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化学工学会 第55回秋季大会

Last modified: 2024-09-19 02:24:28

講演プログラム（セッション別） : ST-25 : J213

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ST-25 [部会横断型シンポジウム]
CVD/ALD・ドライプロセス －構造・機能制御の反応工学－

オーガナイザー：清水 秀治（大陽日酸(株)）・野田　優（早稲田大学）

CVDやALDなどのドライプロセスはエレクトロニクス、エネルギーデバイス、機能性コーティングなど様々な分野で重要な基幹技術となっています。特に近年は産業のコメとも呼ばれる半導体産業の重要性が再認識され、メカニズムの理解に立脚したプロセスの構築と制御が増々求められています。本シンポジウムでは、ドライプロセスを利用した薄膜形成、微粒子合成、微細加工の反応メカニズムを反応工学的見地より理解し、合理的で効率的な反応プロセスや反応装置を議論します。

J 会場 ・ 第 1 日 | J 会場 ・ 第 2 日

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
J 会場(C棟 3階 C310) ・ 第 1 日(9月11日(水))
(13:00～15:00) (座長 野田 優・川上 雅人)
13:00～ 13:40J113[招待講演] 有機金属気相成選択成長法による化合物半導体ナノ構造作製と機能化
(北大院情報科学) 冨岡 克広
vapor-phase selective growth
metal-organic vapor
compound semiconductor nanostructures
ST-257
13:40～ 14:00J115効果的な反応ガス供給によるMo原子層成長プロセス開発
(東大院工) ○(学)小原 聡顕・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
Molybdenum
Atomic Layer Deposition
reactant supply
ST-25484
14:00～ 14:20J116水晶振動子マイクロバランスを用いたトリメチルアルミニウムによるアルミナALDの速度論的研究
(東大院工) ○(学)Wu Yuxuan・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
Atomic Layer Depositon
Quartz Crystal Microbalance
Surface Adsorption
ST-25821
14:20～ 14:40J117CVD及びALDに用いるインラインSi3H8発生方法
(大陽日酸) (法)髙 洋志
Generation
Si3H8
ST-2597
14:40～ 15:00J118Agナノ粒子の蒸着法による基板上およびガス中での合成と応用
(早大院先進理工) ○(学)中島 諒介・ (早大先進理工) (正)野田 優
Silver nanoparticles
Surface plasmon resonance
Vapor deposition
ST-25842
15:00～ 15:20休憩
(15:20～17:00) (座長 河瀬 元明・清水 秀治)
15:20～ 16:00J120[招待講演] 低圧酸性アモノサーマル法によるバルクGaN結晶成長
(日製鋼) ○(法)栗本 浩平・ (法)包 全喜・ (三菱ケミカル) (法)三川 豊・ (法)斉藤 真・ (東北大多元研) 嶋 紘平・ 石黒 徹・ 秩父 重英
GaN
Ammonothermal method
Bulk crystal
ST-25120
16:00～ 16:20J122CpCo(CO)2を用いたCo製膜プロセスの検討
(東大院工) ○(正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
ALD
CVD
cobalt
ST-25813
16:20～ 16:40J123ULSI-Cu配線用超薄膜における銅拡散バリア効果の定量評価のためのタイムラグ法の進展
(東大院工) ○(正)Deng Yubin・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
Time-lag method
Barrier property
ULSI
ST-25418
16:40～ 17:00J124ULSI配線ライナー/バリア層用Zr/ZrN製膜プロセス開発
(東大院工) ○(学)田中 潤・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
Zr/ZrN
ALD
PECVD
ST-25832
J 会場(C棟 3階 C310) ・ 第 2 日(9月12日(木))
(10:40～12:00) (座長 島田 学・筑根 敦弘)
10:40～ 11:20J206[招待講演] 新しいライフスタイル(社会環境変革)を支える最新のプリント基板の動向
(ユニマイクロンジャパン) 藁谷 幸繁
high-speed communication
high heat dissipation
printed circuit board
ST-25257
11:20～ 11:40J208カーボンナノチューブの低損傷分散とスプレーコートによる透明ヒーターの開発
(早大先進理工) ○(学)蓮實 直海・ (早大理工総研) (正)大沢 利男・ (早大先進理工) (正)野田 優
Carbon nanotubes
Transparent heater
Spray coating
ST-25829
11:40～ 12:00J209A reaction engineering approach of bismuth-based perovskite thin film orientation adjustment
(京大工) ○(海)楊 紫光・ (正)河瀬 元明
Chemical vapor deposition
Perovskite solar cell
crystal orientation control
ST-251098
(13:00～14:40) (座長 霜垣 幸浩・西田 哲)
13:00～ 13:40J213[招待講演] ラジカルを用いた低温成膜及び処理の可能性
(北見工大) ○武山 真弓・ 佐藤 勝
3D-LSI
low-temperature process
radical treatment
ST-25351
13:40～ 14:00J215三次元立体集積回路(3DIC)構成用高熱伝導性AlN膜の低温FM-CVD
(東大院工) ○(正)大高 雄平・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
AlN
CVD
3DIC
ST-25957
14:00～ 14:20J216SiCf/SiC-CMC製造CVIプロセスにおける製膜反応速度式の検討
(東大院工) ○(学)吉田 幸希・ (正)大高 雄平・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)霜垣 幸浩
SiC
CVI
CVD
ST-25826
14:20～ 14:40J217SiCf/SiC-CMC量産化に向けた包括的なSiC-CVIプロセス開発
(東大院工) ○(正)大高 雄平・ (学)吉田 幸希・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (IHI) (正)福島 康之・ (東大院工) (正)霜垣 幸浩
SiC
CVI
CVD
ST-25954

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