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化学工学会 第55回秋季大会

講演プログラム検索結果 : 霜垣 幸浩 : 9件

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発表者または座長 が『霜垣 幸浩』と一致する講演：8件該当しました。
司会・座長氏名 が『霜垣 幸浩』と一致するセッション：1件該当しました。
検索結果は開始時刻順に並んでいます。また、フラッシュ付きポスターの場合、フラッシュとポスターの２件となります。

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
第 1 日
13:40～ 14:00		J115効果的な反応ガス供給によるMo原子層成長プロセス開発
(東大院工) ○(学)小原 聡顕・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
Molybdenum
Atomic Layer Deposition
reactant supply
ST-25484
第 1 日
14:00～ 14:20		J116水晶振動子マイクロバランスを用いたトリメチルアルミニウムによるアルミナALDの速度論的研究
(東大院工) ○(学)Wu Yuxuan・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
Atomic Layer Depositon
Quartz Crystal Microbalance
Surface Adsorption
ST-25821
第 1 日
16:00～ 16:20		J122CpCo(CO)2を用いたCo製膜プロセスの検討
(東大院工) ○(正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
ALD
CVD
cobalt
ST-25813
第 1 日
16:20～ 16:40		J123ULSI-Cu配線用超薄膜における銅拡散バリア効果の定量評価のためのタイムラグ法の進展
(東大院工) ○(正)Deng Yubin・ (正)百瀬 健・ (正)霜垣 幸浩
Time-lag method
Barrier property
ULSI
ST-25418
第 1 日
16:40～ 17:00		J124ULSI配線ライナー/バリア層用Zr/ZrN製膜プロセス開発
(東大院工) ○(学)田中 潤・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
Zr/ZrN
ALD
PECVD
ST-25832
第 2 日
13:00～ 14:40		   座長 霜垣 幸浩・西田 哲
J213[招待講演] ラジカルを用いた低温成膜及び処理の可能性
3D-LSI
low-temperature process
radical treatment
ST-25351
J215三次元立体集積回路(3DIC)構成用高熱伝導性AlN膜の低温FM-CVD
(東大院工) ○(正)大高 雄平・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
AlN
CVD
3DIC
ST-25957
J216SiCf/SiC-CMC製造CVIプロセスにおける製膜反応速度式の検討
SiC
CVI
CVD
ST-25826
J217SiCf/SiC-CMC量産化に向けた包括的なSiC-CVIプロセス開発
SiC
CVI
CVD
ST-25954
第 2 日
13:40～ 14:00		J215三次元立体集積回路(3DIC)構成用高熱伝導性AlN膜の低温FM-CVD
(東大院工) ○(正)大高 雄平・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
AlN
CVD
3DIC
ST-25957
第 2 日
14:00～ 14:20		J216SiCf/SiC-CMC製造CVIプロセスにおける製膜反応速度式の検討
SiC
CVI
CVD
ST-25826
第 2 日
14:20～ 14:40		J217SiCf/SiC-CMC量産化に向けた包括的なSiC-CVIプロセス開発
SiC
CVI
CVD
ST-25954
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