5-h - 講演プログラム検索結果 - 化学工学会第90年会 (東京)

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`化学工学会第90年会 (東京)`

講演プログラム検索結果 : 5-h : 15件

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分類番号が『5-h』から始まる講演：15件該当しました。
検索結果は開始時刻順に並んでいます。

講演時刻	講演番号	講演題目／発表者	キーワード	分類番号	受理番号
第 3 日 9:20～ 11:20	PD349	FM-CVDによるAlN薄膜成長時の膜質・段差被覆性評価 (東大工) ○(学)佐藤颯基・ (東大院工) (正)大高雄平・ (正)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	CVD AlN 3DIC	5-h	258
第 3 日 9:20～ 11:20	PD350	リチウムイオン電池に向けた化学気相成長法によるシリコン-活性炭複合負極材の開発 (早大先進理工) ○(学)新井颯眞・ (正)前智太郎・ (正)大沢利男・ (正)野田優	Chemical Vapor Deposition (CVD) Silicon anode Lithium-ion battery	5-h	238
第 3 日 9:20～ 11:20	PD356	SiC_f/SiC-CMC製造用CVIプロセスの最適設計に向けたニューラルネットワークポテンシャルを用いた表面反応解析 (東大院工) ○(学)吉田幸希・ (正)佐藤登・ (正)大高雄平・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	SiC CVI CVD	5-h	321
第 3 日 9:20～ 11:20	PD369	ALDによるPd製膜プロセスと基板依存性の検討 (東大工) ○(学)永井総雅・ (東大院工) (正)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)大髙雄平・ (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	palladium AS-ALD growth enhancer	5-h	345
第 3 日 9:20～ 11:20	PD371	窒化ホウ素被覆カーボンナノチューブの合成とリチウムイオン電池応用 (早大先進理工) ○(学)北島大樹・ (正)前智太郎・ (日本サムスン) 白鎭碩・干場弘治・ (早大先進理工) (正)大沢利男・ (早大先進理工/早大理工総研) (正)野田優	carbon nanotube boron nitride lithium-ion battery	5-h	243
第 3 日 9:20～ 11:20	PD372	低MTS高水素条件CVIによるSiC初期成長の製膜実験による考察 (東大工) ○(学)畠山大樹・ (東大院工) (正)大高雄平・ (学)吉田幸希・ (正)佐藤登・ (IHI) (正)福島康之・ (東大院工) (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	SiC CVI CMC	5-h	430
第 3 日 13:00～ 13:20	J313	HF蒸気を用いた薄膜エッチングに関する実験および数値シミュレーション (Screen SPE) ○(正)寶田浩延・藤原光・滝朋恵・瀧昭彦・黒枝篤史・折坂昌幸	CFD Vapor Process Etching	5-h	306
第 3 日 13:20～ 13:40	J314	アルミニウム層成長によるトリメチルアルミニウムと水素の気相反応に関する密度汎関数理論研究 (京大院工) ○(学)李亜飛・ (正)河瀬元明	Aluminum deposition Density functional theory MOCVD	5-h	247
第 3 日 13:40～ 14:00	J315	Nb薄膜の低温プラズマ製膜プロセスの検討 (東大院工) ○(学)田中潤・ (正)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	niobium plasma deposition low-temperature	5-h	313
第 3 日 14:00～ 14:20	J316	An evaluation of high temperature processed Bi-based perovskite thin film for photovoltaic application (京大工) ○(海)楊紫光・眞榮田亮・ (正)河瀬元明	chemical vapor deposition perovskite solar cells chemical reaction engineering	5-h	564
第 3 日 14:40～ 15:00	J318	気相合成されたTiO₂、TiO₂+CuOナノ粒子薄膜の種々の反応場における光触媒性能 (広大院先進理工) Hudandini Meditha・ (ITS Surabaya) Kusdianto K.・ (広大院先進理工) (正)久保優・ ○(正)島田学	PECVD nanoporous composite aerosol deposition	5-h	268
第 3 日 15:00～ 15:20	J319	ニューラルネットワークポテンシャルを用いた吸脱着平衡定数・表面反応速度定数の推算 (東大院工) ○(正)佐藤登・ (学)吉田幸希・ (正)大高雄平・ (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	machine learned potential surface kinetics	5-h	461
第 3 日 15:20～ 15:40	J320	ニューラルネットワークポテンシャルを用いたトリメチルアルミニウムの吸着状況の解析 (U. Tokyo) ○(学)Wu Yuxuan・ (正)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	ALD CVD Surface Adsorption	5-h	263
第 3 日 15:40～ 16:00	J321	Co-ALDにおける初期核発生と成長過程の評価 (東大院工) ○(正)玉置直樹・ (正)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	atomic layer deposition initial growth in-situ observation	5-h	551
第 3 日 16:00～ 16:20	J322	Mo(CO)₆を用いたMo原子層成長プロセス開発 (東大院工) ○(学)小原聡顕・ (正)山口潤・ (正)佐藤登・ (正)筑根敦弘・ (正)霜垣幸浩	Mo(CO)6 low resistivity good step coverage	5-h	324

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