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化学工学会 第90年会 (東京)

講演プログラム検索結果 : 山口 潤 : 6件

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発表者または座長 が『山口 潤』と一致する講演：6件該当しました。
検索結果は開始時刻順に並んでいます。

講演
時刻		講演
番号		講演題目／発表者キーワード分類
番号		受理
番号
第 3 日
9:20～ 11:20		PD349FM-CVDによるAlN薄膜成長時の膜質・段差被覆性評価
CVD
AlN
3DIC
5-h258
第 3 日
9:20～ 11:20		PD369ALDによるPd製膜プロセスと基板依存性の検討
palladium
AS-ALD
growth enhancer
5-h345
第 3 日
13:40～ 14:00		J315Nb薄膜の低温プラズマ製膜プロセスの検討
(東大院工) ○(学)田中 潤・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
niobium
plasma deposition
low-temperature
5-h313
第 3 日
15:20～ 15:40		J320ニューラルネットワークポテンシャルを用いたトリメチルアルミニウムの吸着状況の解析
(U. Tokyo) ○(学)Wu Yuxuan・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
ALD
CVD
Surface Adsorption
5-h263
第 3 日
15:40～ 16:00		J321Co-ALDにおける初期核発生と成長過程の評価
(東大院工) ○(正)玉置 直樹・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
atomic layer deposition
initial growth
in-situ observation
5-h551
第 3 日
16:00～ 16:20		J322Mo(CO)6を用いたMo原子層成長プロセス開発
(東大院工) ○(学)小原 聡顕・ (正)山口 潤・ (正)佐藤 登・ (正)筑根 敦弘・ (正)霜垣 幸浩
Mo(CO)6
low resistivity
good step coverage
5-h324
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