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化学工学会 第54回秋季大会 (福岡)

講演プログラム検索結果 : Momose Takeshi : 13件

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ローマ字氏名 が『Momose Takeshi』と一致する講演：10件該当しました。
司会・座長氏名 が『Momose Takeshi』と一致するセッション：3件該当しました。
検索結果は開始時刻順に並んでいます。また、フラッシュ付きポスターの場合、フラッシュとポスターの２件となります。

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
第 1 日
13:20～ 14:40		   座長 百瀬 健・西田 哲
S114[展望講演] 三次元積層実装技術の研究開発動向と今後の展望
(熊大) 青柳 昌宏
3D-IC
chip stacking
TSV
ST-24814
S116次世代ULSI配線用モリブデン原子層成長プロセスの開発
(東大院工) ○(学)Liu Haonan・ (学)Wu Yuxuan・ (正)Yamaguchi Jun・ (正)Sato Noboru・ (正)Tsukune Atsuhiro・ (正)Momose Takeshi・ (正)Shimogaki Yukihiro
ALD
Molybdenum
interconnect
ST-24845
S117Co-ALDによる選択成長プロセスの検討
(東大院工) ○(正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)百瀬 健・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
cobalt
ALD
selective deposition
ST-24837
第 1 日
14:00～ 14:20		S116次世代ULSI配線用モリブデン原子層成長プロセスの開発
(東大院工) ○(学)Liu Haonan・ (学)Wu Yuxuan・ (正)Yamaguchi Jun・ (正)Sato Noboru・ (正)Tsukune Atsuhiro・ (正)Momose Takeshi・ (正)Shimogaki Yukihiro
ALD
Molybdenum
interconnect
ST-24845
第 1 日
14:20～ 14:40		S117Co-ALDによる選択成長プロセスの検討
(東大院工) ○(正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)百瀬 健・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
cobalt
ALD
selective deposition
ST-24837
第 1 日
15:20～ 15:40		S1203次元集積回路用AlN薄膜の低温CVDプロセス開発
(東大院工) ○(学)小原 聡顕・ 二宮 健生・ 高木 剛・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
AlN film
chemical vapor deposition
low temperature
ST-24229
第 1 日
16:00～ 16:20		S122超臨界流体薄膜堆積法によるポリマー上への低抵抗率銅薄膜形成プロセスの開発
(東大院工) ○(学)中嶋 佑介・ (正)霜垣 幸浩・ (東大院工/熊大半導体) (正)百瀬 健
SCFD
Polymer
resistivity
ST-24304
第 1 日
16:40～ 17:00		S124水晶振動子によるトリメチルアルミニウムの吸着状態のその場測定
(U. Tokyo) ○(学)Wu Yuxuan・ (学)Liu Haonan・ (正)Yamaguchi Jun・ (正)Sato Noboru・ (正)Tsukune Atsuhiro・ (正)Momose Takeshi・ (正)Shimogaki Yukihiro
ALD
QCM
Adsorption
ST-24705
第 2 日
9:00～ 9:20		S201反射光強度変化を利用したCo製膜初期過程の観測
(東大院工) ○(学)木村 俊介・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)百瀬 健・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
cobalt
ALD
reflectance
ST-24895
第 2 日
10:40～ 11:00		S206MTS/H2を用いたSiC-CVIへのSiCl4添加効果の詳細検討
(東大院工) ○(学)大高 雄平・ (正)佐藤 登・ (学)木村 俊介・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
SiC
CVI
MTS
ST-24862
第 2 日
11:00～ 11:20		S207SiC-CVI法における高濃度水素供給を利用した高速含浸条件の検討
(東大院工) ○(学)木村 俊介・ (学)大高 雄平・ (正)佐藤 登・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
SiC
CVI
CVD
ST-24843
第 2 日
13:00～ 14:20		   座長 百瀬 健・野田 優
S213[展望講演] 化学蒸着法を用いた切削工具用硬質膜の現状と展望
(京セラ) (法)谷渕 栄仁
CVD
Cutting tool
Hard coating
ST-24150
S215DFT study on reaction paths of AlN growth by MOCVD
(京大院工) ○(学)李 亜飛・ (正)河瀬 元明
DFT
AlN
MOCVD
ST-24423
S216金属錯体蒸気圧予測のためのCOSMO-SAC法の改良
(東大院工) ○(正)佐藤 登・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
COSMO-SAC
metal complex
vapor pressure
ST-24824
第 2 日
14:00～ 14:20		S216金属錯体蒸気圧予測のためのCOSMO-SAC法の改良
(東大院工) ○(正)佐藤 登・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
COSMO-SAC
metal complex
vapor pressure
ST-24824
第 2 日
14:40～ 15:00		S218モデル触媒構造を用いた可視光応答型CuOx/TiO2光触媒反応機構の検討
(東大院工) ○(学)田中 潤・ (学)中嶋 佑介・ (正)霜垣 幸浩・ (正)百瀬 健
photocatalyst
visible light
reaction mechanism
ST-24926
第 3 日
13:00～ 14:20		   座長 三島 健司・百瀬 健
Z313亜臨界・超臨界メタノール中のエステル交換反応に利用可能な固体塩基触媒の検討
(東大院新領域) ○(正)秋月 信・ 張 夢琪・ (正)大島 義人
Sub- and supercritical methanol
Solid base catalyst
Transesterification
SY-73370
Z314液化ジメチルエーテルを用いた高分子凝集剤の抽出挙動の検討
(名大院工) ○(正)王 涛・ (学)楠美 海斗・ (正)朱 力・ 徐 波・ (京大院工) 米澤 璃穂・ 本間 亮介・ (名大院工) (正)山本 徹也・ (京大院工) 塩田 憲司・ 高岡 昌輝・ 大下 和徹・ (名大院工) (正)神田 英輝
Hansen Solubility Parameters
solvent extraction
microalgae
SY-73509
Z315液化ジメチルエーテルを用いた植物由来オイルの量産検討
(アルビオン) ○(正)鳥井 昭吾・ (正)鈴木 章悟
dimethyl ether
extraction
seed oil
SY-73547
Z316塩基性熱水を用いたPFCAの脱フッ素化速度
(中央大院理工) (学)遠藤 純・ (中央大理工) ○(正)船造 俊孝
Defluorination
PFCA
Rate
SY-731016

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