潤・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
ZrN
ALD
TEMAZ
5-h273
G303次世代ULSI配線用Moの原子層成長プロセス開発
(東大院工) ○(学)小原 聡顕・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
Molybdenum
ALD
low resistivity
5-h123
G304ヒドラジンを用いた原子層堆積法によるシリコン窒化膜評価
(大陽日酸) ○(法)和田 吉史・ (法)村田 逸人・ (法)清水 秀治
Siicon Nitride
Atomic Layer Deposition
Incubation Cycle
5-h109
G305Co薄膜熱原子層エッチングプロセスの検討
(東大院工) ○(正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
ALE
atomic layer eching
cobalt
5-h516
第 3 日
11:20～ 11:40		G308キセノンエキシマランプを使用したVUV-Redox法による銅表面の活性化
(阪公大院工) ○(正)遠藤 真一・ (正)齊藤 丈靖
VUV-Redo
Surface activation
5-h786

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